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窒化ガリウム（GaN）ベースのパワー・デバイスは、利用される中で成長する大きな可能性を秘めているので、この市場機会は、より多くの新規サプライヤを魅了し続けています。この結果として、GaN技術ベースのパワー・デバイスのメーカーのリストは、着実に拡大しています。
米How2Power誌
2013年6月
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米EEWeb Pulse誌の特別インタビューにEPC社CEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）が登場し、GaNデバイスの幅広い採用に貢献するために越えなければならないステップは何かについて議論します。
米EEWeb Pulse誌
2013年6月
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著者：Alix Paultre、米PSD（Power Systems Design）誌エディトリアル・ディレクタ
日付：2013年3月12日
このポッドキャストでは、GaNデバイスと、そのパワー業界への影響について、Efficient Power Conversion（EPC）社のAlex Lidow（アレックス・リドウ）と話します。EPC社は、エンハンスメント・モード窒化ガリウム・ベースのパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。EPC社は、POL（負荷点）コンバータ、PoE（Power over Ethernet）、サーバーやコンピュータのDC-DCコンバータ、LED（発光ダイオード）照明、携帯電話、RF伝送、太陽光発電用マイクロ・インバータ、D級オーディオ・アンプなどのアプリケーションで、パワーMOSFETの置き換えとして、シリコン・パワーMOSFETよりもデバイス特性が何倍も優れているエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN®） FETを最初に製品化しました。
http://www.powersystemsdesign.com/paultre-on-power---power-gan?a=1&c=6282
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電力変換用途向けのGaN-on-Si技術を商用化するレースは、劇的なペースで続いています。2012年12月の時点で、20社以上の半導体ベンダーが、このレースに参加し、約7社のベンダーのグループによって主導されています。
www.bodospower.com
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2013年1月2日掲載
パワー・エレクトロニクス業界では、GaN技術が、ニッチ市場の外へと拡大しています。最初のGaNトランジスタは、パワー・エレクトロニクス市場でのシェア拡大に成功しています。ベルギーの先端半導体開発機構IMECのSteve Soffels氏、Denis Marcon氏、Stefaan Decoutere氏による記事（www.bodospower.com）から。
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過去数年間、確立したシリコンMOSFETの座を奪う窒化ガリウム（GaN）ベースのパワー・トランジスタに関する話がたくさんありました。新たに出現した窒化ガリウム・オン・シリコン（GaNオン・シリコン）・ベースのパワーFETが、主流の電力変換の領域に参入するまでに、いくらかの時間がかかるかもしれません。しかし、その間に、新たに出現した用途のうちの一握りは、この有望なパワー技術の背中をポンと押す態勢を整えています。信頼性が高く商業的に利用可能なことに加えて、これらの新しい用途を育てているユニークなGaNの特性がいくつかあります。
Ashok Bindra
米How2Power Today誌
2012年12月
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Gallium Nitride transistors have been available since Eudyna and Nitronex first introduced depletion-mode RF transistors in about 2005. Since then many new companies have entered the field with both RF transistors (e.g. RFMD, Triquint, Cree, Freescale, Integra, HRL, M/A-COM, and others), and transistors designed to replace power MOSFETs in power conversion applications (e.g. Transphorm, International Rectifier, GaN Systems, microGaN, and Efficient Power Conversion). This article discusses if this ground swell of activity mean that GaN transistors are ready to replace power MOSFETs, and, if so, why?
By Alex Lidow, Ph.D., CEO, EPC
Power Pulse.Net
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The GaN power device industry has probably generated less than $2.5M revenues in 2011, as only 2 companies (IRF & EPC Corp.) are selling products on the open market. However, the overall GaN activity has seen extra revenues as R&D contracts, qualification tests and sampling for qualified customers was extremely buoyant.
http://www.news10.com/story/17735484/power-gan-2012?clienttype=printable
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With eGaN® FETs' high-performance capabilities, we have seen rapid adoption in applications for efficient DC/DC conversion, POL converters, Class D audio amplifier and high frequency circuits. Texas Instruments’ introduction of the industry's first 100V, half-bridge GaN FET driver (LM5113), optimized for use with enhancement-mode GaN (eGaN) field-effect transistors (FETs),has further propelled such an accelerated adoption pace in applications like high-performance telecom power supplies, networking and datacom centers.
Read articles:
EDN China April 2012 Print Issue
EDN China April 2012
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Written by Peter Clarke - 3/7/2012 2:20 PM EST
LONDON - The market for power devices implemented in gallium nitride was less than $2.5 million in 2011, according to market research firm Yole Developpement (Lyon, France). However, there is a great deal of R&D activity and Yole sees the power GaN market growing to nearly $0 million in 2012 and $500 million in 2016.
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Gallium nitride has long been known to have useful properties when it comes to electronic components. Even so, its application has largely been confined to more exotic areas of the industry, particularly rf transistors.
But GaN is beginning to find application in what could be considered the mainstream, with some of its proponents suggesting its arrival could mark the beginning of the end for the traditional power mosfet.
By: Graham Pitcher
New Electronics
December 13, 2011
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Wide-bandgap materials, such as GaN and SiC, are enabling a new generation of power switching devices that switch faster and with fewer losses than the venerable silicon MOSFET, resulting in smaller, more efficient power supplies.
By Margery Conner
EDN
August 25, 2011
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Alex Lidow is interviewed by ECN's Editorial Director, Alix Paultre, on the Tinker's Toolbox, ECN's audio interview website. The interview explores the attributes of GaN technology, applications opened as a result of GaN's superior performance to MOSFETs and reasons for the take-up of eGaN FET products over the past year.
Listen to Interview
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The latest report from Yole Développement “GaN Technologies for Power Electronics Applications: Industry and Market Status & Forecasts” says the Total Accessible Market is $16.6b and is envisioned to be split into Power ICs, Power Discretes and Power Modules.
Compound Semiconductor
October 28, 2010
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The weather was perfect in Chi-town at the Darnell Power Forum but the technologies were hot including a talk by Alex Lidow CEO of Efficient Power Conversion Corp., who discussed why the power industry should consider GaN for improving performance.
By Paul O’Shea
EEBEAT
September 14, 2010
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Due to its advantages GaN will probably become the dominant technology. GaN has a much higher critical electric field than silicon which enables this new class of devices to withstand much greater voltage from drain to source with much less penalty in on-resistance.
By Alex Lidow, PhD
Bodo’s Power Systems
June, 2010
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