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高周波スイッチング可能な窒化ガリウム・パワー・トランジスタを使ったD級オーディオ・アンプのリファレンス設計EPC9106は、プロシューマ品質のサウンドを実現すると同時に、高効率化、小型化が可能で、ヒートシンクが不要です。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年2月5日、150 W、8ΩのD級オーディオ・アンプ用リファレンス設計「EPC9106」を製品化しました
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EPC社は、窒化ガリウム・パワー・トランジスタ製品の賞を授与されたファミリーを拡張し、ハーフブリッジ構成の耐圧60 VのEPC2102と80 VのEPC2103を製品化しました。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年1月22日、エンハンスメント・モード窒化ガリウム・トランジスタのモノリシック・ハーフブリッジ2品種、耐圧60 Vの「EPC2102」と耐圧80 Vの「EPC2103」を発売しました。
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eGaN® FETのEPC2027は、立ち上がり時間が4 nsと高速の耐圧450 Vのパワー・トランジスタで、高周波のDC-DCコンバータや医療用診断装置の用途に最適です。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年1月14日、より高い効率と電力密度を実現するために高速スイッチングが要求される用途での使用に最適な耐圧450 Vのノーマリオフ（エンハンスメント・モード）のパワー・トランジスタ「EPC2027」を発売しました。超高速DC-DCコンバータ、医療用診断装置、太陽光発電用インバータ、LED（発光ダイオード）照明など、高電圧、高速スイッチングによって特性が強化される用途に最適です。
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GaNパワー・トランジスタのワン・チップ・ハーフブリッジ製品EPC2100が、ディスクリート半導体の革新的な進歩に対する賞を受賞。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年1月7日、EPCのエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN®）のモノリシック・ハーフブリッジ・パワー・トランジスタ製品が、米Electronic Products誌の「Product of the Year」賞を受賞したと発表しました。
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GaNパワーのモノリシック・ハーフブリッジEPC2101は、パワー・システムの設計者に、効率と電力密度を高めるためのソリューションを提供します。完全なバック（降圧型）・コンバータの場合、ディスクリート（個別部品）のソリューションと比べて、トランジスタが占める基板面積を50％削減できると同時に、スイッチング周波数500 kHzで28 Vから1 Vに変換するときに、システム効率は14 Aでほぼ87％、30 Aのときは82％以上です。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2014年11月18日、耐圧60 Vのエンハンスメント・モードGaNトランジスタのモノリシック・ハーフブリッジ「EPC2101」を製品化しました。単一のデバイスに2個のeGaN®パワーFETを集積化することによって、デバイスを2個使ったときの配線のインダクタンスやプリント回路基板上に必要な面積が削減できます。この結果、トランジスタによって占有される基板面積を半分にできます。これは、エンド・ユーザーの電力変換システムの組み立てコストを削減できると同時に、（特により高い周波数における）効率と電力密度の両方を向上できます。EPC2101は、高周波DC-DC変換に最適です。
ハーフブリッジEPC2101 に集積した各デバイスの耐圧は60 Vです。上側のFETのオン抵抗RDS(on) は標準値で8.4mΩ、下側のFETのRDS(on) は標準2mΩです。VIN / VOUT比が高いバック（降圧型）・コンバータにおけるDC-DC変換効率を最適化するために、ハイサイドFETのサイズは、ローサイド・デバイスの約1/4にしてあります。EPC2101は、スイッチング速度と熱特性を改善するために、チップスケール・パッケージで提供され、電力密度を高めるために、面積は6.05 mm×2.3 mmと小型です。
開発基板
開発基板「EPC9037」は、面積2インチ×1.5インチ（1インチは2.54cm）で、1個の集積化されたハーフブリッジEPC2101に加え、米テキサス・インスツルメンツ社のゲート•ドライバLM5113、電源回路、バイパス・コンデンサを搭載しています。この基板は、最適なスイッチング特性が得られるようにレイアウトされており、波形測定と効率計算を単純化するために、さまざまなプローブ・ポイントを備えています。
価格と購入方法
モノリシック・ハーフブリッジEPC2101 の1000個購入時の単価は6.92米ドルです。
開発基板EPC9037の単価は137.75ドルです（いずれも米国での参考価格）。
いずれも、Digi-Key社のウエブ（http://www.digikey.jp/suppliers/jp/efficient-power-conversion.page?lang=ja）で購入でき、即時に配送されます。
eGaN FETの設計情報とサポート：
EPCについて
EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータ、 ワイヤレス・パワー伝送、 包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータ、リモート・センシング技術（LiDAR）、 続きを読む
GaNハーフブリッジのEPC2105は、完全なバック・コンバータ・システムの効率と電力密度を改善するソリューションを提供します。スイッチング300 kHzで48 Vから12 Vへの変換時に10 Aで効率がほぼ98％、スイッチング300 kHzで48 Vから1.0 Vへの変換時に14 Aで効率84％が得られます。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2014年11月13日、耐圧80 Vのモノリシック・ハーフブリッジのエンハンスメント・モードGaNトランジスタ「EPC2105」を製品化しました。単一デバイスに2個のeGaN®パワーFETを統合することによって、相互接続インダクタンスとプリント回路基板上に必要な間隔が除去されます。エンド・ユーザーの電力変換システムのアセンブリ・コストを削減すると同時に、（特により高い周波数での）効率と電力密度の両方を向上できます。EPC2105は、高周波DC-DC変換に最適であり、48 Vから直接、1 Vのシステム負荷への1段の変換が高効率で実現できます。
ハーフブリッジ部品EPC2105内の各デバイスは、耐圧80 Vです。上側のFETのオン抵抗RDS(on)は標準値で10 mΩ、下側のFETは2.3 mΩ（標準値）です。ハイサイドFETの面積は、VIN / VOUT比が大きいバック・コンバータにおいて、効率的なDC-DC変換を最適化するために、ローサイド・デバイスの1/4の面積です。EPC2105は、スイッチング速度や熱特性の改善のためにチップスケール•パッケージで提供され、電力密度を高めるために、面積は、わずか6.05 mm×2.3 mmです。
開発基板
開発基板「EPC9041」は、面積2インチ×1.5インチ（1インチは2.54cm）で、集積化された1個のハーフブリッジEPC2105に加え、米テキサス・インスツルメンツ社のゲート•ドライバLM5113、電源回路、バイパス・コンデンサを搭載しています。この基板は、最適なスイッチング特性が得られるようにレイアウトされており、波形測定と効率計算を単純化するために、さまざまなプローブ・ポイントを備えています。
価格と購入方法
モノリシック・ハーフブリッジEPC2105の1000個購入時の単価は7.17米ドルです。
開発基板EPC9041の単価は137.75ドルです（いずれも米国での参考価格）。
いずれも、Digi-Key社のウエブ（http://www.digikey.jp/suppliers/jp/efficient-power-conversion.page?lang=ja）で購入でき、即時に配送されます。
eGaN FETの設計情報とサポート：
EPCについて
EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータ、 ワイヤレス・パワー伝送、 包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータ、リモート・センシング技術（LiDAR）、 D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。
eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, In
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EPC9118は、最大48 V、および、それ以上の電源電圧で、高周波スイッチング可能なeGaN® FETを使う電力変換の小型化と高効率化を容易に実現できます。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2014年10月21日、完全に機能するバック（降圧）型電力変換のデモ回路「EPC9118」を製品化しました。この基板は、30 V～60 Vの入力から5 Vを出力し、最大出力電流20 Aで400 kHzで動作するバック・コンバータです。エンハンスメント・モード（eGaN®）電界効果トランジスタ（FET）のEPC2001とEPC2015、および、バック・コントローラLTC3891を搭載しています。このバック・コンバータの設計は、通信、産業、医療の用途における分散型電源ソリューションに最適です。
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GaNパワー・トランジスタのEPC2025は、高周波DC-DCコンバータや医療診断機器向けで、立ち上がり時間が2nsと短い耐圧300 Vのパワー・トランジスタです。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2014年9月30日、効率と電力密度を高めるために、高周波スイッチングが必要な用途で使うための耐圧300 Vのパワー・トランジスタ「EPC2025」を発売しました。スイッチング速度の高速化によって性能が向上する用途には、超高周波DC-DCコンバータ、医療診断機器、パワー・インバータ、LED（発光ダイオード）照明などがあります。
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GaNパワー•トランジスタEPC2100は、パワー・システムの設計者に、完全なバック・コンバータ・システムの効率と電力密度を向上するためのソリューションを提供します。スイッチング500 kHzで、12 Vから1.2 Vに変換するときの効率は、10 Aで93％弱、25 Aで90.5％以上を実現できます。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2014年9月24日、エンハンスメント・モードGaNトランジスタで初めてのモノリシック・ハーフブリッジ「EPC2100」を製品化しました。2個のeGaNパワーFETを単一のデバイスに集積化することで、相互接続インダクタンスと、プリント回路基板上に必要なデバイス間の空間が除去されます。最終ユーザーの電力変換システムの組み立てコストを削減できると同時に、効率（特に、より高い周波数において）と電力密度の両方を向上できます。
ハーフブリッジ EPC2100に内蔵した各デバイスの電圧定格は30 Vです。上側（ハイサイド）FETのオン抵抗RDS(on)は、標準値で6mΩ、下側（ローサイド）FETのRDS(on)は標準1.5mΩです。入力電圧／出力電圧の比が大きいバック（降圧型）・コンバータの効率的なDC-DC変換を最適化するために、ハイサイドFETの大きさは、ローサイド・デバイスの約1／4になっています。EPC2100は、スイッチング速度と熱特性を改善するためにチップスケール・パッケージで提供され、電力密度を高めるために、パッケージ面積は6mm×2.3mmと小型です。
「今、設計者は、eGaN技術による製品、すなわち、スペースを節約し、効率を向上し、コストを削減できるモノリシックのeGaNハーフブリッジ・デバイスのファミリーの最初のサンプルを入手できます。電力変換システムがマルチメガヘルツ領域へと拡張すると同時に、システム効率と電力密度を向上するために、ディスクリート（個別）・デバイスの集積化が、ますます重要になります」と、EPC社の共同創立者でCEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス•リドウ）は述べています。
開発基板
開発基板「
EPC9036」は、面積2インチ×2インチ（1インチは2.54cm）で、集積化された1個のハーフブリッジEPC2100に加え、米テキサス・インスツルメンツ社のゲート•ドライバLM5113、電源回路、バイパス•コンデンサを搭載しています。この基板は、最適なスイッチング特性が得られるようにレイアウトされており、波形測定と効率計算を単純化するために、さまざまなプローブ・ポイントを備えています。
価格と購入方法
モノリシック・ハーフブリッジEPC2100の1000個購入時の単価は5.81米ドルです。
開発基板EPC9036の単価は137.75ドルです（いずれも米国での参考価格）。
いずれも、Digi-Key社のウエブ（http://www.digikey.jp/suppliers/jp/efficient-power-conversion.page?lang=ja）で購入でき、即時に配送されます。
eGaN FETの設計情報とサポート：
EPCについて
EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータ、 ワイヤレス・パワー伝送、 包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータ、リモート・センシング技術（LiDAR）、 D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。
eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。
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9月3日のIEEE PELSで、Johan Strydom博士は、包絡線追跡の用途で要求されるシステム帯域幅の要件を満たすために、窒化ガリウム・パワー・トランジスタの寄与について議論するウェビナを実施します。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2014年8月21日、包絡線追跡のパワー回路設計への窒化ガリウム・トランジスタの応用を担当するEPC社の専門家が、IEEE Power Electronics Society（PELS）が主催する9月3日の1時間（午前11:00～12:00（EDT））のウェビナを実施すると発表しました。
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低出力容量、低入力容量、低寄生インダクタンス、小型などのeGaN®FETの優れた特性は、高共鳴でRezence (A4WP) 準拠のワイヤレス・パワー伝送システムの高効率化に最適です。
このニュースをツイートするために、http://bit.ly/EPCWiPoPRを＃GaNFETと共にあなたのTwitterハンドル名にコピー・アンド・ペーストしてください。
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eGaN® パワー・トランジスタは、電力変換特性の水準を高くし続けています。低オン抵抗（内部抵抗）、低容量、大電流、および優れた熱特性が、効率98％以上の電力変換を可能にします。
このニュースをツイートするために、http://bit.ly/EPCXLPR1407を＃GaNFETと共にあなたのTwitterハンドル名にコピー・アンド・ペーストしてください。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2014年7月8日、新しい世代のパワー・トランジスタ6品種と、これらに対応する開発基板を発売しました。これらのパワー・トランジスタは、耐圧が30 V～200 Vの範囲で、オン抵抗（内部抵抗）を非常に低減しているので、大電力密度のDC-DCコンバータ、POL（負荷点）コンバータ、DC- DCおよびAC- DCコンバータの同期整流、モーター駆動、LED（発光ダイオード）照明、産業用オートメーションなどの用途で出力電流能力を大きく増加させることができます。
新しいeGaN FET製品と用意した開発基板
| EPC2023 |
30 V |
1.3 mΩ |
590 A |
150°C |
EPC9031 |
EPC9018 |
| EPC2024 |
40 V |
1.5 mΩ |
550 A |
150°C続きを読む
低出力容量、低入力容量、低寄生インダクタンス、小型などのeGaN® FETの優れた特性は、高共鳴のワイヤレス給電規格 Rezence (A4WP) 準拠のワイヤレス・パワー伝送システムの高効率化に最適です。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2014年6月27日、革新的で高性能な回路構成であるゼロ電圧スイッチング（ZVS）のD級によるワイヤレス・パワー伝送向けデモ・ボードを製品化しました。このアンプ（給電）基板 EPC9506とEPC9507は、75％以上の効率が得られるワイヤレス・パワー・システムを容易に実現するために、EPC社の窒化ガリウム・トランジスタの高周波スイッチング能力を利用しています。
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Glaser博士は、ベンチマークとなるパワー・コンバータの設計を担当し、高周波、高性能の電力変換システム用 eGaN FETs® を使っている顧客を支援します。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2014年6月17日、John Glaser博士がアプリケーション・エンジニアリング部門ディレクタとして、EPC社のエンジニアリング・チームに加わったと発表しました。
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DrGaNPLUS 評価基板のEPC9202は、100 V、10Aの基板で、高速スイッチングのeGaN®パワー・トランジスタを使って達成される電力変換のための超小型化と効率向上を実証します。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2014年5月22日、窒化ガリウム・トランジスタの比類のない特性を評価するパワー・システム設計者向けに使いやすさを提供する評価基板 DrGaNPLUS を製品化しました。これらの基板は、GaNトランジスタの電力変換ソリューションの優れた特性を実証するために容易に実装することができる極めて小さい単一プリント回路基板ベースのモジュールに、ハーフブリッジ回路に必要な部品をすべて統合したコンセプト実証設計です。
最初の DrGaNPLUS 基板であるEPC9202は、100 V、10Aのハーフブリッジ・パワー・コンバータで、「プラグ・アンド・プレイ」対応の評価基板です。設計者は、窒化ガリウム・パワー・トランジスタの御利益が得られる高い性能を、迅速かつ簡単に評価することができます。例えば、この基板は、通信用途向けの一般的な電力変換であるVIN＝48 V、VOUT=12 Vで、ピーク効率97％を実現しています。
EPC9202は、単一のPWM（パルス幅変調）入力によって駆動され、2個のeGaN FET（EPC2001）、米テキサス・インスツルメンツ社のドライバLM5113、高周波入力コンデンサを備えています。この DrGaNPLUS 基板は、一辺当たりわずか9 mm強と小さく、プリント回路基板上に直接、実装することができます。これは、共通ソースと高周波の電力転流ループ・インダクタンスによる減衰の影響を最小化する最適なレイアウトで設計されています。
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機能
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利点
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- ピーク効率97％ (VIN =48 V から VOUT = 12 Vへ）
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「当社のDrGaNPLUS シリーズの最初の基板であるeGaN FET評価基板のEPC9202の製品化に興奮しています。特性の向上、低コスト、高信頼性に加えて、使いやすさは、新技術採用における重要な要素です。 DrGaNPLUS 評価基板の導入に伴って、電力変換システムの設計エンジニアは今、パワー・システム回路に窒化ガリウム・トランジスタを組み込むことによる比類のないメリットを評価するための迅速で簡単な方法を手に入れられます」とEPC社の共同創立者でCEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）はコメントしました。
セットアップ手順、回路図、特性曲線、BOM（部品表）を含む クイック・スタート・ガイドが参考のためにEPC9202デモ・ボードに同梱され、使いやすさはオンラインで提供されます。
デモ・ボードEPC9202の単価は、45.00米ドルです（米国での参考価格）。Digi-Key社のウエブ（http://www.digikey.jp/suppliers/jp/efficient-power-conversion.page?lang=ja）で購入でき、即時に配送されます。
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IEEE PELSが6月4日にウェビナ（webinar）を開催、Alex LidowとMichael de Rooijがワイヤレス・パワー伝送システムの高効率化へのeGaN®パワー・トランジスの貢献を議論
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）の窒化ガリウム・トランジスタの設計と利用のエキスパートは、6月4日の午前10時30分～午前11時30分（東部夏時間）に、IEEE Power Electronics Society（PELS）が主催する1時間のウェビナを実施します。
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EPCは、業界のエキスパートによって制作された窒化ガリウム・パワー・トランジスタの理論や、設計の基礎、アプリケーションに関する11編の教育ビデオのポッドキャスト・シリーズを公開しました。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2014年4月24日、窒化ガリウム・ベースのトランジスタを使って、より高効率な電力変換システムを設計する方法に関する技術の基本やアプリケーションに焦点を当てたツール・セットを、パワー・システムの設計エンジニアに提供することを目指した11編の教育ビデオのポッドキャスト・シリーズを制作し、ウエブ上に公開しました。
このビデオ・シリーズは、GaNトランジスタ利用のための理論的な下地と設計の基礎の概要を提供することに加え、通信システムやデータ通信システムの DC-DC変換 のように、広く利用されているパワー・エレクトロニクスのアプリケーションにおけるGaNトランジスタ利用の実例を示します。さらに、これらの優れたデバイスが、 ワイヤレス・パワー伝送 や RF包絡線追跡のような新たに出現したアプリケーションを、どのように可能にするのか、の例を示します。
このシリーズの第1弾は、「GaNの利用法 1：材料の比較」です。なぜ窒化ガリウムがそのような素晴らしく新しい半導体材料なのか、についての基本的な理解を提供します。これに続く話題はデバイス特性です。実際の設計例を示します。そして、ゲート駆動、レイアウト、熱管理のような設計基準の評価によるeGaN FETの実際のアプリケーションへと続きます。
「このシリーズは、1編当たり10分以下と短く、このビデオは、GaN技術の他に類を見ない利点や、電力変換システムでGaNトランジスタを動作させることの複雑さを設計者が理解する助けとなるでしょう。最も重要なことは、各ビデオは、設計エンジニアの学習曲線を加速させ、GaNパワー・トランジスタの高速スイッチング周波数と高性能という最大の利点を引き出す能力を向上させるでしょう」とEPCのCEO（最高経営責任者）兼共同創立者のAlex Lidow（アレックス・リドウ）はコメントしています。
GaNの利用法のビデオ・シリーズは EPCのビデオ・ライブラリ 、または EPC YouTubeビデオ・チャネルで簡単にアクセスできます。
説明者について
説明者のAlex Lidow、Michael DeRooij、Johan Strydom、David Reuschは、エンハンスメント・モードGaNトランジスタを製品化した最初の会社であるEPCに所属しています。説明者全員をまとめると、パワー・トランジスタの設計や応用で75年以上の経験を持っています。4人の説明者はすべて、新たに出現したGaNトランジスタ技術の広範で実務的な経験を備え、科学的学問分野の博士号を取得しています。Lidow博士は、GaNトランジスタの理論とプロセス設計に専念し、Strydom博士、DeRooij博士、Reusch博士は、GaNパワー・トランジスタのアプリケーションに注力しています。
EPCについて
EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）FETを初めて製品化しました。 DC-DCコンバータ、 ワイヤレス・パワー伝送、 包絡線追跡、RF伝送、太陽光発電用マイクロ・インバータ、リモート・センシング技術（LiDAR）、 D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。
電子メールでEPCの最新情報を受け取るための登録： http://bit.ly/EPCupdates で、または22828に「EPC」とテキスティング。
http://twitter.com/#!/EPC_CORPのTwitter、および、http://www.facebook.com/EPC.CorporationのFacebookでEPCを紹介しています。
eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。
報道関係の問い合わせ先
Efficient Power Conversion Corporation Joe Engle, 310.986.0350 [email protected]
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開発基板EPC9016は、40V、33Aのエンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN®）FETの並列動作が特徴で、電流供給能力を67％増やし、最適レイアウト技術が効率を最大化します。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2014年4月17日、eGaN FETを使う大電流、高降圧比のバック型中間バス・コンバータ（IBC）向けにハーフブリッジ構成の開発基板「EPC9016」を製品化しました。この用途では、１個のハイサイド（制御）用電界効果トランジスタ（FET）と比べて、並列接続された2個のローサイド（同期整流）用FETが、はるかに長い期間導通します。
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EPCの共同創立者でCEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、10MHz程度の高周波動作向けに設計し、新たに発表したエンハンスメント・モード（GaN®）HEMTトランジスタのファミリーの評価結果を発表します。このプレゼンテーションでは、これらのデバイスを高信頼性用途に対する理想的な選択にするための放射線被曝下の安定性にも焦点を当てます。
エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN®）・パワー・トランジスタの世界的なリーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2014年3月27日、4月3日に米国サウスカロライナ州チャールストンで開催される第39回の年次Government Microcircuit Applications and Critical Technology（GOMACTech）コンファレンスでプレゼンテーションを行います。
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EPCのエキスパートは、アジアにおいて業界をリードする3つの会議でGaN FET技術の技術的プレゼンテーションを行います ―― Electronica China、IIC China Power Management、およびSemiconductor and International Workshop on Wide Band Gap Power Electronics 2014 in Taiwanの3つです。
エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN®）・パワー・トランジスタの世界的なリーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2014年3月12日、アジアにおける業界をリードする3つのパワー・コンファレンスでプレゼンテーションを行います。
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