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美國國際貿易委員會確認宜普電源轉換公司關鍵專利有效 並判定英諾賽科侵犯公司核心專利

美國國際貿易委員會確認宜普電源轉換公司關鍵專利有效 並判定英諾賽科侵犯公司核心專利

此裁決確認了宜普公司對其獨有開創性氮化鎵技術的專利權,該技術對推動人工智能、衛星、仿人機器人和自動駕駛等領域的快速發展至關重要

埃爾塞貢多, 加州 – 2024年7月8日 – 快速成長的創新企業宜普電源轉換公司(Efficient Power Conversion Corporation, EPC,以下簡稱宜普公司)今日宣布其革命性的氮化鎵技術專利在三個月內獲得三次認證,標誌著公司向氮化鎵功率半導體產業的卓越地位更進一步。宜普公司開發的下一代寬禁帶半導體對人工智能、衛星、快速充電器、雷射雷達、仿人機器人以及其他許多變革性技術的發展至關重要。

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GaN積體電路簡化了類人機器人的馬達聯合逆變器設計

GaN積體電路簡化了類人機器人的馬達聯合逆變器設計

電池供電的應用,例如新一代的機器人、無人機和電動工具,需要減少空間並簡化設計以控制電動馬達。優化尺寸和組件可以在不損失效率和性能的情況下,在小空間中包含更多功能,從而實現創新解決方案。EPC ePower™ Stage ICs 技術有助於簡化和改進先進電機控制應用中的逆變器設計。

Bodo’s Power Systems
2024年6月
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USB電力傳輸的進步:氮化鎵技術提升效率與高功率密度

USB電力傳輸的進步:氮化鎵技術提升效率與高功率密度

第一個通用串列匯流排(USB)規範於1996年發布,旨在標準化計算和電信行業的電力供應和連接性[1]。最初支援5伏特電力匯流排,最高可達5安培電流(25瓦特)和12 Mbit/s的最大數據傳輸速率,由於電子設備的普及,USB 已顯著發展,導致對更高電力能力的需求。

Bodo’s Power Systems
2024年5月
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使用EPC新款50V GaN FET設計更高功率密度的USB-C PD應用,尺寸僅為1.8 mm2

使用EPC新款50V GaN FET設計更高功率密度的USB-C PD應用,尺寸僅為1.8 mm2

EPC推出了50V、8.5mOhm的EPC2057 GaN FET,尺寸僅為1.5mm x 1.2mm,為USB-C PD應用提供了更高的功率密度。

加利福尼亞州埃爾塞貢多—2024年6月—EPC是增強型氮化鎵(GaN) 功率FET和IC的全球領導者,推出了50V、8.5mΩ的EPC2057。該GaN FET專為滿足高功率USB-C設備的不斷發展需求而設計,包括消費電子、車載充電和電動出行設備。

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EPC Showcases Cutting-Edge Power Electronics Solutions for Automotive, Robotics, Power Tools, Solar, and More at PCIM Europe 2024

EPC Showcases Cutting-Edge Power Electronics Solutions for Automotive, Robotics, Power Tools, Solar, and More at PCIM Europe 2024

EPC’s GaN Experts will be available during PCIM Europe, showcasing the latest generation of GaN FETs and ICs in a wide variety of real-world applications.

EL SEGUNDO, Calif. — May 2024 — EPC, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride (GaN) FETs and ICs, is proud to announce its participation in PCIM Europe, the international leading exhibition and conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy, and Energy Management. The event, held from 11 June to 13 June in Nuremburg, Germany, brings together industry experts and thought leaders to explore the latest advancements in power electronics and motion control.

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中国国家知识产权局确认宜普电源转换公司氮化镓栅极半导体技术专利有效

中国国家知识产权局确认宜普电源转换公司氮化镓栅极半导体技术专利有效

埃尔塞贡多, 加利福尼亚州 - 2024年5月6日 - 宜普电源转换公司(Efficient Power Conversion Corporation, EPC,以下简称宜普公司)于今日宣布其名为“补偿门极MISFET及其制造方法”的专利(中国专利号ZL201080015425.X)被中国国家知识产权局确认有效,该专利广泛应用于增强型氮化镓半导体器件。

该决定于2024年4月30日作出。此前,中国国家知识产权局还曾于2024年4月2日作出决定,确认宜普公司的名为“增强型氮化镓高电子迁移率晶体管器件及其制备方法”的专利(中国专利号ZL201080015388.2)的核心权利维持有效。这两项专利的无效请求人均为英诺赛科(苏州)科技有限公司(以下简称英诺赛科公司)。

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GaN FET讓您實現高性能D类音频放大器

GaN FET讓您實現高性能D类音频放大器

D類音頻放大器參考設計(EPC9192)讓模組化設計具有高功率和高效,從而可實現客制化、高性能的電路設計。

宜普電源轉換公司(EPC)宣布推出EPC9192參考設計,可實現優越、緊凑型和高效的D類音頻放大器,于接地參考、分離式雙電源單端(SE)設計中發揮200 V eGaN FET元件(EPC2307 )的優勢,在4Ω負載下,每聲道輸出功率達700 W。

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CNIPA Validates Key Claims of EPC’s GaN Power Technology Patent

CNIPA Validates Key Claims of EPC’s GaN Power Technology Patent

根据国家知识产权局官网20204年4月2日的消息,宜普电源转换公司(Efficient Power Conversion Corporation, EPC,以下简称宜普公司)一件名为“增强型GaN高电子迁移率晶体管器件及其制备方法”的专利(专利号ZL201080015388.2)的核心权利要求6、9、10、13、14、17、18、22-26在无效程序(案件编号:4W116775)中被维持有效。该件专利的无效请求人是英诺赛科(苏州)科技有限公司(以下简称英诺赛科公司)。

According to the information on the official website of the China National Intellectual Property Administration (CNIPA) on April 2, 2024, the key claims 6, 9, 10, 13, 14, 17, 18 and 22-26 of the Chinese patent titled “Enhancement mode GaN HEMT device and method for fabricating the same” (Patent No. ZL201080015388.2) owned by Efficient Power Conversion Corp (“EPC”) have been maintained valid during an invalidation procedure (case number: 4W116775), which was requested by the petitioner Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd. (“Innoscience”).

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Cascade of Power

Cascade of Power

Power semiconductors are used across many areas of e-mobility, with different technologies suitable for each part of a vehicle, depending on the voltage and current requirements, while emerging tech is allowing smaller systems to be implemented. With GaN and SiC technologies maturing and coming down in price, adoption is growing, and the technologies are increasingly dominating the design and development of e-mobility powertrain and power systems.

E-Mobility Engineering
March 2024
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氮化鎵元件讓您實現具成本效益的電動自行車、無人機和機器人

氮化鎵元件讓您實現具成本效益的電動自行車、無人機和機器人

基於氮化鎵元件的逆變器參考設計(EPC9193)讓您實現具有更高性能的馬達系統,其續航里程更長、精度更高、扭矩更大,而且同時降低了系統的總成本。

宜普電源轉換公司(EPC)推出 EPC9193,它是使用EPC2619 eGaN® FET的三相BLDC馬達驅動逆變器,具有14 V~65 V的寬輸入直流電壓範圍和兩種配置,分別為標準和大電流版本:

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Forecasting System Reliability in Real-World Mission Profiles in EPC’s Phase 16 Report on GaN Reliability

Forecasting System Reliability in Real-World Mission Profiles in EPC’s Phase 16 Report on GaN Reliability

Efficient Power Conversion (EPC) publishes Phase-16 Reliability Report adding new findings to the extensive knowledge base on GaN reliability and mission robustness.

EL SEGUNDO, Calif.— March 2024 — EPC announces the publication of its Phase-16 Reliability Report, documenting continued work using test-to-fail methodology and adding specific guidelines for overvoltage specifications and improving thermo-mechanical reliability.

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Experts Weigh in on GaN & SiC at APEC 2024

Experts Weigh in on GaN & SiC at APEC 2024

In this video from Power Electronics News, a lineup of distinguished speakers from semiconductor companies shares insights into groundbreaking developments in gallium nitride– and silicon carbide–based power devices.

The GaN speakers address two critical questions shaping the future of wide bandgap:

  1. The significance of substrate material choice for GaN-based power devices. They elaborate on how this choice impacts device performance, reliability and manufacturability and discuss how researchers are tackling substrate-related challenges.
  2. Specific market segments where GaN devices are outperforming traditional silicon-based solutions, driving adoption and revealing the technology direction of their respective companies. The speakers include:
    • Robert Taylor, applications engineer/general manager industrial applications at Texas Instruments
    • Michael de Rooij, VP of applications engineering at EPC
    • Balu Balakrishnan, CEO of Power Integrations

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EPC推出首款具有最低1mOhm導通電阻的GaN FET

EPC推出首款具有最低1mOhm導通電阻的GaN FET

EPC推出採用緊凑型QFN封裝( 3 mm x 5 mm)的100 V、1 mOhm GaN FET (EPC2361),助力DC/DC轉換、快充、馬達控制和太陽能 MPPT等應用實現更高的功率密度。

2024 年 2 月27日 — 全球增强型氮化鎵 (GaN) 功率 FET 和 IC領域的領導者宜普電源轉換公司(EPC)推出 100 V、1 mOhm (EPC2361)。 這是市場上具有最低導通電阻的 GaN FET,與 EPC 的上一代産品相比,功率密度提高了一倍。

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Using GaN FETs with Controllers and Gate Drivers Designed for Silicon MOSFETs

Using GaN FETs with Controllers and Gate Drivers Designed for Silicon MOSFETs

Gallium Nitride (GaN) FETs have revolutionized the power electronics industry, offering advantages such as smaller size, faster switching, higher efficiency, and lower costs compared to traditional silicon MOSFETs. However, the rapid evolution of GaN technology has sometimes outpaced the development of dedicated GaN-specific gate drivers and controllers. Consequently, circuit designers often turn to generic gate drivers designed for silicon MOSFETs, necessitating careful consideration of various factors to ensure optimal performance.

Bodo’s Power Systems
February, 2024
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EPC GaN FET助力DC/DC轉換器實現高功率密度和高效率基準

EPC GaN FET助力DC/DC轉換器實現高功率密度和高效率基準

EPC GaN FET與Analog Devices驅動器和控制器相結合,為客戶簡化氮化鎵基設計、提高其效率、降低散熱成本、助力運算、工業和消費類應用的DC/DC轉換器實現最高功率密度。

宜普電源轉換公司(EPC )宣佈推出採用EPC GaN FET和Analog Devices, Inc.(ADI)控制器的各種参考設計。

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EPC GaN FET可在數奈秒內驅動雷射二極體,實現75~231A脉衝電流、 支援先進的汽車自動化

EPC GaN FET可在數奈秒內驅動雷射二極體,實現75~231A脉衝電流、 支援先進的汽車自動化

宜普電源轉換公司(EPC)推出三款雷射驅動器電路板,這些板採用了符合AEC-Q101認證標準、快速轉換的GaN FET以實現具備卓越性能的光達系統。

EPC推出三款評估板,分別是EPC9179EPC9181EPC9180,它採用75 A、125 A、231 A脉衝電流雷射驅動器和通過車規級AEC-Q101認證的EPC GaN FET - EPC2252EPC2204AEPC2218A。它比前代氮化鎵元件的體積小30%和更具成本效益。這些電路板專為長距離和短距離車載光達系統而設計,通過可選的輸入和輸出值,加快評估氮化鎵基解決方案。

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宜普電源轉換公司將在CES 2024展示基於氮化鎵技術的消費電子應用– 智慧出行、無人機、機器人及其他應用

宜普電源轉換公司將在CES 2024展示基於氮化鎵技術的消費電子應用–  智慧出行、無人機、機器人及其他應用

EPC公司的氮化鎵專家將在國際消費電子展(CES)上分享氮化鎵技術如何增强消費電子產品的功能和性能

增强型氮化鎵(eGaN®)FET和IC領域的全球領導者宜普電源轉換公司(EPC)將在CES 2024展會展示其卓越的氮化鎵技術如何為消費電子產品在功能和性能方面做出貢獻 ,包括實現更高效率、更小尺寸和更低成本的解決方案。

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