eGaN FETのこのファミリーの製品化で、パワー・システムやRFの設計者は今、高性能窒化ガリウム・パワー・トランジスタを利用できるため、シリコンでは達成できない革新的な設計が可能になります。

Bodo's Power Systems誌
2013年10月

この回では、絶縁型DC-DC電力変換に使われる複雑なハード・スイッチング・コンバータが議論されます。

EEWeb
Alex Lidow
2013年10月

パワー・システムやRFの設計者は今、低いGHz帯で増幅可能な高性能GaNパワー・トランジスタを利用できるようになったので、シリコンでは達成できない革新的な設計が可能になります。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN^®）・パワーFETの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2013年9月26日、高速、高性能トランジスタのEPC8000ファミリーの製品を拡大しました。

窒化ガリウム・パワー・トランジスタのEPC2018は、DC-DC電力変換やD級オーディオの用途で並外れた特性の高速スイッチングを実現します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド、www.epc-co.com）は2013年9月18日、EPC社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム・パワー・トランジスタのファミリーに、新しい製品「EPC2018」を追加しました。

この回では、高周波バック（降圧型）・コンバータに最適なレイアウトを施すと、スイッチング1 MHzで効率96％以上が得られることについて説明します。

米EEWeb誌
By: Alex Lidow
2013年9月

新しい技術が導入されると、エンジニアは、その新しい技術が提供する特性の優位性を、有効、かつ効率的に利用する方法が直観的に分かるだろう、と考えることは合理的ではありません。すなわち、常に学習曲線があるからです。これは、突然出現した高性能窒化ガリウム・トランジスタ技術の場合にも当てはまります。

Efficient Power Conversion（EPC）社が業界初の商用GaNトランジスタを市販した2010年の中ごろ、一般の電力変換エンジニアリング・コミュニティでGaN FET技術が利用可能になりました。そのとき以来、EPC社は2つの並列の道を歩んでいます。つまり、１つは、製品のポートフォリオを拡張する道、もう１つは、技術の使用に関して電力変換システムの設計エンジニアと共に学習する道です。これらの教育への努力のうちの1つは、米Power Electronics誌の編集者と連携し、GaN技術とそのアプリケーションの特性に関する一連の記事を隔月で掲載することでした。

この連載には、eGaN FET対パワー・シリコンの決戦というタイトルを付けました。この連載の記事は、基礎編と、窒化ガリウム部品を使う特定のアプリケーション編の2編で構成されています。エンジニアが学習曲線を登ることを支援するためのゴールに到達したことを確認するために、16本の記事を簡単に振り返る良いタイミングです。この回顧は、GaN技術の採用を進めるために必要となる更なるトピックと学習は何か、についての洞察を与えるでしょう。そして、学習する必要性には、決して終わりがありません。

By：JOHAN STRYDOM博士、Efficient Power Conversion Corporationのアプリケーション部門バイス・プレジデント
MICHAEL DE ROOIJ博士、Efficient Power Conversion Corporationのアプリケーション・エンジニアリング部門エグゼクティブ・ディレクタ
DAVID REUSCH博士、Efficient Power Conversion Corporationのアプリケーション部門ディレクタn

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パッケージには、欠点があります。すなわち、抵抗やインダクタンスが余分に増えることによって、特性を劣化させると同時に、実装面積を大きくし、パワーMOSFETの価格を上昇させます。GaN HEMTにおける最善の解決策は、現在主流のシリコンとのコスト競争を可能にする1つのステップとしてパッケージを捨てることだ、とEfficient Power Conversion CorporationのAlex Lidow（アレックス・リドウ）は主張しています。

米Compound Semiconductor誌
2013年6月

米EEWeb Pulse誌の特別インタビューにEPC社CEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）が登場し、GaNデバイスの幅広い採用に貢献するために越えなければならないステップは何かについて議論します。

米EEWeb Pulse誌
2013年6月

EPC社CEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）による新たな毎月のコラムの第1回は、GaNオン・シリコンのパワー・デバイスが成熟したパワーMOSFETの優れた代替品になることができるという考察が紹介されます。

米EEWeb.com誌
By: Alex Lidow
2013年6月

eGaN FETは、パワー・スイッチング・デバイスとして設計され、最適化されましたが、良好なRF特性も備えています。この記事は、RF特性に対する2回シリーズの第1弾で、周波数範囲200 MHz～2.5 GHzのRF特性に焦点を当てています。

著者：Michael de Rooij博士、Efficient Power Conversion社のアプリケーション・エンジニアリング部門エグゼクティブ・ディレクタ
Johan Strydom博士、Efficient Power Conversion社のアプリケーション部門バイス・プレジデント
Matthew Meiller、米Peak Gain Wireless社の社長

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商用のDC-DCアプリケーションにおいて、MOSFETの置き換えとして窒化ガリウム（GaN）・デバイスを製品化して以来、3年が経ちました。GaNデバイスの出現によって、これまでMOSFETベースのFETでは達成できなかったアプリケーションが実現可能になると共に、ほとんど想像もつかず、利用されなかった潜在的な新しいアプリケーションを利用可能にするために、GaNデバイス開発者にとって好都合な舞台が設定されています。

EETimes Asia誌
2013年5月16日
http://www.eetasia.com/ART_8800684828_480200_TA_f13f883a.HTM

By: Steve Taranovich、米EDN誌
2013年3月15日

パワー素子におけるリーダーシップを狙ったレースが進化し続けると、2013年半ばから、約半ダースのGaN、Si、SiCのサプライヤが、プロセスの強化、新しいアーキテクチャ、および、新しい選択肢とツールを業界にもたらすだろう最新の機能を明らかにすると業界の専門家は、述べています。 http://www.edn.com/design/power-management/4409627/1/Si-vs--GaN-vs--SiC--Which-process-and-supplier-are-best-for-my-power-design-

著者：Alix Paultre、米PSD（Power Systems Design）誌エディトリアル・ディレクタ
日付：2013年3月12日

このポッドキャストでは、GaNデバイスと、そのパワー業界への影響について、Efficient Power Conversion（EPC）社のAlex Lidow（アレックス・リドウ）と話します。EPC社は、エンハンスメント・モード窒化ガリウム・ベースのパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。EPC社は、POL（負荷点）コンバータ、PoE（Power over Ethernet）、サーバーやコンピュータのDC-DCコンバータ、LED（発光ダイオード）照明、携帯電話、RF伝送、太陽光発電用マイクロ・インバータ、D級オーディオ・アンプなどのアプリケーションで、パワーMOSFETの置き換えとして、シリコン・パワーMOSFETよりもデバイス特性が何倍も優れているエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN^®） FETを最初に製品化しました。

http://www.powersystemsdesign.com/paultre-on-power---power-gan?a=1&c=6282

2013年1月2日

この記事では、エンハンスメント・モードGaNトランジスタが、共振型回路の大幅な高効率化を可能にすることと、6.78 MHz帯で動作するワイヤレス・パワー伝送システムの実例を示します。

著者：EPC社CEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）博士、アプリケーション・エンジニアリング部門エグゼクティブ・ディレクタのMichael deRooij博士、アプリケーション・エンジニアリング部門ディレクタのDavid Reusch博士。独Bodo’s Power Systems誌 (www.bodospower.com)。

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過去数年間、確立したシリコンMOSFETの座を奪う窒化ガリウム（GaN）ベースのパワー・トランジスタに関する話がたくさんありました。新たに出現した窒化ガリウム・オン・シリコン（GaNオン・シリコン）・ベースのパワーFETが、主流の電力変換の領域に参入するまでに、いくらかの時間がかかるかもしれません。しかし、その間に、新たに出現した用途のうちの一握りは、この有望なパワー技術の背中をポンと押す態勢を整えています。信頼性が高く商業的に利用可能なことに加えて、これらの新しい用途を育てているユニークなGaNの特性がいくつかあります。

Ashok Bindra
米How2Power Today誌
2012年12月

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By: Sun Changhua
台湾のwww.digitimes.com.tw
2012年12月20日

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これまで、このシリーズでは、ハードおよびソフトの両方のスイッチング用途において、eGaN® FETがシリコンMOSFETを超える特性改善を実現できることを示すことが重要な取り組みでした。すべての場合において、eGaN FETは、MOSFETを超える改善を示しました。eGaN FET対シリコンのパワー決戦シリーズのこの回では、チップ・サイズの最適化プロセスが議論され、特定の結果を示すためにアプリケーション例を使います。

Johan Strydom博士、EPC社のアプリケーション部門バイス・プレジデント
米Power Electronics Technology誌

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The advantages provided by eGaN FETs in hard switching isolated and non-isolated applications have been addressed previously. Here, we demonstrate the ability of the eGaN FET to improve efficiency and output power density in a soft switching application, compared to what is achievable with existing power MOSFET devices.

By David Reusch, Ph.D., Director of Applications, EPC
Power Electronics Technology

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Superior switching speeds of EPC’s eGaN FETs increases the efficiency of power electronics for highly resonant wireless power transfer.

EL SEGUNDO, Calif.—August 13, 2012 — Efficient Power Conversion Corporation (EPC) today announced a high efficiency wireless power demonstration system utilizing the high frequency switching capability of gallium nitride transistors. eGaN FETs from EPC are an ideal solution for these systems because of their ability to operate efficiently at high frequency, voltage, and power.

Gallium Nitride transistors have been available since Eudyna and Nitronex first introduced depletion-mode RF transistors in about 2005. Since then many new companies have entered the field with both RF transistors (e.g. RFMD, Triquint, Cree, Freescale, Integra, HRL, M/A-COM, and others), and transistors designed to replace power MOSFETs in power conversion applications (e.g. Transphorm, International Rectifier, GaN Systems, microGaN, and Efficient Power Conversion). This article discusses if this ground swell of activity mean that GaN transistors are ready to replace power MOSFETs, and, if so, why?

By Alex Lidow, Ph.D., CEO, EPC
Power Pulse.Net

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