EPC社は、米Constant Contact社の2012 All Starとして認められる栄誉に浴しました。これは、Constant Contact社の顧客の10％だけが達成した年間認定です。顧客に貢献するために特別の努力をしている企業に授与されます。当社を支えてくれたすべての人に感謝します。当社のニュースレターをまだ受信していない方は、ここ（http://bit.ly/qr28tu）から、リストに登録してください。

シリコンMOSFETが可能とするよりも効率とスイッチング周波数を高くできるeGaN® FETのようなエンハンスメント・モード窒化ガリウム・ベースのパワー・デバイスの能力が、さまざまな用途で使われています。eGaN FETによって提供されるスイッチングの性能指数（FOM：figure of merit）の改善によって、高い性能を得るためには、パッケージやプリント回路基板のレイアウトの寄生成分が重要になります。この記事の最初のパートでは、スイッチング周波数1 MHz、入力電圧12 V、出力電圧1.2 V、最大出力電流20 Aで動作するeGaN FETおよびMOSFETに基づくPOL（負荷点）コンバータに対して、特性に及ぼす寄生インダクタンスの影響を検討します。

By David Reusch博士、Efficient Power Conversion社のアプリケーション部門ディレクタ

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パワー・エレクトロニクス業界の会議IEEE APEC（Applied Power Electronics and Exposition Conference）2013において、EPC社のCEO（最高経営責任者）とアプリケーションのエキスパートは、GaN FETの技術とアプリケーションに関する半日セミナーや技術的なプレゼンテーションを行います。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN^®）のパワーFETの世界的なリーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2013年2月25日、APEC 2013において、教育セミナーと、アプリケーションに焦点を当てた数件の技術的なプレゼンテーションを行います。この会議は、3月17日～21日に、米国カリフォルニア州ロングビーチで開催されます。

電力変換用途向けのGaN-on-Si技術を商用化するレースは、劇的なペースで続いています。2012年12月の時点で、20社以上の半導体ベンダーが、このレースに参加し、約7社のベンダーのグループによって主導されています。

www.bodospower.com

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EPC9004は、米テキサス・インスツルメンツ社のGaN FET専用ゲート・ドライバとeGaN^® FETとを組み合わせて搭載しています。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2013年2月5日、EPC社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）電界効果トランジスタ（FET）を搭載した開発基板「EPC9004」を製品化しました。この基板は、GaN FET向けに最適化され、最近製品化されたゲート・ドライバICによって、シリコン・パワー・トランジスタから、より高性能のeGaN FETへの移行作業が、いかに簡単で費用対効果が高いかを示します。

開発基板EPC9004は、eGaN FETのEPC2012を搭載し、ピーク電圧200 Vで、最大出力電流2 Aのハーフブリッジです。EPC2012は、米テキサス・インスツルメンツ社の高速ゲート・ドライバUCC27611と組み合わせて使っているので、高周波、高性能の電源システムを設計するための時間を短縮し、複雑さを軽減します。

最初の決戦の記事は、eGaN^® FETがシリコン・デバイスと同様に動作し、同じ基準の特性を使って評価できることを示しました。eGaN FETは、多くの基準で非常に良好な特性が得られますが、eGaN FETの「ボディ・ダイオード」の順方向電圧は、MOSFETの対応品よりも大きく、デッドタイム期間の大きな損失成分になります。ボディ・ダイオードの順方向導通損失だけが、デッドタイムに依存するすべての損失を構成するわけではありません。ダイオードの逆回復と出力容量の損失も重要です。この記事では、デッドタイム管理とデッドタイムのすべての損失を最小化する必要性について議論します。

By Johan Strydom博士、アプリケーション部門バイス・プレジデント、EPCのパワー・エレクトロニクス技術

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無線充電は、2013年に、パワー・エレクトロニクス業界の急成長分野になるでしょう。主な開発は、昨年、加速し始めました。米PowerPulse誌の編集者によって選ばれた「トップ10」開発は、無線充電の重要なトレンドに焦点を当てており、これは2013年とそれ以降も続くでしょう。

EPC社は、窒化ガリウム・トランジスタの高周波スイッチング能力を利用して、高効率のワイヤレス・パワーのデモ・システムを発表しました。EPC社のeGaN® FETは、高周波、高電圧、大電力で高効率の動作が可能なので、これらのシステムに最適です。EPC社と米WiTricity社が共同開発したこのワイヤレス・パワーのデモ・システムは、6.78 MHzで動作するD級パワー・システムであり、負荷に最大15 W供給することができます。このデモ・システムの目的は、ワイヤレス・パワー技術の評価プロセスを単純化することです。このシステムは、無線エネルギー伝送でデバイスに電力を供給することを実証するために、簡単に接続することができる単一システムに、すべての重要な部品を搭載しています。

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2013年1月2日掲載

パワー・エレクトロニクス業界では、GaN技術が、ニッチ市場の外へと拡大しています。最初のGaNトランジスタは、パワー・エレクトロニクス市場でのシェア拡大に成功しています。ベルギーの先端半導体開発機構IMECのSteve Soffels氏、Denis Marcon氏、Stefaan Decoutere氏による記事（www.bodospower.com）から。

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2013年1月2日

この記事では、エンハンスメント・モードGaNトランジスタが、共振型回路の大幅な高効率化を可能にすることと、6.78 MHz帯で動作するワイヤレス・パワー伝送システムの実例を示します。

著者：EPC社CEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）博士、アプリケーション・エンジニアリング部門エグゼクティブ・ディレクタのMichael deRooij博士、アプリケーション・エンジニアリング部門ディレクタのDavid Reusch博士。独Bodo’s Power Systems誌 (www.bodospower.com)。

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過去数年間、確立したシリコンMOSFETの座を奪う窒化ガリウム（GaN）ベースのパワー・トランジスタに関する話がたくさんありました。新たに出現した窒化ガリウム・オン・シリコン（GaNオン・シリコン）・ベースのパワーFETが、主流の電力変換の領域に参入するまでに、いくらかの時間がかかるかもしれません。しかし、その間に、新たに出現した用途のうちの一握りは、この有望なパワー技術の背中をポンと押す態勢を整えています。信頼性が高く商業的に利用可能なことに加えて、これらの新しい用途を育てているユニークなGaNの特性がいくつかあります。

Ashok Bindra
米How2Power Today誌
2012年12月

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By: Sun Changhua
台湾のwww.digitimes.com.tw
2012年12月20日

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振動発電バッテリー「nPower^® PEG」は、ハンドヘルドの電子機器向けの世界初の人力充電器です。米Tremont Electric社のこの製品は、それらのnPower PEG（Personal Energy Generator）にEfficient Power Conversion社のeGaN® FETを使用しています。

http://www.powerpulse.net/story.php?storyID=26832

業界のエキスパートが執筆した『GaN Transistors for Efficient Power Conversion』には、窒化ガリウム・トランジスタの理論と応用の両方が記載されています。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2012年12月3日、窒化ガリウム・トランジスタのテキスト『GaN Transistors for Efficient Power Conversion』の簡体字中国語版を出版したと発表しました。このテキストは、電源システムの設計エンジニアに、窒化ガリウムに基づくトランジスタを使って、より高効率な電力変換システムを設計する方法に関する基本的な技術や応用に焦点を当てた情報を提供します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2012年11月15日、中国EDN China誌のInnovation Award 2012のパワー・デバイスとモジュールの分野で、リーディング・プロダクト賞を受賞したと発表しました。8年目となるEDN China 誌のInnovation Award 2012は、エレクトロニクス設計の世界的なエンジニアやマネージャの投票によって革新的な製品と認められるベンチマークとなるイベントです。

「EDN China誌から業界をリードする製品と認められたことを光栄に思います。EPC2012は、シリコン・ベースのMOSFETよりも高性能な代替品として顧客に採用されている当社のeGaN FETファミリーの製品です」とEfficient Power Conversion社のCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）はコメントしています。

技術記者のAshok Bindra氏は、米クリー社とEfficient Power Conversion社が主催する新しい毎月のコラムで、パワー・エレクトロニクスのアプリケーション向けの炭化ケイ素、窒化ガリウム、シリコンのデバイスについて最新の進展を解説します。

http://www.prweb.com/releases/2012/10/prweb10039506.htm

エンハンスメント・モード窒化ガリウムFET技術のリーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2012年10月8日、米EE Times誌の新興ベンチャーのシリコン60社リストに選出されたと発表しました。これらの企業は、技術、ターゲット市場、成熟度、財政状態、投資プロファイル、および経営幹部のリーダーシップなどの基準の組み合わせに基づいて、EE Times誌の編集チームによって選ばれます。

「最もホットな新興エレクトロニクス企業の1社として、EE Times誌に認められたことは非常に光栄です。同誌は「今後も注目すべき新興企業」としています」とEfficient Power Conversion社CEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）はコメントしています。

これまで、このシリーズでは、ハードおよびソフトの両方のスイッチング用途において、eGaN® FETがシリコンMOSFETを超える特性改善を実現できることを示すことが重要な取り組みでした。すべての場合において、eGaN FETは、MOSFETを超える改善を示しました。eGaN FET対シリコンのパワー決戦シリーズのこの回では、チップ・サイズの最適化プロセスが議論され、特定の結果を示すためにアプリケーション例を使います。

Johan Strydom博士、EPC社のアプリケーション部門バイス・プレジデント
米Power Electronics Technology誌

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Efficient Power Conversion（EPC）の市場をリードするeGaN^® FETが中国Electronic Products China誌のトップ10パワー製品賞を受賞

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation）は2012年9月19日、当社のデモ・ボードEPC9102が中国Electronic Products China誌のトップ10 パワー製品賞であるTechnology Breakthrough賞を受賞したと発表しました。

この記事では、eGaN FETの高い電子密度と非常に低い温度係数が、今日の高性能アプリケーションに必要とされるパワーMOSFETを超える主な優位性となることを示します。高電子密度が優れたオン抵抗RDS(ON)につながり、正の温度係数がチップ内のホット・スポットの発生を抑制し、この結果、優れた安全動作領域（SOA）特性が得られます。

By Yanping Ma博士、EPC社、品質部門のディレクタ
Bodo's Power Systems誌

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eGaN FETは、全動作範囲にわたって正の温度係数を示し、シリコンMOSFETの性能限界を超えます。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation）は2012年9月3日、eGaN FETの製品ライン全体で安全動作領域（SOA）データを公開したと発表しました。事実上、全動作範囲にわたって正の温度係数なので、平均デバイス温度によってのみ制限された正方形のSOAが得られます。