パワー・エレクトロニクス業界の会議IEEE APEC 2014で、EPCのアプリケーションの専門家が、シリコン・パワーMOSFETと比べて、GaNトランジスタの優位性を示すGaN FET技術やアプリケーションの技術的なプレゼンテーションを行います。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN^®）・パワーFETの世界的なリーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2014年2月27日、APEC 2014でアプリケーションに焦点を当てた3件の技術発表を行います。高周波の共振コンバータや、高周波ハード・スイッチングのパワー・コンバータの設計に関する発表です。この会議は、3月16日～20日に米国テキサス州フォートワースで開催されます。

耐圧100Vの窒化ガリウムFET「EPC8010」は、3GHz帯における正相増幅の高周波用途向けに最適化されます。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN^®）・パワーFETの世界的なリーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2014年2月20日、高速、高性能トランジスタのファミリーを拡大し、新たにパワー・トランジスタ「EPC8010」を発売しました。半導体チップの形状で販売されるEPC8010は、最大ドレイン-ソース間電圧V_DSが100Vで、面積は、わずか1.75 mm2です。高速スイッチング用に最適化されています。EPC8010のオン抵抗R_DS(on) （内部抵抗）の最大値は160mΩ、入力ゲート電荷は数100ピコ・クーロン（pC）です。

THD（全高調波歪み）、ダンピング・ファクタ（DF）、T-IMD（相互変調歪み）のような重要な特性パラメータで測定されたオーディオ・アンプによって再生された音の質は、使われたスイッチング・トランジスタの特性によって影響を受けています。D級オーディオ・アンプには、通常はパワーMOSFETを使いますが、エンハンスメント・モードGaN（eGaN）FETによって提供される、より低い導通損失、より速いスイッチング速度、および逆回復損失がないことは、音質の著しい向上、およびヒートシンク（冷却器）を不要にできる高い効率を可能にします。この結果、低コストで構築することができる小さな筐体で、より良い音質のシステムになります。

EEWeb
Alex Lidow
2014年2月

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・トランジスタは、4年以上前から市販されており、成熟したシリコン・パワーMOSFETによって、すでに独占されていた多くの用途に浸透してきています。高共鳴ワイヤレス・パワー伝送、RF包絡線追跡、D級オーディオのような新たに出現した用途では、最新世代のeGaN® FETから得られる多くの利点があります。この記事では、これらの新しい用途において、パワーMOSFETから窒化ガリウム・トランジスタに急速に転換する動きについて考察します。

Power Pulse
Alex Lidow
2014年2月

開発基板EPC9013は、耐圧100VのeGaN FETを搭載し、並列構成の4つのハーフブリッジと1個のゲート・ドライバを使う最大出力電流35Aの基板です。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2014年2月4日、耐圧100Vのエンハンスメント・モード（eGaN®）電界効果トランジスタ（FET）のEPC2001を搭載し、並列構成の4つのハーフブリッジと1個のゲート・ドライバを使って、バック（降圧）・モードにおいて最大出力電流35Aで動作する開発基板「 EPC9013 」を製品化しました。この革新的な設計によって、効率を犠牲にせずに、出力電力を高められます。

高共鳴、疎結合で、6.78MHzのISM帯ワイヤレス・パワー伝送についてのプレゼンテーションです。eGaN FETがどのようにこの技術を可能にしているかを示します。このコラムでは、現在のeGaN FETを使う効率的な無線エネルギー伝送や、電圧モードのD級とE級のアプローチの例を示します。

EEWeb
Alex Lidow、2014年1月26日（日）

以下のメーカーによって発表された新製品の調査：米テキサス・インスツルメンツ社、米アナログ・デバイセズ社、米リニアテクノロジー社、米マキシム・インテグレーテッド社、米インターシル社、米フェアチャイルド社、EPC社、米IR社。Don Tuite氏が共通要素を見つける：これら企業の製品は、顧客のために困難な仕事を行っている。

米Electronic Design誌
Don Tuite
2014年1月6日

電力変換システムの設計の中で、電力システム効率を改善し、最終製品の大きさを小型化し、開発費を削減するために、何1000人ものエンジニアが現在利用可能な米ナショナルインスツルメンツ社のMultisim 13.0にEPCの部品モデルが含まれました。

エンハンスメント・モード窒化ガリウムFET技術のリーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド、www.epc-co.com）は2013年12月18日、米ナショナルインスツルメンツ社の回路シミュレーションと設計のソフト Multisimの最新版に、EPCのエンハンスメント・モード窒化ガリウム・トランジスタ（eGaN® FET）のSPICEモデルが含まれたと発表しました。エンジニアは、Multisimツールキットによって、先進的な電力変換システムの用途で重要な部品のパラメータを容易に計算し、変更し、スイープすることができます。

この回では、ハード・スイッチング・コンバータに戻りますが、シリコン技術の現実的な限界を越えて、より高い周波数へ押し上げます。

EEWeb
Alex Lidow
2013年12月

賞を授与された開発基板EPC9005は、耐圧40VのeGaN FET であるEPC2014に基づき、高周波スイッチングの電力変換システムの迅速な設計を促進します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド、www.epc-co.com、www.epc-co.com.cn）は2013年11月22日、開発基板EPC9005が中国の業界誌2誌の賞、すなわち、Electronics Product China誌のトップ10パワー・プロダクト・アワード2013の最適化開発賞と、EDN China誌の中国イノベーション・アワード2013の優秀製品賞を受賞したと発表しました。

「Electronics Product China誌とEDN China誌から業界をリードする製品として認められたことを名誉に思います」と、EPCのCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）は述べました。さらに、「当社のEPC9005基板は、耐圧40VのeGaN FET であるEPC2014に基づき、高周波スイッチングの電力変換システムの迅速な設計を促進します。EPC9005は、十分に解説されたエンジニアリング・サポート資料が完備した既製品で、しかも簡単に接続できる開発基板です」とも語りました。

D級オーディオ・アンプのリファレンス・デザインEPC9106は、高周波スイッチングの窒化ガリウム・パワー・トランジスタを搭載し、プロシューマ品質のサウンドを提供すると同時に、効率の向上、サイズの削減を実現でき、ヒートシンク（冷却器）が不要です。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2013年11月21日、150W、8ΩのD級オーディオ・アンプ用リファレンス・デザイン「 EPC9106」を製品化しました。このデモ・ボードは、ブリッジ接続負荷（BTL：Bridge-Tied-Load）設計を採用し、4つのグラウンド基準のハーフブリッジ出力段で構成され、設計のスケーラビリティと拡張性を備えています。D級オーディオ・システムの音響特性に影響を与える要素のすべてが、eGaN FETベースのシステムで最小化されるか除去されています。

EPC9106は、テキサス・インスツルメンツ社の100Vのハーフブリッジ・ゲート・ドライバ LM5113 と連携するeGaN FET（EPC2016）を搭載しています。この基板は、高音質なサウンドを実現でき、この専用eGaNドライバと一緒に使ったとき、高周波スイッチング動作可能なeGaN FETの特性によって小型化が可能です。高効率なので、EPC9106の設計では、どのようなヒートシンクも、まったく必要ありません。これは、にEMI（電磁干渉）／EMC（電磁環境適合性）放射の低減にも潜在的に貢献します。

eGaN FET、ドライバ、コイル、入出力コンデンサを搭載したパワー・ブロックEPC9106は、面積11mm×11mmと超小型のレイアウトです。小さいにもかかわらず、リファレンス・デザインEPC9106は、150W、8Ωで効率96％、250W、4Ωで効率92％を実現しています。

D級オーディオ用eGaN FETに関して、特にこのデモ・ボードに関して、さらに詳しく知りたい場合は、下記でEPCに連絡することによって、トレーニングを積んだEPCのフィールド・アプリケーション・エンジニアが訪問する日程を設定することができます。

• 米国と欧州：Renee Yawger、+1.908.475.5702 または [email protected]
• アジア太平洋地域：Stephen Tsang、+852.9408.8351 または [email protected]

eGaN FETの設計情報とサポート：

• オーディオ基板EPC9106のライブ・デモ： http://youtu.be/AokgH9AO9eA?t=22m3s
• D級オーディオ用eGaN FETのプレゼンテーション（音声）： http://www.youtube.com/watch?v=g0dZIgfF0-s&feature=youtu.be
• クイック・スタート・ガイド： http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9106_qsg.pdf
• http://epc-co.com/epc/products/gan-fets-and-icsで、EPC2016やすべてのEPCのeGaN のデータシートをダウンロードできます。
• http://epc-co.com/epc/products/demo-boardsから、開発基板やこのほかの設計サポート資料を入手できます。
• http://epc-co.com/epc/DesignSupport.aspxで、eGaN FETのアプリケーション・サポート資料をご覧になれます。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）FETを初めて製品化しました。 DC-DCコンバータ、 ワイヤレス・パワー伝送、 包絡線追跡、RF伝送、太陽光発電用マイクロ・インバータ、リモート・センシング技術（LiDAR）、 D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

電子メールでEPCの最新情報を受け取るための登録： http://bit.ly/EPCupdates で、または22828に「EPC」とテキスティング。
http://twitter.com/#!/EP 続きを読む

スイッチング周波数10MHz以上での電力変換には、高速トランジスタと、高周波特性の良いパッケージの両方が必要です。eGaN FETは、パッケージと同様に、匹敵するもののないデバイス特性を提供することによって、成熟したパワーMOSFETと比べて、高周波での電力変換特性を改善する能力が実証されています。

Bodo’s Power Systems
寄稿者：Alex Lidow
2013年11月

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・トランジスタは、4年以上の間、市販品を入手可能であり、成熟したシリコン・パワーMOSFETによって以前から独占されていた多くのアプリケーションに浸透してきています。

Power Pulse
寄稿者：Alex Lidow
2013年10月

EPCのDavid Reuschは、エンハンスメント・モードGaN、および、損失を低減することに貢献するパッケージ不要のパッケージについて語ります。

Electronic Products誌
2013年10月
インタビューを見る

EPCの一般的なエンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）FETの商用の高鉛版であるEPC2801、EPC2815、EPC2818を製品化

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド、www.epc-co.com）は2013年10月16日、より高い温度のはんだ付けが必要な用途に最適な高鉛はんだ端子を備えたデバイスを発売しました。このEPC2801、EPC2815、EPC2818は、高鉛（鉛95％、スズ5％）のはんだ端子が特徴です。

eGaN FETのこのファミリーの製品化で、パワー・システムやRFの設計者は今、高性能窒化ガリウム・パワー・トランジスタを利用できるため、シリコンでは達成できない革新的な設計が可能になります。

Bodo's Power Systems誌
2013年10月

この回では、絶縁型DC-DC電力変換に使われる複雑なハード・スイッチング・コンバータが議論されます。

EEWeb
Alex Lidow
2013年10月

米EDN誌のこの記事で、Steve Taranovich氏は、無線通信や他の基地局の送信機で使われる悪名の高い非効率な広帯域パワー・アンプ（PA）の潜在的なシリューションとして、包絡線追跡（ET：envelope tracking）システムを調べています。マルチフェーズ方式バック・コンバータに高速eGaN FETを搭載するETソリューションを調べています。
http://www.edn.com/design/power-management/4422469/Enhancing-the-inefficiency-of-an-RF-power-amp--The-envelope-tracking--ET--system

電子部品の選択、入手可能性、配送の業界のリーダーで、グローバルな電子部品の代理店である米Digi-Key社は本日、窒化ガリウム（GaN）のパワー・マネージメント（電源管理）製品を新たに在庫したと発表しました。Efficient Power Conversion（EPC）との排他的なグローバル販売契約の一部として、即時出荷が可能になります。詳細は http://www.digikey.com/us/en/press-release/epc-gan-global-distribution-agreement.htmlを参照してください。

パワー・システムやRFの設計者は今、低いGHz帯で増幅可能な高性能GaNパワー・トランジスタを利用できるようになったので、シリコンでは達成できない革新的な設計が可能になります。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN^®）・パワーFETの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2013年9月26日、高速、高性能トランジスタのEPC8000ファミリーの製品を拡大しました。