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窒化ガリウム・パワー・トランジスタのEPC2018は、DC-DC電力変換やD級オーディオの用途で並外れた特性の高速スイッチングを実現します。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド、www.epc-co.com）は2013年9月18日、EPC社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム・パワー・トランジスタのファミリーに、新しい製品「EPC2018」を追加しました。
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この回では、高周波バック（降圧型）・コンバータに最適なレイアウトを施すと、スイッチング1 MHzで効率96％以上が得られることについて説明します。
米EEWeb誌
By: Alex Lidow
2013年9月
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このシリーズの前の回では、eGaN® FETの利点、および、シリコンMOSFETで可能とする以上の高い効率と高いスイッチング速度が得られるこのデバイスの可能性について議論しました。この回では、eGaN FETで達成可能な特性を得るために、ドライバとレイアウトの考察について議論します。
米EEWeb誌
By: Alex Lidow
2013年8月
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新しい技術が導入されると、エンジニアは、その新しい技術が提供する特性の優位性を、有効、かつ効率的に利用する方法が直観的に分かるだろう、と考えることは合理的ではありません。すなわち、常に学習曲線があるからです。これは、突然出現した高性能窒化ガリウム・トランジスタ技術の場合にも当てはまります。
Efficient Power Conversion（EPC）社が業界初の商用GaNトランジスタを市販した2010年の中ごろ、一般の電力変換エンジニアリング・コミュニティでGaN FET技術が利用可能になりました。そのとき以来、EPC社は2つの並列の道を歩んでいます。つまり、１つは、製品のポートフォリオを拡張する道、もう１つは、技術の使用に関して電力変換システムの設計エンジニアと共に学習する道です。これらの教育への努力のうちの1つは、米Power Electronics誌の編集者と連携し、GaN技術とそのアプリケーションの特性に関する一連の記事を隔月で掲載することでした。
この連載には、eGaN FET対パワー・シリコンの決戦というタイトルを付けました。この連載の記事は、基礎編と、窒化ガリウム部品を使う特定のアプリケーション編の2編で構成されています。エンジニアが学習曲線を登ることを支援するためのゴールに到達したことを確認するために、16本の記事を簡単に振り返る良いタイミングです。この回顧は、GaN技術の採用を進めるために必要となる更なるトピックと学習は何か、についての洞察を与えるでしょう。そして、学習する必要性には、決して終わりがありません。
By：JOHAN STRYDOM博士、Efficient Power Conversion Corporationのアプリケーション部門バイス・プレジデント
MICHAEL DE ROOIJ博士、Efficient Power Conversion Corporationのアプリケーション・エンジニアリング部門エグゼクティブ・ディレクタ
DAVID REUSCH博士、Efficient Power Conversion Corporationのアプリケーション部門ディレクタn
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パワーMOSFETを使って仕事をしているパワー・システム設計者にとって、エンハンスメント・モードGaNトランジスタにアップグレードすることは簡単です。基礎的な動作特性は、非常に類似していますが、この新しい世代のデバイスから最大の利益を得るために、効率的な設計の中で考慮しなければならない2～3の特性があります。
米EEWeb誌
By: Alex Lidow
2013年7月
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EPC9107は、高周波スイッチング用eGaNパワー・トランジスタを使って構成した電力変換において、サイズの削減と効率の向上を実現します。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion、本社：カリフォルニア州エルセグンド、www.epc-co.com）は2013年6月19日、完全な機能を備えたバック（降圧）型電力変換のデモ回路「EPC9107」を製品化しました。この基板は、9 V～28 Vの範囲の入力を3.3 Vに変換し、最大出力電流15 A、1 MHz動作のバック・コンバータです。米テキサス・インスツルメンツ社の耐圧100 Vのハーフブリッジ・ゲート・ドライバEPC2015と連携するeGaN FET（LM5113）を使っています。このeGaN専用ドライバと組み合わせたとき、EPC9107は、高周波スイッチング用eGaN FETによるサイズの削減と特性の実力を実証します。
デモ・ボードEPC9107は、面積が3インチ（１インチは2.54cm）角で、最適化された制御ループを備えた完全な閉ループのバック・コンバータが搭載されています。eGaN FET、ドライバ、コイル、入／出力コンデンサを含む完全なパワー段は、eGaNドライバLM5113と共にeGaN FETを使って実現できる特性を確かめられ、0.5インチ×0.5インチと超小型にレイアウトしてあります。
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窒化ガリウム（GaN）ベースのパワー・デバイスは、利用される中で成長する大きな可能性を秘めているので、この市場機会は、より多くの新規サプライヤを魅了し続けています。この結果として、GaN技術ベースのパワー・デバイスのメーカーのリストは、着実に拡大しています。
米How2Power誌
2013年6月
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パッケージには、欠点があります。すなわち、抵抗やインダクタンスが余分に増えることによって、特性を劣化させると同時に、実装面積を大きくし、パワーMOSFETの価格を上昇させます。GaN HEMTにおける最善の解決策は、現在主流のシリコンとのコスト競争を可能にする1つのステップとしてパッケージを捨てることだ、とEfficient Power Conversion CorporationのAlex Lidow（アレックス・リドウ）は主張しています。
米Compound Semiconductor誌
2013年6月
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米EEWeb Pulse誌の特別インタビューにEPC社CEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）が登場し、GaNデバイスの幅広い採用に貢献するために越えなければならないステップは何かについて議論します。
米EEWeb Pulse誌
2013年6月
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EPC社CEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）による新たな毎月のコラムの第1回は、GaNオン・シリコンのパワー・デバイスが成熟したパワーMOSFETの優れた代替品になることができるという考察が紹介されます。
米EEWeb.com誌
By: Alex Lidow
2013年6月
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eGaN FETは、パワー・スイッチング・デバイスとして設計され、最適化されましたが、良好なRF特性も備えています。この記事は、RF特性に対する2回シリーズの第1弾で、周波数範囲200 MHz～2.5 GHzのRF特性に焦点を当てています。
著者：Michael de Rooij博士、Efficient Power Conversion社のアプリケーション・エンジニアリング部門エグゼクティブ・ディレクタ
Johan Strydom博士、Efficient Power Conversion社のアプリケーション部門バイス・プレジデント
Matthew Meiller、米Peak Gain Wireless社の社長
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eGaN FET ベースのPOL（負荷点）バック・コンバータ用プリント回路基板のレイアウトを最適化することは、寄生成分を低減するので、従来のMOSFETベースの設計に比べて、効率の向上、スイッチング速度の高速化、デバイスの電圧オーバーシュートの低減につながります。
By David Reusch博士、Efficient Power Conversionのアプリケーション部門ディレクタ
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著者：Alix Paultre、米PSD（Power Systems Design）誌エディトリアル・ディレクタ
日付：2013年3月12日
このポッドキャストでは、GaNデバイスと、そのパワー業界への影響について、Efficient Power Conversion（EPC）社のAlex Lidow（アレックス・リドウ）と話します。EPC社は、エンハンスメント・モード窒化ガリウム・ベースのパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。EPC社は、POL（負荷点）コンバータ、PoE（Power over Ethernet）、サーバーやコンピュータのDC-DCコンバータ、LED（発光ダイオード）照明、携帯電話、RF伝送、太陽光発電用マイクロ・インバータ、D級オーディオ・アンプなどのアプリケーションで、パワーMOSFETの置き換えとして、シリコン・パワーMOSFETよりもデバイス特性が何倍も優れているエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN®） FETを最初に製品化しました。
http://www.powersystemsdesign.com/paultre-on-power---power-gan?a=1&c=6282
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開発基板EPC9010は、耐圧100 VのeGaN® FETであるEPC2016を用いた高周波スイッチングの電力変換システムを迅速に設計するための専用eGaNドライバを搭載しています
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2013年3月14日、高速DC-DC電源、POL（負荷点）コンバータ、D級オーディオ・アンプ、ハード・スイッチングの高周波回路などの用途で、耐圧100 Vのエンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）の電界効果トランジスタ（FET）を使った設計を容易に始められるようにするための開発基板「EPC9010」を製品化しました。
開発基板EPC9010は、最大デバイス電圧100 V、最大出力電流7 Aで、エンハンスメント・モード（eGaN）の電界効果トランジスタ（FET）であるEPC2016を搭載し、ゲート駆動回路と共にハーフブリッジを構成しています。この開発基板の目的は、任意の既存のコンバータに簡単に接続できる単一基板にすべての重要な部品を搭載することで、eGaN FETの評価プロセスを単純化することです。
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直流24 Vのシステムで使われるPOL（負荷点）コンバータの設計者は、伝統的に、コストが高い絶縁型コンバータと、周波数と効率が低いバック（降圧型）・コンバータとの間で決めなければなりませんでした。コンピューティング・システムにおいて一般的な12 VのPOLコンバータと比べて、より高い電圧の24 VのPOLコンバータでは、スイッチ・ノードのリンギングに対応するためにFETの電圧を少なくとも40 Vに高くするので、転流と出力容量COSSの損失が大きくなります。EPC社のeGaN FETは、出力容量を充放電するとき、QGDが非常に小さいので転流損失を低減でき、QOSSが小さいので低損失にできます。さらに、EPC社のeGaN FETのウエハー・レベル・パッケージである革新的なランド・グリッド・アレイ（LGA）は、高周波のパワー・ループとゲート駆動ループの両方ともに超低インダクタンスにできます。最も重要なのは、これらのループに共通の経路は、共通ソース・インダクタンス（CSI）として知られ、電流の転流損失の最小化に役立ちます。eGaN FETの電荷とCSIが小さいことによって、伝統的なMOSFETのように、効率を犠牲にすることなく、周波数をより高くすることで電力密度をより高められます。
David Reusch博士、アプリケーション部門ディレクタ
Stephen L. Colino、セールス＆マーケティング部門バイス・プレジデント
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