48 V DC-DC Power Conversion GaN EPC

面向最高性能的48 V DC/DC轉換器的100 V eGaN FET系列

更高效、更小型化、成本更低

新興的運算應用在小很多的外形尺寸需要更高的功率。除了伺服器市場外,其他應用例如多用戶遊戲系統、全自動駕駛車輛及人工智慧等應用,對電源的需求也是與日俱增。

此外,汽車系統逐漸從12 V配電轉為48 V系統。這個改變是由於越來越多電子功能需要更大的功率,以及在全自動駕駛車輛推出後,更多系統例如雷射雷達、雷達、照相機及超聲波感測器,對配電系統要求更大的功率。

這些先進應用對功率轉換器的要求更高,是矽基功率轉換器所不可以配合支援到的。

面向48 V功率轉換器的最新一代100 V氮化鎵元件可以提升轉換器的效率、縮小其尺寸及降低它的成本。

應用簡介 – 面向DC/DC轉換器的eGaN FET及積體電路

應用簡介 – 針對面向汽車DC/DC電源轉換的氮化鎵場效應電晶體及積體電路

索取電子書《面向高功率密度伺服器的eGaN® FET 及積體電路》

Compatible 48V Footprint
EPC2052 Footprint
EPC2045 Footprint
EPC2053 Footprint
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48 V降壓轉換器的效率高於97%
48 V Buck Converter Efficiency > 97%

48 V = GaN-所有採用氮化鎵元件的48 VIN拓撲都可以實現最高效率,

器件型號 配置 VDS RDS(on)
(mΩ)
最大值
@5VGS
QG
(nC)
典型值
QGS
(nC)
典型值
QGD
(nC)
典型值
QOSS
(nC)
典型值
峰值脈衝最大值ID (A)
(25°C,
Tpulse = 300µs)
封裝(毫米) 半橋開發板 48 V
參考設計
How2AppNote
EPC2218 GaN FET
EPC2218 單路 100 3.2 10.5 3.2 1.5 46 231 LGA 3.5 x 1.95 EPC90123
EPC2053 GaN FET
EPC2053 單路 100 3.8 12 4.1 1.5 45 246 BGA 3.5 x 2 EPC9093 300 W 48 V - 12 V, 9 V, 5 V Brick
48 V - 6 V, 900 W LLC
48 V - 12 V, 900 W LLC
EPC2204 GaN FET
EPC2204 單路 100 6 5.7 1.8 0.8 25 125 LGA 2.5 x 1.5 EPC9097
EPC2045 GaN FET
EPC2045 單路 100 7 5.9 1.9 0.8 25 130 BGA 2.5 x 1.5 EPC9078 EPC9141
48 V – 12 V, 10 A
降壓轉換器
48 V - 12 V, 60 A
多相
EPC9205 48 V to 5 - 12 V DC-DC
EPC2052 GaN FET
EPC2052 單路 100 13.5 3.6 1.5 0.5 13 74 BGA 1.5 x 1.5 EPC9092
EPC2051 GaN FET
EPC2051 單路 100 25 1.7 0.6 0.3 7.3 37 BGA 0.85 x 1.3 EPC9091
EPC2207 GaN FET
EPC2207 單路 200 22 4.5 1.3 0.7 23 54 BGA 2.9 x 0.9 EPC90124
EPC2215 GaN FET
EPC2215 單路 200 8 13.6 3.3 2.1 69 162 BGA 4.6 x 1.6 EPC9099
48V size comparision

ePower™ Stage

產品型號 配置 邏輯電路標稱電壓 (V) 輸入電壓最大值 (V)
RDS(on)
(mΩ)
典型值
額定輸出電流 (A) 特色 短路故障保護 TJ
(°C)
最大值
封裝尺寸
(毫米)
開發板
EPC2152 GaN FET
EPC2152 半橋
ePower™ Stage
12 70 10 12.5 電平切換電路、
自舉電路
欠壓閉鎖 150 LGA 3.65 x 2.59 EPC90120

應用筆記及設計資源

DC/DC轉換器手冊