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EPC 宣布 100 V GaN 功率晶體管的新基準

EPC 宣布 100 V GaN 功率晶體管的新基準
EPC 推出 EPC2367,一款 100 V GaN FET,具有超低 1.2 mΩ RDS(on)、卓越的效率和熱性能,推動 AI、機器人和汽車電源的發展。

加州埃爾塞貢多 — 2025 年 3 月 – 增強型氮化鎵 (GaN) 功率晶體管與 IC 的領導者 Efficient Power Conversion (EPC) 推出 EPC2367新一代 100 V eGaN® FET,可為功率轉換應用提供更卓越的性能、更高的效率,並降低系統成本。

EPC2367 專為 48 V 中間電壓匯流排架構設計,能顯著提升電源系統的性能,減少功耗、提高效率,並實現更緊湊、更具成本效益的設計。與上一代 GaN 及傳統矽 MOSFET 解決方案相比,這款新器件樹立了性能標竿。

EPC2367 的主要優勢

  • 超低導通電阻 (RDS(on)): 1.2 mΩ,相較上一代最佳設備提升約 30%
  • 更小的封裝尺寸: 3.3 mm × 3.3 mm QFN 封裝,減少 PCB 佔用空間並提升散熱性能
  • 業界領先的開關性能指標 (FoM): EPC2367 在硬開關與軟開關應用中均超越競爭對手,提供 更高效率與更低功耗
  • 增強的散熱性能: 在負載下運行時 溫度更低,提高系統可靠性並實現更高功率密度
  • 卓越的溫度循環可靠性: 相較於上一代 GaN,提供 4 倍的熱循環能力,確保長期穩定運行

卓越的電路性能

EPC2367 經過硬開關與軟開關應用的嚴格測試。測試結果顯示,在整個功率範圍內效率更高,且顯著降低功耗。在 1 MHz、1.25 kW 系統中,EPC2367 不僅減少功率損耗,還能比上一代 GaN 和矽 MOSFET 方案提供 1.25 倍的輸出功率。

EPC2367 透過超低導通電阻與卓越的熱循環性能,推動 GaN 技術進步,使工程師能夠在 AI 伺服器、機器人和汽車系統中提升效率與功率密度, EPC 執行長暨聯合創辦人 Alex Lidow 表示。

EPC90164 開發板是一款半橋電路板,採用 EPC2367 GaN FET,設計適用於最高 80 V 工作電壓與 35 A 輸出電流。該電路板的設計宗旨是簡化電源系統設計人員的評估流程,加速產品上市時間。此電路板尺寸為 2” x 2” (50.8 mm x 50.8 mm),專為最佳開關性能設計,並包含所有關鍵元件,便於快速評估。

價格與供應情況

EPC2367 單價為每顆 $2.81(3,000 顆批量)。

EPC90164 開發板單價為 $200.00。

產品可透過 EPC 的 授權經銷商 購買,或直接從 EPC 官網 訂購。

可獲取性

EPC 第 17 期可靠性報告可於 epc-co.com 下載。如需更多技術詳情,請 諮詢 GaN 專家

關於 EPC

EPC 是增強型氮化鎵 (eGaN®) 電源管理領域的領導者。eGaN FET 和整合電路在應用中展現出遠超過 最佳矽 MOSFET 的效能,例如 DC-DC 轉換器遠端感測技術 (LiDAR)電動移動 (eMobility) 的馬達驅動、機器人與無人機,以及 低成本衛星

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eGaN 是 Efficient Power Conversion Corporation, Inc. 的註冊商標。

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Efficient Power Conversion:
Renee Yawger
電話:+1.908.619.9678
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