パワー・エレクトロニクス業界の会議IEEE APEC 2014で、EPCのアプリケーションの専門家が、シリコン・パワーMOSFETと比べて、GaNトランジスタの優位性を示すGaN FET技術やアプリケーションの技術的なプレゼンテーションを行います。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN^®）・パワーFETの世界的なリーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2014年2月27日、APEC 2014でアプリケーションに焦点を当てた3件の技術発表を行います。高周波の共振コンバータや、高周波ハード・スイッチングのパワー・コンバータの設計に関する発表です。この会議は、3月16日～20日に米国テキサス州フォートワースで開催されます。

耐圧100Vの窒化ガリウムFET「EPC8010」は、3GHz帯における正相増幅の高周波用途向けに最適化されます。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN^®）・パワーFETの世界的なリーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2014年2月20日、高速、高性能トランジスタのファミリーを拡大し、新たにパワー・トランジスタ「EPC8010」を発売しました。半導体チップの形状で販売されるEPC8010は、最大ドレイン-ソース間電圧V_DSが100Vで、面積は、わずか1.75 mm2です。高速スイッチング用に最適化されています。EPC8010のオン抵抗R_DS(on) （内部抵抗）の最大値は160mΩ、入力ゲート電荷は数100ピコ・クーロン（pC）です。

開発基板EPC9013は、耐圧100VのeGaN FETを搭載し、並列構成の4つのハーフブリッジと1個のゲート・ドライバを使う最大出力電流35Aの基板です。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2014年2月4日、耐圧100Vのエンハンスメント・モード（eGaN®）電界効果トランジスタ（FET）のEPC2001を搭載し、並列構成の4つのハーフブリッジと1個のゲート・ドライバを使って、バック（降圧）・モードにおいて最大出力電流35Aで動作する開発基板「 EPC9013 」を製品化しました。この革新的な設計によって、効率を犠牲にせずに、出力電力を高められます。

電力変換システムの設計の中で、電力システム効率を改善し、最終製品の大きさを小型化し、開発費を削減するために、何1000人ものエンジニアが現在利用可能な米ナショナルインスツルメンツ社のMultisim 13.0にEPCの部品モデルが含まれました。

エンハンスメント・モード窒化ガリウムFET技術のリーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド、www.epc-co.com）は2013年12月18日、米ナショナルインスツルメンツ社の回路シミュレーションと設計のソフト Multisimの最新版に、EPCのエンハンスメント・モード窒化ガリウム・トランジスタ（eGaN® FET）のSPICEモデルが含まれたと発表しました。エンジニアは、Multisimツールキットによって、先進的な電力変換システムの用途で重要な部品のパラメータを容易に計算し、変更し、スイープすることができます。

賞を授与された開発基板EPC9005は、耐圧40VのeGaN FET であるEPC2014に基づき、高周波スイッチングの電力変換システムの迅速な設計を促進します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド、www.epc-co.com、www.epc-co.com.cn）は2013年11月22日、開発基板EPC9005が中国の業界誌2誌の賞、すなわち、Electronics Product China誌のトップ10パワー・プロダクト・アワード2013の最適化開発賞と、EDN China誌の中国イノベーション・アワード2013の優秀製品賞を受賞したと発表しました。

「Electronics Product China誌とEDN China誌から業界をリードする製品として認められたことを名誉に思います」と、EPCのCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）は述べました。さらに、「当社のEPC9005基板は、耐圧40VのeGaN FET であるEPC2014に基づき、高周波スイッチングの電力変換システムの迅速な設計を促進します。EPC9005は、十分に解説されたエンジニアリング・サポート資料が完備した既製品で、しかも簡単に接続できる開発基板です」とも語りました。

D級オーディオ・アンプのリファレンス・デザインEPC9106は、高周波スイッチングの窒化ガリウム・パワー・トランジスタを搭載し、プロシューマ品質のサウンドを提供すると同時に、効率の向上、サイズの削減を実現でき、ヒートシンク（冷却器）が不要です。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2013年11月21日、150W、8ΩのD級オーディオ・アンプ用リファレンス・デザイン「 EPC9106」を製品化しました。このデモ・ボードは、ブリッジ接続負荷（BTL：Bridge-Tied-Load）設計を採用し、4つのグラウンド基準のハーフブリッジ出力段で構成され、設計のスケーラビリティと拡張性を備えています。D級オーディオ・システムの音響特性に影響を与える要素のすべてが、eGaN FETベースのシステムで最小化されるか除去されています。

EPC9106は、テキサス・インスツルメンツ社の100Vのハーフブリッジ・ゲート・ドライバ LM5113 と連携するeGaN FET（EPC2016）を搭載しています。この基板は、高音質なサウンドを実現でき、この専用eGaNドライバと一緒に使ったとき、高周波スイッチング動作可能なeGaN FETの特性によって小型化が可能です。高効率なので、EPC9106の設計では、どのようなヒートシンクも、まったく必要ありません。これは、にEMI（電磁干渉）／EMC（電磁環境適合性）放射の低減にも潜在的に貢献します。

eGaN FET、ドライバ、コイル、入出力コンデンサを搭載したパワー・ブロックEPC9106は、面積11mm×11mmと超小型のレイアウトです。小さいにもかかわらず、リファレンス・デザインEPC9106は、150W、8Ωで効率96％、250W、4Ωで効率92％を実現しています。

D級オーディオ用eGaN FETに関して、特にこのデモ・ボードに関して、さらに詳しく知りたい場合は、下記でEPCに連絡することによって、トレーニングを積んだEPCのフィールド・アプリケーション・エンジニアが訪問する日程を設定することができます。

• 米国と欧州：Renee Yawger、+1.908.475.5702 または [email protected]
• アジア太平洋地域：Stephen Tsang、+852.9408.8351 または [email protected]

eGaN FETの設計情報とサポート：

• オーディオ基板EPC9106のライブ・デモ： http://youtu.be/AokgH9AO9eA?t=22m3s
• D級オーディオ用eGaN FETのプレゼンテーション（音声）： http://www.youtube.com/watch?v=g0dZIgfF0-s&feature=youtu.be
• クイック・スタート・ガイド： http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9106_qsg.pdf
• http://epc-co.com/epc/products/gan-fets-and-icsで、EPC2016やすべてのEPCのeGaN のデータシートをダウンロードできます。
• http://epc-co.com/epc/products/demo-boardsから、開発基板やこのほかの設計サポート資料を入手できます。
• http://epc-co.com/epc/DesignSupport.aspxで、eGaN FETのアプリケーション・サポート資料をご覧になれます。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）FETを初めて製品化しました。 DC-DCコンバータ、 ワイヤレス・パワー伝送、 包絡線追跡、RF伝送、太陽光発電用マイクロ・インバータ、リモート・センシング技術（LiDAR）、 D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

電子メールでEPCの最新情報を受け取るための登録： http://bit.ly/EPCupdates で、または22828に「EPC」とテキスティング。
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EPCの一般的なエンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）FETの商用の高鉛版であるEPC2801、EPC2815、EPC2818を製品化

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド、www.epc-co.com）は2013年10月16日、より高い温度のはんだ付けが必要な用途に最適な高鉛はんだ端子を備えたデバイスを発売しました。このEPC2801、EPC2815、EPC2818は、高鉛（鉛95％、スズ5％）のはんだ端子が特徴です。

パワー・システムやRFの設計者は今、低いGHz帯で増幅可能な高性能GaNパワー・トランジスタを利用できるようになったので、シリコンでは達成できない革新的な設計が可能になります。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN^®）・パワーFETの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2013年9月26日、高速、高性能トランジスタのEPC8000ファミリーの製品を拡大しました。

窒化ガリウム・パワー・トランジスタのEPC2018は、DC-DC電力変換やD級オーディオの用途で並外れた特性の高速スイッチングを実現します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド、www.epc-co.com）は2013年9月18日、EPC社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム・パワー・トランジスタのファミリーに、新しい製品「EPC2018」を追加しました。

EPC9107は、高周波スイッチング用eGaNパワー・トランジスタを使って構成した電力変換において、サイズの削減と効率の向上を実現します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion、本社：カリフォルニア州エルセグンド、www.epc-co.com）は2013年6月19日、完全な機能を備えたバック（降圧）型電力変換のデモ回路「EPC9107」を製品化しました。この基板は、9 V～28 Vの範囲の入力を3.3 Vに変換し、最大出力電流15 A、1 MHz動作のバック・コンバータです。米テキサス・インスツルメンツ社の耐圧100 Vのハーフブリッジ・ゲート・ドライバEPC2015と連携するeGaN FET（LM5113）を使っています。このeGaN専用ドライバと組み合わせたとき、EPC9107は、高周波スイッチング用eGaN FETによるサイズの削減と特性の実力を実証します。

デモ・ボードEPC9107は、面積が3インチ（１インチは2.54cm）角で、最適化された制御ループを備えた完全な閉ループのバック・コンバータが搭載されています。eGaN FET、ドライバ、コイル、入／出力コンデンサを含む完全なパワー段は、eGaNドライバLM5113と共にeGaN FETを使って実現できる特性を確かめられ、0.5インチ×0.5インチと超小型にレイアウトしてあります。

開発基板EPC9010は、耐圧100 VのeGaN^® FETであるEPC2016を用いた高周波スイッチングの電力変換システムを迅速に設計するための専用eGaNドライバを搭載しています

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2013年3月14日、高速DC-DC電源、POL（負荷点）コンバータ、D級オーディオ・アンプ、ハード・スイッチングの高周波回路などの用途で、耐圧100 Vのエンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）の電界効果トランジスタ（FET）を使った設計を容易に始められるようにするための開発基板「EPC9010」を製品化しました。

開発基板EPC9010は、最大デバイス電圧100 V、最大出力電流7 Aで、エンハンスメント・モード（eGaN）の電界効果トランジスタ（FET）であるEPC2016を搭載し、ゲート駆動回路と共にハーフブリッジを構成しています。この開発基板の目的は、任意の既存のコンバータに簡単に接続できる単一基板にすべての重要な部品を搭載することで、eGaN FETの評価プロセスを単純化することです。

EPC社は、米Constant Contact社の2012 All Starとして認められる栄誉に浴しました。これは、Constant Contact社の顧客の10％だけが達成した年間認定です。顧客に貢献するために特別の努力をしている企業に授与されます。当社を支えてくれたすべての人に感謝します。当社のニュースレターをまだ受信していない方は、ここ（http://bit.ly/qr28tu）から、リストに登録してください。

パワー・エレクトロニクス業界の会議IEEE APEC（Applied Power Electronics and Exposition Conference）2013において、EPC社のCEO（最高経営責任者）とアプリケーションのエキスパートは、GaN FETの技術とアプリケーションに関する半日セミナーや技術的なプレゼンテーションを行います。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN^®）のパワーFETの世界的なリーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2013年2月25日、APEC 2013において、教育セミナーと、アプリケーションに焦点を当てた数件の技術的なプレゼンテーションを行います。この会議は、3月17日～21日に、米国カリフォルニア州ロングビーチで開催されます。

EPC9004は、米テキサス・インスツルメンツ社のGaN FET専用ゲート・ドライバとeGaN^® FETとを組み合わせて搭載しています。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2013年2月5日、EPC社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）電界効果トランジスタ（FET）を搭載した開発基板「EPC9004」を製品化しました。この基板は、GaN FET向けに最適化され、最近製品化されたゲート・ドライバICによって、シリコン・パワー・トランジスタから、より高性能のeGaN FETへの移行作業が、いかに簡単で費用対効果が高いかを示します。

開発基板EPC9004は、eGaN FETのEPC2012を搭載し、ピーク電圧200 Vで、最大出力電流2 Aのハーフブリッジです。EPC2012は、米テキサス・インスツルメンツ社の高速ゲート・ドライバUCC27611と組み合わせて使っているので、高周波、高性能の電源システムを設計するための時間を短縮し、複雑さを軽減します。

無線充電は、2013年に、パワー・エレクトロニクス業界の急成長分野になるでしょう。主な開発は、昨年、加速し始めました。米PowerPulse誌の編集者によって選ばれた「トップ10」開発は、無線充電の重要なトレンドに焦点を当てており、これは2013年とそれ以降も続くでしょう。

EPC社は、窒化ガリウム・トランジスタの高周波スイッチング能力を利用して、高効率のワイヤレス・パワーのデモ・システムを発表しました。EPC社のeGaN® FETは、高周波、高電圧、大電力で高効率の動作が可能なので、これらのシステムに最適です。EPC社と米WiTricity社が共同開発したこのワイヤレス・パワーのデモ・システムは、6.78 MHzで動作するD級パワー・システムであり、負荷に最大15 W供給することができます。このデモ・システムの目的は、ワイヤレス・パワー技術の評価プロセスを単純化することです。このシステムは、無線エネルギー伝送でデバイスに電力を供給することを実証するために、簡単に接続することができる単一システムに、すべての重要な部品を搭載しています。

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業界のエキスパートが執筆した『GaN Transistors for Efficient Power Conversion』には、窒化ガリウム・トランジスタの理論と応用の両方が記載されています。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2012年12月3日、窒化ガリウム・トランジスタのテキスト『GaN Transistors for Efficient Power Conversion』の簡体字中国語版を出版したと発表しました。このテキストは、電源システムの設計エンジニアに、窒化ガリウムに基づくトランジスタを使って、より高効率な電力変換システムを設計する方法に関する基本的な技術や応用に焦点を当てた情報を提供します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2012年11月15日、中国EDN China誌のInnovation Award 2012のパワー・デバイスとモジュールの分野で、リーディング・プロダクト賞を受賞したと発表しました。8年目となるEDN China 誌のInnovation Award 2012は、エレクトロニクス設計の世界的なエンジニアやマネージャの投票によって革新的な製品と認められるベンチマークとなるイベントです。

「EDN China誌から業界をリードする製品と認められたことを光栄に思います。EPC2012は、シリコン・ベースのMOSFETよりも高性能な代替品として顧客に採用されている当社のeGaN FETファミリーの製品です」とEfficient Power Conversion社のCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）はコメントしています。

技術記者のAshok Bindra氏は、米クリー社とEfficient Power Conversion社が主催する新しい毎月のコラムで、パワー・エレクトロニクスのアプリケーション向けの炭化ケイ素、窒化ガリウム、シリコンのデバイスについて最新の進展を解説します。

http://www.prweb.com/releases/2012/10/prweb10039506.htm

エンハンスメント・モード窒化ガリウムFET技術のリーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2012年10月8日、米EE Times誌の新興ベンチャーのシリコン60社リストに選出されたと発表しました。これらの企業は、技術、ターゲット市場、成熟度、財政状態、投資プロファイル、および経営幹部のリーダーシップなどの基準の組み合わせに基づいて、EE Times誌の編集チームによって選ばれます。

「最もホットな新興エレクトロニクス企業の1社として、EE Times誌に認められたことは非常に光栄です。同誌は「今後も注目すべき新興企業」としています」とEfficient Power Conversion社CEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）はコメントしています。

Efficient Power Conversion（EPC）の市場をリードするeGaN^® FETが中国Electronic Products China誌のトップ10パワー製品賞を受賞

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation）は2012年9月19日、当社のデモ・ボードEPC9102が中国Electronic Products China誌のトップ10 パワー製品賞であるTechnology Breakthrough賞を受賞したと発表しました。