新興的運算應用在小很多的外形尺寸需要更高的功率。除了伺服器市場外，其他應用例如多用戶遊戲系統、全自動駕駛車輛及人工智慧等應用，對電源的需求也是與日俱增。

此外，汽車系統逐漸從12 V配電轉為48 V系統。這個改變是由於越來越多電子功能需要更大的功率，以及在全自動駕駛車輛推出後，更多系統例如雷射雷達、雷達、照相機及超聲波感測器，對配電系統要求更大的功率。

這些先進應用對功率轉換器的要求更高，是矽基功率轉換器所不可以配合支援到的。

面向48 V功率轉換器的最新一代100 V氮化鎵元件可以提升轉換器的效率、縮小其尺寸及降低它的成本。

應用簡介 – 面向DC/DC轉換器的eGaN FET及積體電路

48 V = GaN-所有採用氮化鎵元件的48 V_IN拓撲都可以實現最高效率，

	器件型號	配置	VDS	RDS(on) (mΩ) 最大值 @5VGS	QG (nC) 典型值	QGS (nC) 典型值	QGD (nC) 典型值	QOSS (nC) 典型值	峰值脈衝最大值ID (A) (25°C, Tpulse = 300µs)	封裝（毫米）	半橋開發板	48 V 參考設計	How2AppNote
	EPC2053	單路	100	3.8	12	4.1	1.5	45	246	BGA 3.5 x 2	EPC9093	EPC9138 48 V – 12 V, 20 A 降壓轉換器	48 V - 6 V, 900 W LLC 48 V - 12 V, 900 W LLC
	EPC2045	單路	100	7	5.9	1.9	0.8	25	130	BGA 2.5 x 1.5	EPC9078	EPC9141 48 V – 12 V, 10 A 降壓轉換器	48 V - 12 V, 60 A 多相
											EPC9205	EPC9130 48 V to 12 V, 60 A 五相	48 V to 5 - 12 V DC-DC
	EPC2052	單路	100	13.5	3.6	1.5	0.5	13	74	BGA 1.5 x 1.5	EPC9092
	EPC2051	單路	100	25	1.7	0.6	0.3	7.3	37	BGA 0.85 x 1.3	EPC9091