最良の設計手法は、プリント回路基板のレイアウトや熱管理も含めて、eGaN FETの利点を利用しています。GaNトランジスタのスイッチング電荷が削減され続けるにつれて、システムの寄生要素も低減されなければなりません。これによって、最大スイッチング速度が得られ、パワー・コンバータで一般的な寄生のリンギングを最小化できます。

米Power Electronics誌
記事を読む

GaNパワー・トランジスタのEPC2049は、POL（負荷点）コンバータ、LiDAR（光による検出と距離の測定）、低インダクタンス・モーター駆動向けに、同等の定格のシリコンMOSFETに比べて面積が1/8と小型の40 V、5 mΩのパワー・トランジスタをパワー・システムの設計者に提供します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2017年12月19日、POL（負荷点）コンバータ, LiDAR（光による検出と距離の測定）、包絡線追跡用電源回路、D級オーディオ、および、低インダクタンスのモーター駆動などのアプリケーションに使えるパワー・トランジスタ「EPC2049」を発売しました。EPC2049の定格電圧は40 V、最大オン抵抗R_DS(on)は5 mΩ、パルス出力電流は175 Aです。

EPCの最新のeGaN^®トランジスタとICのファミリーは、特性が飛躍的に向上すると同時に、現在、MOSFETが使われている新規または既存のアプリケーションのコストを削減します

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2017年9月18日、当社の第5世代（Gen 5）eGaNトランジスタとICのファミリーが、中国Electronic Products China誌 / 21iCメディア の「トップ10パワー製品 ―― 最優秀アプリケーション賞」を受賞したと発表しました。この賞の発表は、中国の北京で開催された21iC Power Conference 2017の会期中に、2017年9月15日に発表されました。

EPCが無線充電用途向けeGaN FETとパワーキットに関するデータ一覧

日経BP社
2017年6月15日
阅读全文

この科学者は、40年前に博士号を取得し、世界のエネルギー消費の15％を一度に節約しました。彼は現在、人類のために、シリコンの代替材料を発見するための革新の旅を続けています。

私の父はいつも、個人の真の価値は、社会への貢献に基づいて評価されると私に教えてくれました。私が1975年に大学院に入学したとき、自分の情熱が半導体分野にあることに気付きました。社会への私の最高の貢献がシリコンの後継者を見つけることから生まれると感じました。私はガリウム砒素で卒業しましたが、1977年に博士号を取得した時点で、ガリウム砒素の見通しは、基本的な材料特性によって、半導体としては限界があるので、私が学んだことのすべてを、シリコンのより良いデバイスを作ることに応用する仕事につぎ込むことにしました。

中国のFortune China誌
2017年6月15日
記事を読む

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN^®）のパワーFETとICの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2017年6月21日、受信機器で使われる標準規格にかかわらず、無線で機器を充電できる低コストのシングル送信アンプのソリューションを可能にしたと発表しました 。

2017年6月28日の午前11時に、中国のShanghai World Expo Exhibition and Convention Centerの会議室2（B2）で開催されるPCIM Asia Exhibition and Conference でパワー・マネージメント（電源管理）に関するEPCのエキスパートを会えます。EPCのアプリケーション・エンジニアリング部門バイス・プレジデントのMichael de Rooij博士は、大出力、高共鳴の無線充電用途向けの顧客指向の設計を実現するための回路構成の選択について技術者向けに説明します。

Kruegerは、EPCの欧州の営業組織を指揮し、最先端の電力変換システムに、eGaN^®のFETと集積回路を採用する顧客を支援します

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2017年6月8日、当社の加速する成長をサポートするために、欧州の営業部門のバイス・プレジデントとして、Wolfram KruegerがEPCのリーダーシップ・チームに加わったと発表しました。Kruegerは、半導体業界で30年以上の営業経験があります。EPCでの主な責務は、欧州全体での当社の販売目標を達成するために、セールスとマーケティングの戦略を作成し、実施することです。彼はドイツのケルンを拠点にしています。

GaNパワー・トランジスタのEPC2046は、ワイヤレス・パワー、マルチレベルのAC-DC電源、ロボット、太陽光発電用マイクロ・インバータなどの電源システム設計者向けで、同等の定格のシリコンMOSFETよりも面積が1/12と小さい耐圧200 V、オン抵抗25 mΩのパワー・トランジスタです。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2017年5月25日、ワイヤレス・パワー、マルチレベルのAC-DC電源、ロボット、太陽光発電用マイクロ・インバータなどのアプリケーションで使えるパワー・トランジスタ「EPC2046」を発売しました。EPC2046の定格電圧は200 V、最大オン抵抗R_DS(on) は25 mΩで、パルス出力電流55 Aを処理できます。

Efficient Power Conversionは、窒化ガリウムのトランジスタや集積回路を使ったワイヤレス・パワーのテーブルトップ（卓上充電器）、高性能LiDAR（光による検出と距離の測定）、48 V入力、1.8 V出力の1段の DC-DC変換、高精度モーター駆動制御など、現在稼働している最終アプリケーションに関して、業界のエキスパートたちが制作した6本のビデオを公開しました。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2017年4月25日、eGaN^® FETとICを使った最終ユーザーのアプリケーションを紹介する6本の短いビデオを制作し、ウエブサイトで公開したと発表しました。これらのビデオは、GaN技術が「私たちの生き方をどのように変えているか」、および、窒化ガリウムのFETとICの高性能を次世代電源システムの設計に組み込むために格闘している電源システムの設計技術者を紹介しています。

EPCのフェーズ9の信頼性レポートでは、GaNにストレスを加えたデバイス-時間の合計が900万を超えても不具合がゼロだったことを報告します。このレポートでは、基板レベルの熱機械的信頼性に焦点を当て、はんだ接合の完全性の予測モデルを初めて記述し、同等のパッケージに収めたデバイスを上回るウエハー・レベルのチップスケール・パッケージ（WLCSP）に収めたGaN技術の優れた信頼性を示しています。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2017年4月12日、基板レベルの厳格な熱機械的信頼性テストの結果をまとめたェーズ9の信頼性レポートを発表しました。 このフェーズ9の信頼性レポートは、EPCの最初の8件のレポートにまとめられた知識ベースをさらに増やし、GaN技術の信頼性に関する情報を研究、学習、共有するという継続的なコミットメントを実証しています。

APEC 2017で、Efficient Power Conversion社によって実証されたGaNアプリケーションの一部を見てください。

米EDN Network
2017年4月3日
記事を読む

APEC 2017で、Efficient Power Conversion（EPC）は、もうすぐ私たちの生き方が変わることを証明しようとして、eGaN技術を使ったアプリケーションを展示しました。

オンライン・ニュースの米Electronics360
2017年3月29日
記事を読む

光による検出と距離の測定（lidar）は、近年、大きく注目されている汎用の光ベースのリモート・センシング技術です。それは、数多くのメディアに登場し、良く知られた電気自動車会社である米テスラモーターズ社のエンジニアリングの選択についての一般的な議論にもつながっています。この記事では、この論争に参加するつもりはありませんが、lidarについてのいくつかの背景を説明し、パワー・エレクトロニクス技術との強いつながりについて議論します。

発行：IEEE Power Electronics Magazine誌 ( Volume: 4, Issue: 1, March 2017 )
記事を読む

Efficient Power Conversion（EPC）社は、入手可能な窒化ガルウム・トランジスタのコストを削減し、チップ面積と実装面積を縮小すると同時に、性能を向上させた第5世代（Gen5）プロセスへの強化によって、シリコンMOSFETのパワー素子に一段と大きな打撃を与えました 。

EPC社のCEO（最高経営責任者）／共同設立者であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）と彼のチームは、再度、努力して彼らの専門知識を活用し、シリコン・デバイスが実現できる以上の性能を必要とする新しい市場に向けて、ユニークなパワー・ソリューションの選択肢を提供します。このチームの技術力と深い理解度は、プロセスの量子力学にまで及び、ソリューションのサイズとコストを削減するだけでなく、より優れた性能も実現しています。

米EDN誌
2017年3月15日
記事を読む

3300億米ドルのシリコン・チップ業界は、あらゆる電子機器の基盤となっています。しかし、多くの合併や買収を促している成熟の新しいレベルに達しているので減速しています。

このため、シリコンの代替材料 ―― 窒化ガリウム（GaN）の業界のパイオニアであり、主たる提唱者であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、彼の時代が来たように感じています。彼の会社であるEfficient Power Conversion（EPC）社は、以前のチップの半分の面積で、大幅に高性能化したeGaNチップの新しい世代を発表しています。

米VentureBeat誌
2017年3月15日
記事を読む

EPCは、パワー・エレクトロニクス応用の世界的な展示会APEC^®2017で、GaN技術の優れた特性が私たちの生き方をどのように変えているかを示す25件以上のデモを展示し、当社のエキスパート達は、GaN FETとICの技術に関する7件の技術プレゼンテーションを行うと発表しました。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2017年3月8日、EPCチームが、3月26日～30日に米国フロリダ州タンパで開催されるAPEC 2017で、窒化ガリウム（GaN）の技術とアプリケーションに関する7件の技術プレゼンテーションを行い、最新のeGaN^®FETとIC、およびeGaN技術によって実現される当社顧客の最終製品を展示すると発表しました。

EPC9126に搭載されている超高速遷移eGaN^®FETは、5 nsと狭い全パルス幅の大電流パルスでレーザー・ダイオードを駆動することができるので、LiDARシステムが検出する精度、解像度、処理速度などの情報品質を向上させます。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2017年1月19日、耐圧100 Vで大電流パルスのレーザー・ダイオード・ドライバ評価基板「EPC9126」を製品化しました。自動運転車の用途で物体を検出するために使われるLiDAR（光による検出と距離の測定）システムでは、検出の速度と精度が重要です。この基板で実証されているように、eGaN FETの高速遷移特性は、同等のMOSFETよりも最大10倍高速にレーザーを駆動するパワー・パルスが得られるので、LiDARシステム全体の特性を向上できます。

このシリーズの前回の論文では、EPCの eGaNウエハー・レベルのチップスケール・パッケージの熱機械的信頼性を取り巻く故障の物理に焦点を当てました。電圧バイアス下での潜在的な故障モードの基本的な理解も重要です。この論文では、窒化ガリウム（GaN）電界効果トランジスタ（FET）のゲート電極に対する電圧バイアスに関連する故障の物理の概要を説明します。ここでは、ゲート制御電圧を指定された限界以上にして、eGaN FETが予想寿命にわたってどのように動作するかを調べる場合について検討します。

米Planet Analog
Chris Jakubiec
2016年11月29日
記事を読む

将来的に、自動運転車は、レーザーに基づく検出技術が必要になり、これらのシステムには、シリコンを打ち負かすことができる新しいタイプの高速トランジスタやチップが必要になります。

これは、Alex Lidow（アレックス・リドウ）の主張です。同氏は、スタンフォード大学で博士号を取得した物理学者、起業家、および、米国カリフォルニア州エルセグンドにある企業Efficient Power Conversion（通称EPC）の共同創立者でCEO（最高経営責任者）です。この会社は、シリコンよりも、より高速に、より効率的に動作する安価な材料によるトランジスタやチップを作っています。

米フォーチュン誌
2016年9月8日
記事を読む

このシリーズの最初の3回は、EPCのエンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）電界効果トランジスタ（FET）と集積回路（IC）のフィールド信頼性の実績とストレス・テストにおける品質を扱いました。文書にまとめられた優れたフィールド信頼性は、デバイスがアプリケーション内で遭遇するとみられる動作条件を網羅するストレス・テストを実施した結果です。同様に重要なのは、予想された動作条件（例えば、データシートのパラメータと安全動作領域）を超えてストレスが加えられたとき、eGaNデバイスにどのように不具合が起こるかの根本的な物理を理解することです。今回は、eGaNのウエハー・レベルのチップスケール・パッケージ（WLCSP）の熱機械的な信頼性を中心とする故障の物理学を深く掘り下げるものになります。

米Planet Analog誌
Chris Jakubiec
2016年9月7日
記事を読む