在接受《功率电子新闻》的采访时，EPC的电机驱动系统及应用部门主管马可·帕尔马指出，EPC91118支持每相最高15 Arms的三相BLDC电机，输入电压从15伏至55伏直流。值得注意的是，完整的功率级、传感、控制和通信功能都集成在直径为32毫米的电路板上，为电机控制的微型化设定了新的标准。

功率电子新闻
2025年7月
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安多佛, MA – 2025年7月 – EPC Space，一家在抗辐射（RH）氮化镓（GaN）电力器件领域的领导者，宣布推出EPC7C021，这是一款高性能的三相电机演示板，配备了抗辐射EPC7011L7C eGaN® 集成电路。EPC7C021旨在方便评估和系统集成，提供一个用户友好的灵活平台，用于开发如反应和动量轮、离子推进器、机器人及其他在苛刻辐射环境中的自动化电机驱动应用。

尺寸仅为6.50” x 5.22”的EPC7C021是一个功能齐全的评估板，可以作为独立的三相电机驱动器使用，或者与EPC9147A控制器子卡配合使用，实现闭环电机控制。该板包括死区生成电路、电流和电压监控，以及可选的正弦波近似滤波器——非常适合工程师评估GaN在太空和辐射关键应用中的性能。

GaN FET 正在徹底改變電力電子技術 —— 比矽 MOSFET 更快、更小、更便宜。在 2025 年歐洲 PCIM 展會的影片中，EPC 執行長 Alex Lidow 解釋為什麼 GaN 技術如今被用於 AI 伺服器、衛星與機器人。了解寬能隙半導體如何實現比矽高出 10 倍的效能、為什麼在 100-200V 電壓範圍內 GaN 實際上更便宜，以及第七代新器件如何比前幾代小三倍。

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GaN（氮化鎵）FET 正以優異的可靠性徹底改變電力電子技術，優於傳統矽半導體。在 2025 年歐洲 PCIM 展會的影片中，EPC 執行長 Alex Lidow 解釋 GaN 技術在電源轉換應用中的根本優勢。了解為什麼 GaN 器件能在 300°C 高溫下運作，而矽會失效；認識 GaN FET 中不存在 Spirito 效應的原因；並發掘這些寬能隙半導體如何實現太空應用中的抗輻射能力。

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EPC91118 參考設計結合了功率、感測和控制，為機器人關節和無人機提供一種超緊湊的格式。

加州艾爾塞貢多— 2025年7月 — 高效能功率轉換公司（EPC），增強模式氮化鎵（eGaN^®）功率元件的全球領導者，推出了EPC91118，這是首個商業上可獲得的參考設計，整合氮化鎵（GaN）IC技術，用於仿人機器人馬達關節。EPC91118專為空間受限和重量敏感的應用如仿人肢體和緊湊型無人機推進系統而優化，能夠從 15 V 至 55 V DC 輸入，每相提供高達 15 A_RMS，並具有超緊湊的圓形尺寸。

隨著氮化鎵(GaN)技術的不斷成熟，其應用範圍正在擴展到低壓領域——這一領域傳統上由矽MOSFETs主導。在這篇深度文章中，探索GaN在提高效率、減少開關損耗和緊湊型外形方面的優勢，以及它是如何在消費電子、汽車系統和邊緣計算中轉變電力轉換，並開創低壓電力設計創新的新時代。

電子元件
2025年6月
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In this op-ed, Alfred Vollmer explores the accelerating shift from traditional silicon MOSFETs to wide bandgap (WBG) semiconductors—particularly gallium nitride (GaN) and silicon carbide (SiC). GaN devices are conquering more and more terrain that was formerly a pure domain of Silicon MOSFETs.

Bodo’s Power Systems
June 2025
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安多佛, MA – 2025年6月 – EPC Space，一家射线硬化（RH）氮化镓（GaN）功率器件的领导者，宣布推出EPC7030MSH，一款射线硬化（RH）300伏氮化镓（GaN）FET，为高电压、高功率的太空应用提供无与伦比的性能，包括下一代卫星发电站和电推进系统。

随着卫星平台对支持日益增长的功率需求和先进太阳能阵列技术的高电压总线的需求，EPC7030MSH 解决了高效、紧凑和强大前端电力转换的关键需求。

不需散熱片的緊湊型180 W GaN降壓轉換器—適用於USB PD、筆記型電腦和便攜式電源應用。

加州艾爾塞貢多— 2025年6月 — 高效能電源轉換公司（EPC），增強型氮化鎵（eGaN^®）功率器件的世界領導者，宣布推出 EPC91109，這是一款高性能評估板，旨在展示eGaN FETs在一個緊湊、熱效能高效的雙相同步降壓轉換器中的優勢。針對USB電源交付（USB-PD 3.1）應用，功率高達180 W，EPC91109專為空間和功率受限的設計優化，如筆記型電腦、便攜式設備和電池供電系統。

現代電力系統要求更高的效率、增加的功率密度，以及降低電磁干擾（EMI）——同時還需遵守日益縮小的尺寸限制。在解決這些挑戰的轉換器拓撲中，飛行電容多級（FCML）轉換器因其獨特的優勢而脫穎而出。當與氮化鎵（GaN）功率晶體管結合使用時，FCML轉換器提供了前所未有的性能水平，特別是在中壓應用領域，如48伏數據中心電力傳輸、電池管理系統和高效率功率因數校正（PFC）電路中表現出色。

電力系統設計
2025年6月
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EPC9196 是一款針對 96–150 V 電池應用優化的 25 A_RMS、三相 BLDC 馬達驅動變流器

加州艾爾塞貢多 — 2025年1月 — 高效能功率轉換公司 (EPC)，增強模式氮化鎵 (eGaN^®) 功率元件的世界領導者，宣布推出 EPC9196，這是一款高性能的 25 A_RMS、三相 BLDC 馬達驅動變流器參考設計，由 EPC2304 eGaN FET 驅動。EPC9196 專為中壓 (96 V – 150 V) 電池供電的馬達驅動應用而設計，包括自動導引車 (AGVs) 的轉向系統、緊湊型自動車輛的牽引馬達，以及機器人的精密馬達接頭。

在本系列的第一部分中，我們簡要介紹了多級圖騰柱PFC拓撲結構及其如何在伺服器應用中提高功率密度。在這第二部分中，我們將深入探討這種解決方案的設計細節，並展示一個從240 VAC輸入到400 VDC輸出、5 kW PFC系統的實驗結果。

Bodo’s Power Systems
2025年5月
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下一代氮化鎵平台正在推動高密度直流-直流轉換器技術的重大飛躍，相較於傳統的基於矽的解決方案，提供了前所未有的性能改進。在這次演講中，Alex Lidow 探討了 100V 和 40V 氮化鎵裝置的演進，展示了它們在 48V 至 12V 電力轉換中的作用。本環節強調了氮化鎵技術如何革命性地改變電力轉換，為高性能應用中更小、更高效和成本更低的解決方案提供了基礎。

PCIM 技術舞台
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El Segundo, CA — 2025年5月 – 高效能功率轉換公司（EPC），增強模式氮化鎵（GaN）功率晶體管和集成電路的領導者，宣布EPC2366現已上市，這是一款40伏，0.8毫歐姆的裝置，旨在取代高性能DC-DC轉換器和同步整流器等要求嚴苛應用中的傳統低壓硅MOSFET。

擁有業界領先的R_DS(on) x Q_G 優值（10毫歐姆·納庫隆），零反向恢復和出色的熱性能，EPC2366在一個緊湊的3.3毫米 x 2.6毫米PQFN封裝中提供更高的效率、更快的切換和更大的功率密度。EPC2366促使高頻操作和高密度48伏轉換器在AI伺服器和數據通訊、高頻同步整流器以及24伏電池供電的電機驅動器中系統尺寸的縮小。

EL SEGUNDO，加州 — 2025年4月 — EPC，全球領先的增強模式氮化鎵（GaN）基電源解決方案的領導者，將在2025年歐洲PCIM展出其最新的高性能GaN技術進展，該展會將於5月6日至8日在德國紐倫堡舉行。

請來EPC的9號展館，318展位參觀，看看各種基於GaN的電源解決方案，為下一代應用提供動力—從高密度計算到人形機器人的電機驅動，汽車電氣化，以及衛星。現場演示將突出展示EPC最新的GaN FET和IC在實際應用中的表現，強調其相比於矽解決方案在體積更小、效率更高及成本更低的優勢。

本文探討高頻電機驅動器的價值、其優勢以及GaN技術的能力，這些使它們適用於當今的高要求應用。

電子週刊
2025年5月
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EL SEGUNDO，加州— 2025年4月 — 高效功率转换（EPC），增强模式氮化镓（GaN）功率晶体管和集成电路的领导者，推出了EPC91116，这是一款针对汽车和工业感测的间接飞行时间（iToF）应用而设计的高速、高电流激光驱动评估板。该评估板围绕AEC-Q101认证的EPC2203 eGaN^® FET构建，EPC91116提供纳秒级性能，具有灵活、低成本的架构，简化了原型设计并加速了上市时间。

随着iToF系统在汽车驾驶监控、车内感应和3D映射中变得至关重要，设计师需要准备好进行认证和生产的工具。EPC91116通过支持高达10 A的峰值电流、窄至5 ns的脉冲宽度和高达100 MHz的切换速度，满足了这一需求。

本月的How2Power通訊涵蓋了EPC在2025年APEC展會的參與情況。在展會上，EPC展示了一個實物大小的伺服器展示和尖端的基於氮化鎵的電源轉換器，包括一個48 V至12 V LLC參考設計，效率超過95.5%，功率密度>5 kW/in³。首席執行官Alex Lidow還展示了一款超過100 W/in³的緊湊型5 kW AC-DC電源供應器，突顯了GaN對伺服器電源架構的影響。在機器人方面，EPC的人形大使“Greg”和一個用於電機接頭的微型化GaN變頻器展示了為什麼GaN在智能機器的世界中迅速變得不可或缺。

How2Power
2025年4月
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艾爾瑟甘多，加州 – 2025年3月 – EPC宣布在IPR2023-01381案中，美國專利局發布的決定加強了US'294專利，新增了兩項對商業增強模式GaN裝置至關重要的專利請求項。雖然美國專利局也取消了兩項成為ITC對Innoscience侵權決定基礎的權利要求專利請求，EPC將對美國專利局取消其權利要求專利請求提出上訴。歷史上，EPC的專利在包括美國和中國在內的多個司法管轄區得到了維護，這加強了EPC預期最終結果將對其有利。

加州埃爾塞貢多 — 2025 年 3 月 – 增強型氮化鎵 (GaN) 功率晶體管與 IC 的領導者 Efficient Power Conversion (EPC) 推出 EPC2367，新一代 100 V eGaN® FET，可為功率轉換應用提供更卓越的性能、更高的效率，並降低系統成本。