EPC2070は、非常に小さなチップスケール・パッケージに封止し、パルス化した34 Aの電流供給能力がある定格100 V、最大オン抵抗23 mΩのパワー・トランジスタです。この新しいデバイスは、60 W、48 Vのパワー・コンバータ、Lidar（光による検出と距離の測定）、LED（発光ダイオード）照明などのアプリケーションに最適です。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は12月7日、面積が1.1 mm²と超小型で、高効率の電力変換を実現する最大オン抵抗R_DS(on)が23 mΩ、パルス出力電流34 Aで定格100 VのGaNトランジスタ「EPC2070」を発売したと発表しました。.

今日、ブラシレスDC（BLDC）モーターとしても知られる永久磁石モーターは、広く使われており、他のモーターと比べて、1立方インチ当たりのトルク能力が高く、動力が大きくなっています。これまで、シリコン・ベースのパワー・デバイスがインバータの電子機器で支配的でしたが、今日、それらの性能は理論上の限界に近づいてきています。そこで、より高い電力密度の必要性が高まっています。窒化ガリウム（GaN）のトランジスタとICは、これらのニーズを満たすための最高の特性を備えています。

米Power Systems Design誌
2021年11月
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エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN^®）のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は11月5日、eToF™レーザー・ドライバICのEPC21601が権威あるWorld Electronics Achievement Awards（WEAA）のパワー半導体／ドライバICの2021年の製品賞を受賞したと発表しました。

WEAA賞は、世界中の電子産業の革新と発展に、卓越した貢献をした製品を称える賞です。米ASPENCOREのグローバル・シニア業界アナリストと世界中のオンライン・ユーザーで構成される委員会が受賞者を選出します。ASPENCOREは、米EETimes誌や米EDN誌などの雑誌を発行する世界最大の電子産業メディアであり、米SaaSグループです。

地球の大気の外側や宇宙が商用開発に開かれるにつれて、モーターは、さまざまな機能向けに、そこに配置されたシステムにとってますます重要になるでしょう。宇宙向けの製造は避けられないため、モーター（ドライバを含む）は、さらに多くの機能を果たします。同様に重要なことは、これらのモーターを高効率かつ高信頼性で駆動するために選択されたモーター・ドライバです。

米ニュースサイトComponents in Electronics
2021年10月
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EPC9163は、48 Vと12 Vの間の2相双方向コンバータです。マイルドハイブリッド車やバッテリー電源バックアップ・ユニット向けの小型ソリューションで、効率96.5％で2 kWを供給できます。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は11月2日、非常に小さな面積であり、かつ効率96.5％で動作する2 kWで48 Vと12 Vの間の2相双方向コンバータ「EPC9163」を製品化したと発表しました。このデモ・ボードの設計はスケーラブルです；すなわち、2つのコンバータを並列接続して4 kWにしたり、3つのコンバータを並列接続して6 kWにしたりできます。この基板は、8個の100 VのeGaN^® FET（EPC2218）を搭載しており、米マイクロチップ・テクノロジーの16ビット・デジタル・コントローラdsPIC33CK256MP503を備えたモジュールによって制御されます。

EPCは、耐圧40 V、オン抵抗1.3 mΩのeGaN^® FETであるEPC2067を発売し、高性能でスペースに制約のあるアプリケーション向けに、MOSFETよりも小型、高効率で、信頼性の高いデバイスを提供します。

エンハンスメント・モードの窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は10月27日、eGaN FETの「EPC2067」（標準1.3 mΩ、40 V）を発売し、低電圧の既製の窒化ガリウム・トランジスタの選択肢を拡大したと発表しました。

50 W、12 V入力、60 V出力のeGaN^® FETベースの昇圧型同期コンバータは、シンプルで低コストの構成で、温度上昇が小さく、ピーク効率95.3％を実現します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は10月19日、バック（降圧型）または逆ブースト（昇圧型）の双方向コンバータである「EPC9162」を製品化したと発表しました。このデモ・ボードは、同期コンバータ向けの100 VのEPC2052と、同期ブートストラップFET回路のEPC2038を搭載しています。

LLC共振コンバータの設計は、eGaN FETが現代の電源回路の物理的サイズを、いかに小型化できるかを示します。

英ニュース・サイト米Power Electronic Tips
2021年10月
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窒化ガリウムのFETとICを使ったLidar（光による検出と距離の測定）、DC-DC変換、モーター駆動、低コスト衛星などのGaNデバイスとアプリケーションが、この書籍『GaN devices and applications』の内容の中心です。

エンハンスメント・モードの窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は10月12日、窒化ガリウムの技術とアプリケーションに関する最新情報を求めるプロの技術者、システム設計者、電気工学の学生に向けた貴重な学習資料を発行したと発表しました。

GaNのトランジスタとICは、モーター駆動用途の電力密度を高めます。最適なレイアウト・アプローチによって、レッグ・シャントまたは同相シャントのいずれかから、リンギングのない出力スイッチング波形と、きれいな電流再構成信号が得られます。

米ニュース・サイトEEPower
2021年10月
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新しい窒化ガリウム（GaN）のファミリーは、自動運転車や3次元センシング向けの飛行時間（ToF）型アプリケーションを、民生部門や産業部門の全体にわたって供給することを目的としています。EPCのCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、米EE Times誌とのインタビューで、LiDARシステム設計用のeToFレーザー・ドライバのファミリーを低コストで導入することが、LiDARアプリケーションに関してMosfetとどのように競合するかに焦点を当てました。

米ニュース・サイトEEWeb
2021年9月
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EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は9月30日、最新のハイエンドのマルチチャネル・パワー・アンプMaxxシリーズを設計するときの独イノソニックスの大きな懸案だった待機時の消費電力と全体的な効率の改善に対処したと発表しました。従来のシリコンFETから、EPCのeGaN FETである EPC2059に変更することで、待機時の損失を35％削減し、オン抵抗を下げて、全電力効率を5％向上させました。

EPC2059は、オン抵抗6.8 mΩ、耐圧170 Vのエンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）・トランジスタで、ハイエンド・アンプの用途に対して優れたオーディオ性能を提供します。EPC2059の低オン抵抗と低容量によって、高効率化が可能になり、開ループ・インピーダンスが低下するので、過渡相互変調歪み（T-IMD）を低減できます。さらに、高速スイッチング能力と逆回復電荷ゼロによって、出力の直線性が良くなり、クロスオーバー歪みが低減され、全高調波歪み（THD）が小さくなります。

窒化ガリウム（GaN）・パワー半導体は、宇宙用途の過酷な放射線環境における革新を可能にします。

英Electronics Weekly誌
2021年9月
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半導体を放射線の影響から絶縁するために特定の製造プロセスとパッケージングが必要なシリコンとは異なり、GaNデバイスは、その物理的特性と構造によって、宇宙放射線によって引き起こされる損傷に対して大きな耐性があります。EPCのCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）とのインタビューで、Power Electronic News誌は、宇宙用途向けのGaNの特徴を発見しました。

米Power Electronics News誌
2021年9月
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EPCは、耐圧40 V、オン抵抗1.6 mΩのeGaN^® FETであるEPC2069 を製品化し、高性能が要求され、スペースに制約のあるアプリケーション向けに、現在利用可能なデバイスよりも小型、高効率で信頼性の高いデバイスを設計者に提供します。

エンハンスメント・モードの窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は9月21日、eGaN FETの「EPC2069」（標準値1.6 mΩ、40 V）を製品化し、既製品の低耐圧窒化ガリウム・トランジスタの性能を高めたと発表しました。

過去10年間で、コンピュータ、ディスプレイ、スマートフォン、その他の民生用電子機器の各システムは、より薄くなり、さらに強力になりました。この結果、市場は、より高い電力密度を備えたより薄い電源ソリューションに対する需要を増やし続けています。この記事では、定格250 Wの超薄型48 V入力、20 V出力に対して、さまざまな非絶縁型DC-DC降圧構成を採用することの実現可能性を検証します。さまざまな非絶縁型構成の長所と短所、および回路構成がコンバータの損失の大部分を占める２つの部品であるパワー・トランジスタと磁気部品、特にコイルの選択に、どのように影響するかを検証します。この記事では、コイルの損失、コイルのサイズ、およびEMI（電磁干渉）雑音への影響を含む設計のトレードオフを決める要因の調査など、これらの用途向けの薄いコイルを設計するときの課題の詳細な分析も行います。この作業では、超薄型のマルチレベル・コンバータ構成を選択し、構築し、テストしました。このコンバータから得られた実験結果は、98％を超えるピーク効率をもたらす動作設定と部品選択をさらに洗練するために使いました。

Michael de Rooij、 EPC
Quentin Laidebeur、独ウルト・エレクトロニクス

IEEE Power Electronics Magazine誌
2021年9月
（申し込みが必要です）
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データ処理インフラの継続的で急速な成長に伴い、より高い電力レベルが最小の面積で得られることが求められています。

米Power Systems Design誌
2021年9月
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Bodo Arlt氏は、EPCのCEO（最高経営責任者）で共同創立者であるAlex Lidowにインタビューし、GaNの採用とアプリケーションの増加に伴い、この進化する技術の次の大きな市場であると彼が信じていることについて話し合う機会を得ました。

独Bodo’s Power Systems
2021年9月
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独Bodo’s Power Systemsが主催するGaN業界のエキスパートとのラウンド・テーブル。以下のゲストが参加します：

1. Alex Lidow（アレックス・リドウ）、Efficient Power ConversionのCEOで共同創立者
2. Doug Bailey、米パワー・インテグレーションズのマーケティング・アンド・アプリケーション・エンジニアリング部門バイス・プレジデント
3. Dilder Chowdhury、オランダNexperiaのストラテジック・マーケティング、パワーGaN技術部門ディレクタ
4. Tom Ribarich、アイルランドNavitas Semiconductorのストラテジック・マーケティング部門シニア・ディレクタ

窒化ガリウム（GaN）と炭化ケイ素（SiC）は、これらの材料の電子を価電子帯から伝導帯にシフトするために必要なエネルギーに基づいて、ワイド・バンドギャップ（WBG）半導体と呼ばれます。SiCは約3.2 eV、GaNは約3.4 eVですが、シリコンでは、わずか1.1 eVです。WBGの特性によって、適用可能なブレークダウン電圧が高くなり、一部のアプリケーションでは最大1700 Vに達することがあります。5月に開催された今年のデジタルのみのPCIMヨーロッパでは、いくつかの企業がGaNとSiCの最新のイノベーションを示し、WBG技術の方向性についての洞察を提供しました。

米EE Times誌の欧州版
2021年7月
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