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Design Higher Power Density USB-C PD Applications with New 50 V GaN FET in Tiny 1.8 mm2 Footprint from EPC

Design Higher Power Density USB-C PD Applications with New 50 V GaN FET in Tiny 1.8 mm2 Footprint from EPC

EPC introduces the 50 V, 8.5 mOhm EPC2057 GaN FET in tiny 1.5 mm x 1.2 mm footprint, offering higher power density for USB-C PD applications.

EL SEGUNDO, Calif.— June 2024 — EPC, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride (GaN) power FETs and ICs, launches the 50 V, 8.5 mΩ EPC2057aN FET is specifically designed to meet the evolving needs of high-power USB-C devices including those used in consumer electronics, in-car charging, and eMobility.

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Efficient Power Conversion(EPC)、自動車、ロボット、電動工具、太陽光発電向けなどの最先端のパワー・エレクトロニクス・ソリューションをPCIM Europe 2024で展示へ

Efficient Power Conversion(EPC)、自動車、ロボット、電動工具、太陽光発電向けなどの最先端のパワー・エレクトロニクス・ソリューションをPCIM Europe 2024で展示へ

EPCのGaNのエキスパートたちは、PCIM Europeに参加し、さまざまな現実世界のアプリケーションにおける最新世代のGaN FETとICを紹介します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム(GaN)のFETとICの世界的リーダーであるEPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は5月14日、パワー・エレクトロニクス、インテリジェント・モーター、再生可能エネルギー、エネルギー管理に関する国際的に主要な展示会と会議であるPCIM Europeに参加すると発表しました。6月11日~13日にドイツのニュルンブルクで開催されるこのイベントには、業界の専門家や主導するリーダーが集まり、パワー・エレクトロニクスやモーター制御の最新の進歩を探ります。

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中国国家知識産権局CNIPA、EPCのGaNゲート半導体技術の特許を有効に

中国国家知識産権局CNIPA、EPCのGaNゲート半導体技術の特許を有効に

EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は5月6日、中国国家知識産権局(「CNIPA」)がエンハンスメント・モードGaN半導体デバイス向けの「補償ゲートMISFETおよびその製造方法」というタイトルのEPCの特許(中国特許番号ZL201080015425.X)のクレームを有効にしたと発表しました。

2024年4月30日の決定は、「エンハンスメント・モードGaN HEMTデバイスおよびその製造方法」というタイトルのEPCの中国特許(中国特許番号ZL201080015388.2)の主要なクレームの有効性を確認した2024年4月2日のCNIPAの発表に続くものです。両方の EPCの特許は、中国Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd.(「Innoscience」)によって異議を申し立てられました。

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Efficient Power Conversion(EPC)、GaN FETを使って高性能D級オーディオ・アンプを設計へ

Efficient Power Conversion(EPC)、GaN FETを使って高性能D級オーディオ・アンプを設計へ

D級オーディオのリファレンス・デザインEPC9192は、カスタマイズと高性能を実現するモジュラ設計で大出力と高効率を実現します。

EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は4月9日、大出力で小型、高効率なD級オーディオ

  • アンプを実現するリファレンス
  • デザイン「EPC9192」の製品化を発表しました。EPC9192は、グラウンド基準の分割デュアル電源シングルエンド(SE)設計における当社の200 VのEPC2307(eGaN FET)の能力を実証し、4 Ω負荷にチャネル当たり700 Wという驚異的な電力を供給します。

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  • EPCは台湾で発生した最近の地震に関する最新情報を提供したいと考えています

    EPCは台湾で発生した最近の地震に関する最新情報を提供したいと考えています

    当社の従業員は全員無事であり、当社の施設は徹底的に検査され、引き続き操業しても安全であると判断されました。

    生産は中断されていません。当社のサプライチェーンも同様に査定され、混乱は発生していません。

    ご質問やご不明な点がございましたら、お気軽にお近くの担当者までお問い合わせください。EPCのセールス担当

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    中国国家知識産権局CNIPA、EPCのGaNパワー技術の特許の主な請求を認定

    中国国家知識産権局CNIPA、EPCのGaNパワー技術の特許の主な請求を認定

    根据国家知识产权局官网20204年4月2日的消息,宜普电源转换公司(Efficient Power Conversion Corporation, EPC,以下简称宜普公司)一件名为“增强型GaN高电子迁移率晶体管器件及其制备方法”的专利(专利号ZL201080015388.2)的核心权利要求6、9、10、13、14、17、18、22-26在无效程序(案件编号:4W116775)中被维持有效。该件专利的无效请求人是英诺赛科(苏州)科技有限公司(以下简称英诺赛科公司)。

    2024年4月2日の中国国家知識産権局(CNIPA)の公式ウエブサイトの情報によると、申立人の中国Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd.(「Innoscience」)が請求した無効手続き中(事件番号:4W116775)のEfficient Power Conversion Corp(以下「EPC」)が所有する「Enhancement mode GaN HEMT device and method for fabricating the same」(特許番号:ZL201080015388.2)というタイトルの中国特許の主要な請求項6、9、10、13、14、17、18、および22~26の有効性が担保されました。

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    パワーの連鎖

    パワーの連鎖

    パワー半導体は、イーモビリティの多くの分野で使われており、電圧と電流の要件に応じて車両の各部分に適したさまざまな技術が使われると同時に、新しい技術によって、システムの小型化が可能になっています。GaNやSiCの技術が成熟し、価格が低下するにつれて採用が増えており、この技術は、イーモビリティのパワー・トレインや電源システムの設計と開発をますます支配的になっています。

    英E-Mobility Engineering誌
    2024年3月
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    Efficient Power Conversion(EPC)、低コストの電動自転車、ドローン、ロボット向けGaN基板を製品化

    Efficient Power Conversion(EPC)、低コストの電動自転車、ドローン、ロボット向けGaN基板を製品化

    GaNベース・インバータのリファレンス・デザインであるEPC9193は、システム全体のコストを削減すると同時に、モーター・システムの性能、範囲、精度、トルクをすべて向上させます。

    EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は3月19日、eGaN® FETのEPC9193を使った3相BLDC モーター駆動用インバータ「EPC2619」を製品化したと発表しました。EPC9193は、14 V~65 Vと幅広い直流入力電圧範囲で動作し、標準版と大電流版の2つの構成があります:

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    Efficient Power Conversion(EPC)、実世界のミッション・プロファイルにおけるシステム信頼性を予測した当社のGaN信頼性に関するフェーズ16のレポートを公表

    Efficient Power Conversion(EPC)、実世界のミッション・プロファイルにおけるシステム信頼性を予測した当社のGaN信頼性に関するフェーズ16のレポートを公表

    Efficient Power Conversion(EPC)は、GaNの信頼性とミッションの耐久性に関する広範な知識ベースに、新たに分かったことを加えたフェーズ16の信頼性レポートを公開します。

    EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は3月12日、フェーズ16の信頼性レポートを公表したと発表しました。このレポートでは、故障するまでのテスト手法を使った継続的な作業を文書化し、過電圧仕様や熱機械的信頼性の向上に関する具体的なガイドラインを追加しています。

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    APEC 2024で専門家がGaNとSiCについて意見交換

    APEC 2024で専門家がGaNとSiCについて意見交換

    米Power Electronics News誌のこのビデオでは、半導体企業の著名な講演者たちが窒化ガリウムや炭化ケイ素ベースのパワー・デバイスの画期的な開発についての洞察を説明しています。

    GaNの講演者たちは、ワイド・バンドギャップの将来を形作る2つの重要な質問に取り組みます:

    1. GaNベースのパワー・デバイスの基板材料選択の重要性。彼らは、この選択がデバイスの性能、信頼性、製造性にどのような影響を与えるかについて詳しく説明し、研究者が基板関連の課題にどのように取り組んでいるかについて議論します。
    2. GaNデバイスが従来のシリコン・ベースのソリューションを上回り、採用が加速され、それぞれの企業の技術の方向性が明らかになっている特定の市場分野。講演者は次のとおりです:
      • Robert Taylor、米テキサス・インスツルメンツのアプリケーション・エンジニア/産業アプリケーション担当ゼネラル・マネージャ
      • Michael de Rooij、EPCのアプリケーション・エンジニアリング部門バイス・プレジデント
      • Balu Balakrishnan、米Power IntegrationsのCEO(最高経営責任者)

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    Efficient Power Conversion(EPC)、初のオン抵抗1 mOhmを実現したGaN FETを発表

    Efficient Power Conversion(EPC)、初のオン抵抗1 mOhmを実現したGaN FETを発表

    EPCは、面積3 mm×5 mmの小型QFNパッケージに封止した耐圧100 V、オン抵抗1 mΩのGaN FETであるEPC2361を製品化し、DC-DC変換、高速充電、モーター駆動、ソーラーMPPT(最大電力点追従)に、高い電力密度を提供します。

    エンハンスメント・モード窒化ガリウム(GaN)のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2月27日、耐圧100 V、オン抵抗1 mΩの「EPC2361」を製品したと発表しました。これは、市場で最も低いオン抵抗のGaN FETであり、当社の前世代品と比べて、電力密度が2倍になっています。

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    シリコンMOSFET向けに設計されたコントローラとゲート・ドライバでのGaN FETの使用

    シリコンMOSFET向けに設計されたコントローラとゲート・ドライバでのGaN FETの使用

    窒化ガリウム(GaN)FETは、パワー・エレクトロニクス業界に革命をもたらし、従来のシリコンMOSFETと比べて、小型サイズ、高速スイッチング、高効率、低コストなどの利点を提供します。ただし、GaN技術の急速な進化は、GaN専用のゲート・ドライバとコントローラの開発を上回る場合があります。したがって、回路設計者は、シリコンMOSFET向けに設計された汎用ゲート・ドライバを利用することが多く、最適な性能を確保するためにさまざまな要素を慎重に検討する必要があります。

    独Bodo’s Power Systems
    2024年2月
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    Efficient Power Conversion(EPC)、GaN FETがDC-DC変換のベンチマークとなる電力密度と効率を実現したと発表

    Efficient Power Conversion(EPC)、GaN FETがDC-DC変換のベンチマークとなる電力密度と効率を実現したと発表

    EPCのGaN FETは、米アナログ・デバイセズのドライバとコントローラを活用して、GaNの設計を簡素化し、効率を向上させ、冷却コストを削減し、コンピューティング、産業、民生の各用途向けのDC-DCコンバータの最高の電力密度の実現に貢献します。

    EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2月13日、当社のGaN FETと米アナログ・デバイセズ(ADI)のコントローラを搭載したリファレンス・デザインの製品化を発表しました。

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    ポッドキャスト:モーター制御とLidar用途向けのGaN

    ポッドキャスト:モーター制御とLidar用途向けのGaN

    EPCのCEO(最高経営責任者)のAlex Lidow(アレックス・リドウ)を招いたPowerUP のこのエピソードでは、特にモーター制御とLidar(光による検出と距離の測定)の各システムに焦点を当て、広範なアプリケーションにわたるGaN技術の革命的な影響について詳しく調べます。

    米Power Electronics News誌
    2024年2月
    ポッドキャストを聞く

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    Efficient Power Conversion(EPC)、GaN FETによって、ナノ秒で75~231 Aのレーザー・ダイオード制御が可能と発表、自動車の高度な自律性を実現へ

    Efficient Power Conversion(EPC)、GaN FETによって、ナノ秒で75~231 Aのレーザー・ダイオード制御が可能と発表、自動車の高度な自律性を実現へ

    EPCは、Lidar(光による検出と距離の測定)システムの優れた性能を実現する車載品質AEC-Q101認定GaN FETへの急速な移行を促進する3種のレーザー・ドライバ基板を発売します。

    EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2024年1月9日、パルス電流75 A、125 A、231 Aのレーザー・ドライバを搭載した3種の評価基板「EPC9179」、「EPC9181」、「EPC9180」を製品化したと発表しました。いずれも当社の車載品質AEC-Q101認定のGaN FETを搭載しています。搭載したFETは、それそれEPC2252EPC2204AEPC2218Aであり、以前の製品よりも30%小型で、費用対効果が高くなります。これらの基板は、長距離および短距離の両方の車載用Lidar(光による検出と距離の測定)システム向けに設計されており、さまざまな入力および出力のオプションを使ってソリューションの評価を迅速化できます。

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    Efficient Power Conversion(EPC)、CES 2024でGaN対応の民生用途:イーモビリティ、ドローン、ロボットなどを展示へ

    Efficient Power Conversion(EPC)、CES 2024でGaN対応の民生用途:イーモビリティ、ドローン、ロボットなどを展示へ

    EPCの窒化ガリウム(GaN)のエキスパートたちが、米国ネバダ州ラスベガスで開催されるコンシューマ・エレクトロニクス・ショー(CES)に参加し、GaNが民生用電子機器の機能と性能の向上をどのように実現するかを示します。

    エンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN®) FETとICの世界的リーダーであるEPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は12月13日、CES 2024でGaN技術の可能性を展示し、民生用電子機器の機能と性能の強化におけるその役割をデモすると発表しました。この役割には、高効率、小型、低コストのソリューションへの貢献があります。

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    GaNのモーター駆動用インバータの進歩が農業用途向けのUAVドローンに革命をもたらす

    GaNのモーター駆動用インバータの進歩が農業用途向けのUAVドローンに革命をもたらす

    現代の農業技術は、低電圧バッテリー駆動の航空機である無人航空機(UAV)ドローンの統合によって革命をもたらしています。小型ドローンは、地形図の作成や植生の監視に利用され、より大型で丈夫なドローンは、肥料や殺虫剤の散布や分配、最大積載量50 kgの種子や飼料の散布などの作業に使われています。GaNベースのインバータは、正弦波励起による高いPWM(パルス幅変調)周波数のおかげで、モーターの効率を改善してバッテリー寿命を延ばすため、UAV農業用ドローンに適していることが証明されています。効率の考察に加えて、PWM周波数を高くすることは、直流リンクの寸法の短縮に貢献し、それによって軽量航空機に不可欠なインバータのサイズと重さを削減できます。

    独Bodo’s Power Systems
    2023年12月
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    Efficient Power Conversion(EPC)、オーストリアEfficient Energy Technology(EET)の SolMateが当社のGaNを採用、効率を 2 倍にし、製品寿命を延長へ

    Efficient Power Conversion(EPC)、オーストリアEfficient Energy Technology(EET)の SolMateが当社のGaNを採用、効率を 2 倍にし、製品寿命を延長へ

    PC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は12月5日、革新的なバルコニー発電設備の設計と製造におけるオーストリアを拠点とするパイオニアであるEfficient Energy Technology GmbH(EET)が、同社の最新のSolMate®グリーン・ ソーラー・バルコニー製品に、当社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN®)パワー・トランジスタのEPC2204を選択したと発表しました。EPC2204は、要求の厳しいハードスイッチング用途にとって重要な低オン抵抗RDS(on)と低出力容量COSSの間の最適な妥協点を実現しており、小型パッケージに封止し、ドレイン-ソース間降伏電圧は100 Vです。この小型な設計によって、プリント回路基板のサイズが大幅に縮小され、電流ループが小さく保たれ、電磁干渉(EMI)雑音を最小化できます。

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    GaNのCSPの熱モデリング

    GaNのCSPの熱モデリング

    窒化ガリウム・ベースの高電子移動度トランジスタ(HEMT)は、従来のシリコン・ベースのコンバータに比べて、材料とデバイスの利点が多いため、民生用と産業用の両方の電力変換に広く採用されています。GaNによって実現されるはるかに高いスイッチング周波数での電力変換効率の改善は、システム・コストの削減と電力密度の向上につながります。電力密度が増加するにつれて、放熱解析と熱モデリングが非常に重要になります。この記事では、Efficient Power Conversion(EPC)によって公開されたサーマル・カリキュレータ・ツールを調査します。EPCは、エンハンスメント・モードGaN HEMTと、多くのコンバータのビルディング・ブロックを形成するハーフブリッジなどの集積化した電力変換回路を製造しています。

    米Power Electronics News誌
    2023年11月
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    米EPC SpaceのGaN技術は、宇宙ミッション向けに極めて高い強靭性を発揮

    米EPC SpaceのGaN技術は、宇宙ミッション向けに極めて高い強靭性を発揮

    宇宙探査では常に、最先端の技術、信頼性、回復力が求められてきました。パワー・エレクトロニクスにおける最新のブレークスルーである窒化ガリウム(GaN)技術は、従来のシリコンMOSFETと比べて、優れた耐放射線性と比類のない電気的性能を提供する宇宙ベースのシステムのゲーム・チェンジャとして登場しました。この記事では、GaNパワー・デバイスが宇宙での電力変換用途にとって究極の選択肢である理由と、GaNパワー・デバイスが放射線に対する耐性によって、どのように宇宙ミッション向けの非常に強靭なソリューションとなるのかを詳しく掘り下げます。

    英Components in Electronics誌
    2023年10月
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