EPC 推出 EPC2367，一款 100 V GaN FET，具有超低 1.2 mΩ RDS(on)、卓越的效率和熱性能，推動 AI、機器人和汽車電源的發展。
加州埃爾塞貢多 — 2025 年 3 月 – 增強型氮化鎵 (GaN) 功率晶體管與 IC 的領導者 Efficient Power Conversion (EPC)
推出 EPC2367，新一代 100 V eGaN® FET，可為功率轉換應用提供更卓越的性能、更高的效率，並降低系統成本。
EPC2367 專為 48 V 中間電壓匯流排架構設計，能顯著提升電源系統的性能，減少功耗、提高效率，並實現更緊湊、更具成本效益的設計。與上一代 GaN 及傳統矽 MOSFET 解決方案相比，這款新器件樹立了性能標竿。
EPC2367 的主要優勢
- 超低導通電阻 (RDS(on))： 1.2 mΩ，相較上一代最佳設備提升約 30%
- 更小的封裝尺寸： 3.3 mm × 3.3 mm QFN 封裝，減少 PCB 佔用空間並提升散熱性能
- 業界領先的開關性能指標 (FoM)： EPC2367 在硬開關與軟開關應用中均超越競爭對手，提供
更高效率與更低功耗
- 增強的散熱性能： 在負載下運行時 溫度更低，提高系統可靠性並實現更高功率密度
- 卓越的溫度循環可靠性： 相較於上一代 GaN，提供 4 倍的熱循環能力，確保長期穩定運行
卓越的電路性能
EPC2367 經過硬開關與軟開關應用的嚴格測試。測試結果顯示，在整個功率範圍內效率更高，且顯著降低功耗。在 1 MHz、1.25 kW 系統中，EPC2367 不僅減少功率損耗，還能比上一代 GaN 和矽 MOSFET 方案提供 1.25 倍的輸出功率。
EPC2367 透過超低導通電阻與卓越的熱循環性能，推動 GaN 技術進步，使工程師能夠在 AI 伺服器、機器人和汽車系統中提升效率與功率密度，
EPC 執行長暨聯合創辦人 Alex Lidow 表示。
EPC90164 開發板是一款半橋電路板，採用 EPC2367 GaN FET，設計適用於最高 80 V 工作電壓與 35 A 輸出電流。該電路板的設計宗旨是簡化電源系統設計人員的評估流程，加速產品上市時間。此電路板尺寸為 2” x 2” (50.8 mm x 50.8 mm)，專為最佳開關性能設計，並包含所有關鍵元件，便於快速評估。
價格與供應情況
EPC2367 單價為每顆 $2.81（3,000 顆批量）。
EPC90164 開發板單價為 $200.00。
產品可透過 EPC 的 授權經銷商 購買，或直接從
EPC 官網 訂購。
可獲取性
EPC 第 17 期可靠性報告可於 epc-co.com 下載。如需更多技術詳情，請
諮詢 GaN 專家。
關於 EPC
EPC 是增強型氮化鎵 (eGaN®) 電源管理領域的領導者。eGaN FET 和整合電路在應用中展現出遠超過
最佳矽 MOSFET 的效能，例如 DC-DC 轉換器、
遠端感測技術 (LiDAR)、
電動移動 (eMobility) 的馬達驅動、機器人與無人機，以及
低成本衛星。
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