スイッチング速度が速いパワー・トランジスタは、電源の小型化とエネルギー伝送の高効率化を可能にします。実際、設計者は、ヒートシンクの除去によって、ワイヤレス・パワー伝送を可能にする電源などで、まったく新しい形状のパワー段やモジュールを思い浮かべることができます。シリコン基板上に形成した窒化ガリウム（GaN）・トランジスタは、電源を高効率化でき、実装面積の削減に貢献します。

米Electronic Design誌
2016年3月
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EPC社のCEO（最高経営責任者）で共同設立者のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、ブルームバーグ・ラジオで、半導体の世界におけるM＆A（合併と買収）の突風、および、企業全体にわたって、いかにGaNがシリコンを置き換えるか、について説明しています。

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eGaN技術は、5Gの基地局インフラの電力効率に対して、最も重要なソリューションの1つとして期待されています：ピーク値対平均値の比が5Gでは悪化します。現時点で、eGaNパワー・トランジスタは、包絡線追跡を実現できる１つの方法として明らかですが、eGaN技術が進歩するにつれて、今後3〜5年の間に多くのアプリケーションが出現するでしょう。

米EDN誌
Steve Taranovich
2015年7月17日
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EPC社は、無線充電の用途を対象とした新しい製品で、米MIT Technology Review誌の注目を集めています。ワイヤレス・パワー・システムの市場を飛躍させる触媒としてEPC社を認めています。この著者は、普遍的に技術標準を受け入れる必要性を強調しています。「・・・利便性、コスト、効率」が、任意の標準規格が広く採用されるために必要なすべての要因です、というAlex Lidow（アレックス・リドウ）のコメントを引用して、彼の立場を裏付けています・・・

米MIT Technology Review誌
2015年7月15日
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電力変換には、さまざまな電気機器を機能させるために、電気をある形態から別の形態に変換する非常に小型のデバイスを生み出す必要があります。今までは、シリコンが、電力変換処理の好ましい媒体となっていましたが、その効果の限界に達するにつれ、新しい材料への関心が高まってきています。

米Los Angeles Business Journal誌
2015年6月21日
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EPC社のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、PCIM2015において、経口できるX線ピルや、この他のGaNが可能にした機器を紹介します。

米Power Systems Design誌
2015年3月19日
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米Integrated Device Technology（IDT^®）社（NASDAQ：IDTI）は本日、高速、高効率で広く知られている半導体材料である窒化ガリウム（GaN）に基づく技術を開発するために、Efficient Power Conversion（EPC）社との協業を発表しました。この協業の下で、両社は、業界をリードするIDT社のソリューションとEPC社のeGaN^®技術の統合について検討します。

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先週、米国カリフォルニア州エルセグンドに本拠を置くEfficient Power Conversion社は、窒化ガリウムで作ったパワー・トランジスタ2品種を製品化し、シリコンの対応品よりも安価であると発表しました。「シリコンに比べて、本当に高性能で低コストなデバイスは、これが初めてです」とCEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は述べています。さらに、「窒化ガリウムは、聖火を受け取り、今、それを持って走っています」とも語りました

IEEE Spectrum誌
May 8, 2015
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「ムーアの法則は、新しい素材について何かにモーフィング（ある物体から別の物体へと自然に変形する映像をみせること）しています」と半導体業界に長く身を置き、Efficient Power Conversion（EPC）社のCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）は述べています。EPC社は、電子のより良い導電体である窒化ガリウム（GaN）を、シリコンとの置き換えが可能なレベルにし、シリコンを上回る特性と電力効率のメリットを提供しています、とも語りました。GaNは、すでに電力変換と無線通信に使われており、いつかデジタル・チップへの道をたどることができます。「60年ぶりに初めて、小型化というよりも、優れた材料としての有力な候補になります」と語っています。

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米Network World誌
2015年4月17日

チップの進歩は、次々と起こる技術革新の原動力となっています――パソコン、インターネット、スマートフォン、スマートウォッチ、そして、すぐに自動運転車。III-V族の材料に未来を賭けている1つの企業がEfficient Power Conversion社で、最高経営責任者（CEO）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）が率いる34人のスタートアップ企業です。EPC社は、すでに窒化ガリウム（GaN）で作ったIII-V族の層を組み込んだデバイスからの収益で安定に成長しています。2016年か2017年には、コンピュータ・プロセッサで思考を行う論理回路として動作するように、窒化ガリウムの製造プロセスを対応させようとしています。窒化ガリウムの電気的特性のため、従来のシリコンを超えて、「すぐに、何1000倍もの潜在的な改善を実現できます」とも語っています。

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米CNET.com誌
2015年4月17日

米VentureBeat誌のDean Takahashi氏がAlex Lidow（アレックス・リドウ）を紹介：シリコン・チップは、現代のエレクトロニクスの基盤として数10年の長きにわたって利用されています。しかし、化合物材料の窒化ガリウム（GaN）に基づく新しい種類のチップは、高性能、低消費電力、低コストなので、シリコンの座を奪うとみられています。

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米VentureBeat誌
2015年4月2日

60年ぶりに出現した新しい高性能の半導体技術は、対抗するシリコンよりも安価に製造することができます。窒化ガリウム（GaN）は、トランジスタ性能の飛躍的な向上と、シリコンよりも低コストで製造できることの両方が実証されています。GaNトランジスタは、従来のいかなるトランジスタよりも、高電圧、大電流を高速にスイッチングできる能力によって、新しいアプリケーションへの束縛を解き放ちます。この並はずれた特性は、未来を変えることができる新しいアプリケーションを牽引しています。これは、ほんの始まりにすぎません。

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米EDN誌
By: Alex Lidow
2015年1月

テクニクスが帰ってきた。パナソニックは、6年ぶりに、この高く評価されたブランドから最初の新しいハイファイ製品を発表しました。この新しいリファレンス・クラスのシステムは、ステレオ・パワー・アンプ、ネットワーク・オーディオ制御プレーヤ、スピーカ・システムの3つのコンポーネントで構成されています。このアンプは、初期のジッターやニップ・ノイズを除去するJENO（Jitter Elimination and Noise-shaping Optimization）Digital Engine と、周波数位相特性を平坦化するスピーカ負荷適応処理を行うLAPC（Load Adaptive Phase Calibration）を使っています。信号の損失を低く抑え込み、独自のデジタル・リンク入力、アナログXLR入力、アナログRCA入力、バイ・ワイヤリング（Bi-wiring）のスピーカ端子、および、安定化電源（silent linear power supply）を備え、高速スイッチング用のGaNを搭載しています。

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窒化ガリウム（GaN） FETは、電圧レギュレータやDC-DC電源において、シリコン・パワー・デバイスを置き換える準備を整えています。GaN FETのスイッチング速度は非常に高速で、オン抵抗R_DS(on)はシリコンMOSFETよりも低くなっています。これは、より高い電力効率の電源の実現につながり、私たちのすべてにとって素晴らしいことです。もし、あなたがGaNデバイスでパワー回路を設計しているなら、デバイスのスイッチング速度を把握することが必要です。

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米市場調査会社The Information Networkによると、SiCとGaNのパワー半導体市場は、2011年と2017年の間に年平均成長率（CAGR）63％で成長し、約5億米ドルに達すると予想されています。

米Compound Semiconductor誌
2014年10月
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GaNオン・シリコンFETでパワー・デバイス市場に押し寄せる意図、EPC社のAlex Lidow（アレックス・リドウ）が将来の市場機会について米Compound Semiconductor誌に語りました。

米Compound Semiconductor誌
2014年7月
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全体的にみると、2020年のデバイス市場規模は6億米ドルと推定され、約58万枚×6インチ・ウエハーに換算されます。急増の理由は、2016年が非常に印象的なスタートとなり、電気自動車（EV）／ハイブリッド車（HEV）が2018年～2019年にGaNを採用し始めるというシナリオに基づいて、2020年までの年平均成長率（CAGR）を80％と推定しています。電源／PFC部門が2015年から2018年までのビジネスの主流で、最終的には、デバイス売上高の50％を占めます。その後、自動車が追いつくでしょう。

市場調査会社の仏Yole Développement社
2014年6月
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窒化ガリウム（GaN）ベースのパワー・デバイスは、シリコン・パワー・デバイスの能力を超える周波数とスイッチング速度で動作可能なので急速に採用されてきています。

英Power Electronics Europe誌
By：Alex Lidow博士、Johan Strydom博士、David Reusch博士
2014年6月

APEC 2014が終わりました。今年、米テキサス州フォートワースで開催されたIEEEパワー・エレクトロニクス会議では、印象に残るものが多くありました。その1つは、窒化ガリウム（GaN）・パワー・トランジスタが、興味深い方法で発展していることです・・・。

Electronic Design誌
2014年3月
http://electronicdesign.com/blog/pmbus-gan-and-more-dominate-apec-2014

フランスの調査会社Yole Dévelopmentは今週、報告書「LEDとパワー・エレクトロニクス向けGaNオン・シリコン基板技術」を発表しました。アナリストは、GaNオン・シリコン技術は、パワー・エレクトロニクスのアプリケーションに広く採用されるだろうと信じています。パワー・エレクトロニクス市場は、ACからDC、またはDCからACへの変換のようなアプリケーションに取り組みます。それは常に、より大きい電力と、より高い動作周波数で増加する実質的なエネルギー損失に関係しています。既存のシリコン・ベースの技術は、その限界に達しており、より高い要求を満たすのは難しいでしょう。

http://powerelectronicsworld.net/article/0/79693-yole-power-to-dominate-gan-on-silicon-market.html