窒化ガリウムIC：サーバーの電力効率を向上 ―― 無駄な電力、冷却、スペースを削減することは、データセンターのサイズに対する関心事だけにとどまりません。各ラックの範囲内での争いでもあります。そして、ときに、1つの小さな変化でも、大きな違いを生むことがあります。

米TechBeacon
2016年8月2日
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このシリーズの最初の2回では、Efficient Power Conversion（EPC）社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）FETと集積回路（IC）のフィールドにおける信頼性の実績を詳細に報告しました。ストレスに基づく品質試験で、顧客のアプリケーションにおける信頼性を確保することが可能であり、eGaNデバイスの優れたフィールド信頼性が実証されています。この回では、製品を品質認定する前に、EPC社のデバイスに実施されるストレス・テストを検討します。

米Planet Analog
Chris Jakubiec
2016年７月9日
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シリコン・バレーという名称の元になった原料に、有望な新しいライバルが立ちはだかっています―― 窒化ガリウム（GaN）。この新参者は、300億米ドルの半導体電源市場に突入する用意が整っていると言われています。米アップル社（AAPL）のiPhoneの充電器からテスラモーターズ社（TSLA）の高級電気自動車に至るまで「壁にプラグを差し込まない」という市場です。

米Investor's Business Daily紙
2016年7月
July 2016
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カリフォルニア州ミルピタス発のPRNewswire：革新的なパワー・マネージメント（電源管理）と高精度アナログ・ソリューションのリーディング・プロバイダである米インターシル社（NASDAQ：ISIL）は本日、衛星や他の過酷な環境のアプリケーション向けに、窒化ガリウム（GaN）の電力変換ICを含めた市場をリードする耐放射線ポートフォリオを拡張する計画を発表しました。

米PR Newswire誌
2016年5月25日
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Efficient Power Conversion（EPC）社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN®）のFETと集積回路（IC）は、LiDAR（光による検出と距離の測定）、無線充電、DC-DC変換、RF基地局の送信、衛星システム、オーディオ・アンプなどの多くの最終ユーザーのアプリケーションへの道筋を見つけています。

フィールドの信頼性は、顧客のアプリケーションに採用されているeGaN^® FETとICの品質レベルを裏付ける究極の評価基準です。最初の採用については、量産出荷の6年間、および全体で170億デバイス時間以上の記録を含めて、eGaN FETのフィールド信頼性の概要を公表しました。その後の計算された故障件数（FIT：109時間の故障数）が約0.24 FITだったことは、これまでの優れたフィールド信頼性特性を示しています。

米Plant Analog誌
Chris Jakubiec
2016年5月1日
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電力変換向けの最先端のGaNトランジスタやICを使う設計者は、所望の電力変換システム向けに、可能な限り最高のGaNソリューションを検索するためのウエブ・ベースの対話型パラメトリック選択ツールを使えるようになります。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2016年4月20日、EPC社のウエブサイトepc-co.com上に、ユーザーが制御するGaN製品セレクタ検索ツールを公開したと発表しました。 EPC社の顧客とのやり取りの経験に基づいたこのウエブ・ベースの製品セレクタガイドは、以下の電源システムの設計エンジニアに提供されます。

私たちの社会の中で、情報への需要は、かつてない速度で拡大しています。より大量の情報に、より高速にアクセスしたいという傾向は、クラウド・コンピューティングや、あらゆるモノをインターネットでつなぐIoT（Internet of Things）のような技術の出現で、減速の兆しがありません。情報の高速な伝送を可能にするものは、ほとんどのデータが集中するラックやサーバーのラックにあります。

米EEWeb誌
Alex Lidow博士、David Reusch博士、John Glaser博士
2016年3月
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eGaN^® FETの新製品EPC2040は、拡張現実システムや自動運転車における3次元（3D）検出の誘導のために使われるLiDAR（光による検出と距離の測定）など、パルス・レーザーのドライバに依存する用途で分解能と精度を高められる非常に高速かつ一貫性のあるスイッチングを提供します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2016年2月5日、高速が要求される最終用途向けに、高解像度、高速応答時間、高精度を可能にする非常に小型で高速スイッチングの窒化ガリウム・パワー・トランジスタ「EPC2040」を発売しました。全温度範囲にわたってしきい値の安定性が高いため、レーザーが加熱されても高い安定性が得られます。例えば、この製品は、自動運転車の誘導システムや拡張現実プラットフォームの心臓部となる技術であるLiDAR（光による検出と距離の測定）で使われるパルス・レーザーのドライバに最適です。EPC2040の優れた特性によって、これらのシステムの精度を高められ、高解像度化を実現できます。

オン抵抗が小さく、スイッチング速度が速く、熱インピーダンスが小さく、物理的なサイズが小さいという利点を兼ね備えたeGaN FETは、パワー・トランジスタ特性の水準を上げ続けています。GaN技術が発展するにつれて、パワー・トランジスタの特性を急速に向上するだけでなく、コストの大幅な削減も実現しています。GaNデバイスは、新しいアプリケーションを可能にし続けるだけでなく、コスト重視のアプリケーションでもシリコン・パワー・トランジスタを置き換えるでしょう。実際、この最初の兆候は、すでにここにあります。

米Power Systems Design誌
By: Johan Strydom博士
2015年9月26日
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100 V、1 A、550 mΩのエンハンスメント・モード窒化ガリウム・パワー・トランジスタEPC2037は、デジタル論理ICで直接駆動でき、無線充電のD級アンプやE級アンプの用途において、優れた高周波スイッチング特性を実現できます。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年10月6日、EPC社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム・パワー・トランジスタ（eGaN^® FET）・ファミリーの最新の製品として「EPC2037」を発売しました。

120 V、60 mΩでデュアルのエンハンスメント・モード窒化ガリウム・パワー集積回路EPC2110は、ワイヤレス・パワー伝送のE級アンプの用途において、超高速スイッチングの優れた特性を実現できます。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年9月11日、EPC社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム集積回路ファミリーの最新製品「EPC2110」を発売しました。

電子機器のトレンドは、特性を向上させながら継続的に小型化を進めることです。シリコンMOSFET技術が、その理論限界にどんどん近づくと共に、EPC社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）FETが、パワーFETのスイッチング特性を一段と改善するために登場し、これによって、サイズを縮小し、効率を高めることによって、電力密度を新しい次元に高めることが可能です。この記事では、EPC社のeGaN FETの利点を完全に活用するために必要なレイアウトの推奨技術を探ります。

By: Ivan Chan、David Reusch博士
米EEWeb：米Modern Printed Circuits誌
2015年8月
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新しいeGaN^® FET のEPC2039は、超小型パッケージに封止し、高性能、大電力を非常に手頃な価格で提供します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年8月13日、電力密度が高いエンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）デバイスのパワー・トランジスタ「EPC2039」を発売しました。EPC2039は、面積が1.82 mm²と小さく、耐圧80 V、最大電流6.8 Aで、ゲート電圧5 Vのときの最大オン抵抗R_DS(on) は22 mΩです。このGaNパワー・トランジスタは、超小型パッケージで高いスイッチング能力があるため、電力変換システムにおいて性能を向上できます。

GaNパワー・トランジスタのEPC2106は、2 MHz以上でスイッチングするソリューションを電源システムの設計者に提供します。この結果、AM帯域との干渉がなく、フィルタリングのためのコストを削減できるので、低歪みのD級オーディオ向けに最適です。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年8月4日、エンハンスメント・モードGaNトランジスタのモノリシック・ハーフブリッジ「EPC2106」を発売しました。2個のeGaN®パワーFETを集積して単一のデバイスにすることによって、デバイス間の相互接続インダクタンスやプリント回路基板上に必要な間隔が排除されます。エンド・ユーザーの電力変換システムの組み立てコストを削減できると同時に、効率（特により高い周波数で）と電力密度の両方を向上できます。

新しいeGaN^®パワー集積回路である EPC2107とEPC2108は、ワイヤレス給電の業界団体A4WPの規格クラス2およびクラス3準拠のソリューション向けに、ハーフブリッジとブートストラップ機能を集積化したモノリシックICです。さらに、これらの部品を素早く、簡単に評価するために、開発基板と、完全なワイヤレス・パワー（無線充電）のソリューション、すなわち送信デバイスと受信デバイスも用意しました。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年7月14日、ブートストラップFET も集積したeGaNのハーフブリッジ・パワー集積回路の「EPC2107（耐圧100 V）」と「EPC2108 （60 V）」を製品化しました。ハイサイド・クランプの必要がなく、逆回復損失を生じるゲート・ドライバも不要です。eGaNパワー回路にブートストラップFETも集積したデバイスは今回が初めてです。

eGaN^®パワー・トランジスタは、電力変換特性のバーを上げ続けています。低いオン抵抗、低い容量、大電流、および優れた熱特性によって、高い電力密度のコンバータを実現できます。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年5月28日、電力変換特性のバーを上げるeGaN FETを2品種発売しました。2品種とも最大動作温度は150℃で、パルス電流能力は200 A（耐圧150 Vの「EPC2033」）と140 A（200 Vの「EPC2034」）です。用途は、DC-DCコンバータ、DC-DCコンバータやAC- DCコンバータの同期整流、モーター駆動、LED（発光ダイオード）照明、産業用オートメーションなどです。

新しいeGaN^®パワー・トランジスタは、成熟した製造プロセスや組み立てラインとの互換性を強化し、大量生産が容易な高性能でワイド・ピッチのチップスケール・パッケージに収めたEPC社のパワー・トランジスタのポートフォリオを拡張します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年5月21日、ワイド・ピッチの接続レイアウトで設計したeGaN FETを3品種発売しました。これらの製品は、はんだボール・ピッチを1mmに広くしたことが特徴で、EPC社の「リラックス・ピッチ」のデバイス・ファミリーの拡張です。このワイド・ピッチは、実装面積が2.6mm×4.6mmと非常に小さいにもかかわらず、高い電流処理能力を可能にするために、デバイスの下により大きなビアを追加して配置することができます。

eGaN^®パワー・トランジスタの新しいファミリーは、優れた性能、小型化、高い信頼性を提供します――しかもMOSFETの価格で。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年4月29日、シリコンの性能を上回ると同時に、価格で競合できるように設計したeGaNパワー・トランジスタ2品種（耐圧60 Vの「EPC2035」と耐圧100 Vの「EPC2036」）を発売しました。価格、すなわち、シリコンMOSFETの代替品として、GaNトランジスタ普及への最後の壁が崩壊しました。これらの製品は、窒化ガリウムが、シリコン半導体を置き換えることが可能で、この業界がムーアの法則の成長曲線に戻ることに貢献できることを実証しています。

この新しい耐圧100 VのハーフブリッジEPC2104によって、EPC2104を使う完全なバック（降圧型）・コンバータのシステム効率は、48 Vから12 Vに変換するときに、スイッチング周波数300 kHz、22 A出力で97％以上、500 kHz、22 Aで97％弱が得られます。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年4月16日、耐圧100 Vのエンハンスメント・モードGaNトランジスタのモノリシック・ハーフブリッジ「EPC2104」を発売しました。2個のeGaN^®パワーFETを単一のデバイスに集積することによって、相互接続インダクタンスとプリント回路基板上に必要になるスペースを削減できるので、トランジスタによって占有される基板面積を半分に減らすことができます。さらに、エンド・ユーザーの電力変換システムの組み立てコストを削減できると同時に、（特により高い周波数において）効率を改善し、出力密度を高められます。

新しいGaNパワー・トランジスタEPC2029は、大量生産を容易にするために、より広いピッチのチップスケール・パッケージに封止した高性能な製品で、EPC社のパワー・トランジスタのポートフォリオを拡張します。成熟した製造プロセス、および組み立てラインとの互換性を重視しました。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年4月13日、より広いピッチの接続レイアウトで設計されたeGaN^® FETを発売しました。「リラックス・ピッチ」・デバイスの新しいファミリーの最初の製品である「EPC2029」は、耐圧80 V、最大電流31 AのeGaN FETで、はんだボール・ピッチを1 mmに広げたことが特徴です。ピッチを広げたことによって、デバイスの下に、より大きな追加のビアを配置できるので、非常に小さい実装面積（2.6 mm×4.6 mm）にもかかわらず、大電流を処理することが可能になります。