根据国家知识产权局官网20204年4月2日的消息，宜普电源转换公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC，以下简称宜普公司）一件名为“增强型GaN高电子迁移率晶体管器件及其制备方法”的专利(专利号ZL201080015388.2)的核心权利要求6、9、10、13、14、17、18、22-26在无效程序（案件编号：4W116775）中被维持有效。该件专利的无效请求人是英诺赛科（苏州）科技有限公司（以下简称英诺赛科公司）。

2024年4月2日の中国国家知識産権局（CNIPA）の公式ウエブサイトの情報によると、申立人の中国Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd.（「Innoscience」）が請求した無効手続き中（事件番号：4W116775）のEfficient Power Conversion Corp（以下「EPC」）が所有する「Enhancement mode GaN HEMT device and method for fabricating the same」（特許番号：ZL201080015388.2）というタイトルの中国特許の主要な請求項6、9、10、13、14、17、18、および22～26の有効性が担保されました。

パワー半導体は、イーモビリティの多くの分野で使われており、電圧と電流の要件に応じて車両の各部分に適したさまざまな技術が使われると同時に、新しい技術によって、システムの小型化が可能になっています。GaNやSiCの技術が成熟し、価格が低下するにつれて採用が増えており、この技術は、イーモビリティのパワー・トレインや電源システムの設計と開発をますます支配的になっています。

英E-Mobility Engineering誌
2024年3月
記事を読む

宇宙産業は、ユビキタス接続に対する需要の高まりと、革新的なビジネス・モデルの出現によって牽引され、「新しい宇宙」への変革的な移行を経験しています。この変革の重要な要素の1つは、宇宙用途における窒化ガリウム（GaN）技術の採用です。GaNは、その優れた耐放射線性、高いシステム効率、軽量という特性によって、計り知れない可能性を秘めています。

EETimes Europe誌との対談の中で、仏Yole Groupの一部であるYole Intelligenceの技術および市場のアナリストであるTaha Ayari氏とAymen Ghorbel氏は、新しい宇宙、すなわち典型的な衛星の寿命が3年から5年の低い信頼性要件の地球低軌道（LEO：low Earth orbit）ミッション・セグメントが、どのようにGaN採用の焦点になるかを説明しました。この結果、パワーGaNデバイスは、DC/DCコンバータ、POL（負荷点）システム、モーター駆動、イオン・エンジンなどのさまざまな衛星システムに採用されています。

EE Times Europe誌
2023年10月
記事を読む

Efficient Power Conversion（EPC）は、地政学的課題や化合物半導体分野の状況の変化にもかかわらず、GaNについて楽観的です。

台湾のDIGITIMES紙
2023年9月
記事を読む

窒化ガリウム（GaN）半導体の会社Efficient Power Conversion（EPC）は、パワー部品の分野に新たな挑戦をし、長年にわたるシリコンの覇権に挑戦しています。

台湾のDIGITIMES紙
2023年9月
記事を読む

過渡電圧オーバーシュートは、高スルーレートのスイッチング条件下でのGaN高電子移動度トランジスタ（HEMT）でよく見られる現象です。このようなストレス下での動的パラメータの不安定性は、GaNのアプリケーションにとって重要な懸念事項です。この調査では、最大数10億スイッチング・サイクルに及ぶ繰り返し電圧オーバーシュート下でのGaN HEMTの動的オン抵抗（R_DS(on)）の変化を初めて正確に特徴付けました。動的R_DS(on)の増加が、過電圧スイッチング時の主要なデバイス劣化であることが分かりました。このような結果は、アクティブ温度制御と正確なその現場R_DS(on)のモニタリングを備えた高周波、繰り返し、非クランプの誘導スイッチング（UIS：unclamped inductive switching）テストから得られました。動的R_DS(on)ドリフトとピーク過電圧を相関付ける物理ベースのモデルが提案され、実験データとの良好な一致が得られました。このモデルはさらに、GaN HEMTの寿命を予測するために使いました。100 kHz、120 Vのスパイク下でスイッチングした100 V定格のGaN HEMTの場合、このモデルは、25年間の連続動作にわたって、動的R_DS(on)シフトが10%以下であると予測しています。この調査は、GaN HEMTの過電圧スイッチングの信頼性に関する主要な懸念に対処し、電子トラップのメカニズムについての新たな洞察を提供します。

IEEE Xplore
Ruizhe Zhang、Ricardo Garcia、Robert Strittmatter、Yuhao zhang、Shengke Zhange
記事を読む（IEEEの購読が必要です）

2023年7月3日、中国商務省は、今年8月からガリウムやゲルマニウムなどの金属資源の輸出に一定の制限を設けると発表しました。EPCのウエハー技術は、「GaNオン・シリコン」ですが、各デバイスに含まれるガリウムの量は微量です。入手可能なガリウムの供給源は世界中に多くあり、EPCの必要量は比較的少ないため、短期または長期の供給中断はないとみています。

Spirit：Behind the Screenのこのエピソードでは、米Spirit ElectronicsのCEO（最高経営責任者）のMarti McCurdyが、EPCのCEOのAlex Lidow（アレックス・リドウ）およびマーケティング・ディレクタのRenee YawgerとGaNの進歩について話します。彼らは、EPCのフェーズ15の信頼性レポートに詳述されている広範なテスト、故障モード、デバイス寿命だけでなく、強い放射線下でのGaNの性能についても議論しています。GaNの可能性は、まだ探求されておらず、新しいハーフブリッジ・ドライバ、ローサイド・ドライバ、フルパワー段などの新しいEPC製品が次々と製品化されているため、GaNは、特に新宇宙や商業宇宙の用途に役立ちます。

Spirit: Behind the Screen
ポッドキャストを聞く

EPCのGaNのエキスパートたちは、PCIM Europe 2023に参加し、さまざまな実際のアプリケーションで最新世代のGaN FETとICを紹介します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウムのFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は4月25日、5月9日～11日にドイツのニュルンベルグで開催されるPCIM Europe 2023で、GaN技術に関する複数の技術プレゼンテーションを行い、アプリケーションを紹介します（以下の詳細なスケジュールを参照してください）。さらに、展示ホール9、スタンド318で、多種多様なユーザーの最終製品に使われている最新のeGaN^® FETとICをデモします。

米オンライン・サービスEEcosystemのポッドキャストのこのエピソードでは、Efficient Power ConversionのCEO（最高経営責任者）で共同創立者であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）博士がゲストとして登場します。このエピソードでは、Alexについてもっと知り、MOSFETとGaNの台頭について学びます。MOSFETは、どのようにして急速に成長したのか？　GaNの採用を牽引している技術とその理由。GaNの採用に対する潜在的な障害についても説明します。さらに多くの質問は、進行するにつれて答えられます！　詳細については、このエピソードを聞いてください

2023年4月
ビデオを見る

この記事では、GaNベースのパワー段の利点について説明し、ハーフブリッジ構成で実装されたEPCのサンプル・デバイスを紹介します。関連する開発キットを使ってプロジェクトを迅速に開始する方法を説明します。その過程で、設計者はBLDCモーターのパラメータを測定し、米マイクロチップ・テクノロジーのmotorBench開発スイートを使って、最小限のプログラミング作業でセンサーレス・フィールド・オリエンテーション制御（FOC）によって動作させる方法を学びます。

米Digi-Key Electronics
2023年4月
記事を読む

Efficient Power Conversion（EPC）は、定格100 Vと200 Vの 2種の新しいデバイスを製品化しました。これによって、電力変換ソリューション向けの耐放射線（Rad-hard）窒化ガリウム（GaN）製品のファミリーを拡張したので、多数の過酷な宇宙用途や、その他の高信頼性用途に対応できます。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は4月11日、2種の新しい耐放射線GaN FETを製品化したと発表しました。１つは「EPC7020」で、定格200 V、オン抵抗11 mΩ、パルス電流170 Aの耐放射線GaN FETであり、面積が12 mm2と小型です。もう1つの「EPC7003」は、100 V、30 mΩ、パルス電流42 Aの耐放射線GaN FETで、面積は1.87 mm2と超小型です。いずれのデバイスも、総線量の定格が1000K Rad(Si)以上で、定格ブレークダウンの最大100%のドレイン-ソース間電圧VDSで 83.7 MeV/mg/cm²の LET（Linear Energy Transfer）に対するSEE（シングル・イベント効果）耐性があります。これらの新しいデバイスは、このほかの耐放射線（Rad Hard）ファミリーのEPC7019, EPC7014、EPC7004、EPC7018、EPC7007と共に、商用eGaN^® FETとICのファミリーと同じチップスケール・パッケージで提供されます。パッケージ版はEPC Spaceから入手できます。

Efficient Power Conversion（EPC）は、フェーズ15の信頼性レポートを公開し、GaNの信頼性とミッションの耐久性に関する広範な知識ベースを追加します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は4月4日、フェーズ 15の信頼性レポートを公開したと発表しました。これは、故障するまでテストするという方法論を使った継続的な作業を文書化し、太陽光発電のオプティマイザ、Lidar（光による検出と距離の測定）用センサー、DC-DCコンバータなどの実際のアプリケーションに対する特定の信頼性の指標と予測を追加しました。

Efficient Power Conversion（EPC）は、フットプリントの互換性があるePower™ Stage IC のファミリーを拡張して、電力密度を高め、DC-DC用途、モーター駆動、D級オーディオ・アンプのさまざまな電力要件に対応する設計を簡素化します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は3月21日、定格が15 Aの「EPC23104」と25 Aの「EPC23103」の 2種の新しい耐圧100 Vのパワー段 ICを製品化したと発表しました。この2種のデバイスは、EPCが提供する100 V、35 Aのパワー段ICであるEPC23102のシリーズに加わります。

電動パワー・ステアリング（EPS）では、油圧システムが必要な場合にのみ運転者を支援する電気モーターに置き換えられています。デジタル・アシスタンス・コントロールは、運転状況に合わせてオンラインで変更できます。ただし、考慮すべき設計上の制約がいくつかあります。1つは、運転者がタイヤからの感覚的なフィードバックを逃したくないということです。特に、トラックなどの大型車両の場合はそうです。その他の制約は、特に無人搬送車の場合、安全規則によって決定されます。これらの制約によって、効率的で正確な冗長システムを採用する必要があります。窒化ガリウム技術は、これらすべての分野で設計者を支援します。

米Power Electronics News誌
2023年3月
記事を読む

エンハンスメント・モード窒化ガリウムのFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は3月15日、中国のSHARGE Technology（SHARGE）と協力して、電力表示画面を備えた67 W のUSB PD 充電器を設計したと発表しました。このRetro 67急速充電器は、EPCの100 VのGaN FETであるEPC2218を採用しています。このデバイスは、面積が3.5 mm×1.95 mmと小さく、パルス電流231 Aを供給することができ、USB PD規格の急速充電器向けのシリコン MOSFETよりも非常に小型で高効率なデバイスを設計者に提供します。

EPC2218は、SHARGEのすべてのGaN急速充電器に、より高い効率、最先端の電力密度、より低いシステム・コストを提供します。

2010年3月にGaNオン・シリコンのエンハンスメント・モード・パワー・トランジスタが発売されて以来、シリコン・ベースのパワーMOSFETの採用と置き換えに向けて、ゆっくりですが単調なシフトがありました。最初の採用は、Lidar（光による検出と距離の測定）、ハイエンドのオーディオ・アンプ、ロボット、車両のヘッドランプ、高性能DC-DCコンバータなどのアプリケーションのリスクを冒す先見の明のある人々によってもたらされました。電力変換用のGaNの拡大が初期の採用者たちを以外にも広がるためには、WLCP（ウエハー・レベルのチップスケール・パッケージ）よりも使いやすい形を開発する必要がありました。ただし、この形にするためには、小型、低オン抵抗RDS(on)、高速、優れた熱伝導率、および低コストという重要な属性を維持する必要がありました。言い換えれば、最良のパッケージは、技術的に可能な最小容量のパッケージということになります。PQFNを入力してください・・・

独Bodo’s Power Systems
2023年3月
記事を読む

政府による気候変動対策の強化に伴って、自動車メーカーは、早急に新しい技術を活用して、内燃エンジンから電気駆動の自動車に切り替えることで対応しようとしています。この記事では、効率96%を達成し、48 Vのマイルドハイブリッド・システムを対象としたGaN FETを使った2 kW、2相で、48 V/12 Vの間の双方向コンバータの設計を紹介します。

米PSD North America誌
2023年3月
記事を読む 続きを読む

EPCのGaNのエキスパートたちは、APEC期間中に、さまざまな実世界のアプリケーションにおける最新世代の GaN FETとICを紹介します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウムのFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は3月7日、3月19日～23日に米国フロリダ州オーランドで開催される IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition（APEC 2023）のプレミア・パワー・エレクトロニクス・カンファレンスで複数の技術プレゼンテーションを行うと発表しました（以下の詳細なスケジュールを参照）。さらに、Orange County Convention Centerのブース番号732で、高電力密度コンピューティング、イーモビリティ、ロボット、太陽光発電、バッテリー充電など、多くのアプリケーションにおける最新世代のeGaN^® FETとICをデモします。市場で入手可能なGaNパワー半導体の最も幅広いポートフォリオである「Wall of GaN」を見るために、お立ち寄りください。

Efficient Power Conversion（EPC）が製品化した新しい第6世代のデバイスは、同等のシリコンMOSFETの1/5と小型で、前世代のeGaNデバイスの2倍強力です。ビデオでCEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）に聞きました。

エレクトロイクス・ニュース・サイトの独Electroniknet.de
2022年11月29日
ビデオを見る