何100万デバイス時間もの厳格なストレス・テスト後のGaN技術の信頼性を文書化 Posted 2016年8月31日 EPCの信頼性レポートのフェーズ8は、合計800万GaNデバイス-時間を超えて不具合ゼロだったことをまとめたものです。このレポートは、EPCのデバイスが品質認定された製品として発表される前に実施されるストレス・テストを詳細に調べたもので、故障の物理を分析しています。 Bodo’s Power Systems誌 2016年9月1日 記事を読む 最も閲覧された関連記事 太陽光発電用マイクロインバータやパワー・オプティマイザにおけるGaNデバイスの寿命予測 繰り返し過電圧スイッチング下でのGaN HEMTのRDS(on)のその場特性評価と寿命予測 ポッドキャスト:耐放射線および新しい宇宙用途におけるGaNの信頼性におけるEPCの進歩 太陽光発電用途におけるeGaNデバイスの信頼性と寿命の正確な評価のための故障するまでテストするという方法論 eGaN FETのより良い熱管理