ePower™ Stage IC 在故障情況下提供快速關斷功能，支援連續 100% 工作週期運行，並提供單輸入接腳 PWM 選項，簡化多軸設計

加州埃爾塞貢多 – 2026年4月2日 – Efficient Power Conversion（EPC，宜普電源轉換公司），增強型氮化鎵（eGaN®）功率裝置的領導者，推出了新一代 100 V 整合式 GaN 功率級 IC - EPC23108、EPC23109、EPC23110 和 EPC23111 - 面向高性能運動和電源系統，例如人形機器人、無人機以及其他緊湊型電池供電平台。這些裝置旨在簡化實作，並提高實際環境中的運行穩健性，同時保留整合式 GaN 技術典型的效率和功率密度優勢。

EPC 開發了一種新的轉換器，專為使用人工智能的「側車」伺服器設計，其中電源供應與資訊技術設備分開機架。此轉換器是一種固定比率轉換器，可以將 800 伏特降至 12 伏特。為了達到總輸出 6 kW，設計使用了多個 100 伏特至 12 伏特的模組，每個模組的額定功率為 750 W。這些單獨模組的輸入串聯在一起，而輸出則並聯連接。

整個 6 kW 模組具有緊湊的物理尺寸，尺寸為 106 毫米 x 47 毫米，僅有 8 毫米厚。這種高度的小型化是通過 GaN 技術實現的。

EPC 展示了 EPC 91122 板，該板配備了 EPC 3111 模組，一個 100 伏特的三相模組，專為電機控制應用設計。

該板整合了控制器、電源模組、兩個電流感測器和一個位置感測器。由於鎵氮化物 (GaN) 技術支持在 100 kHz 的切換頻率，設計完全依賴 MLCC 電容器，徹底省去了體積較大的電解電容器的需求。

在這場網絡研討會中，高效能功率轉換（EPC）的首席執行官Alex Lidow闡述了GaN是如何突破關鍵的性能界限，現在在所有電壓和所有拓撲結構中均超越了最佳的矽MOSFETs。您將看到關於導通電阻、硬切換和軟切換損失以及在人工智能、伺服器和點負載轉換器中的實際效率提升的具體數據——從數十伏特到低至1伏特以下的導軌。Lidow還預覽了未來以整合為重點的幾代產品，這將GaN推向其理論極限的更近一步。

氮化鎵（GaN）功率元件透過結合寬能隙物理特性與針對高速、低損耗運作而最佳化的橫向 HEMT 結構，正在重新定義開關轉換器的極限。本文介紹了 GaN 如何成為 100–650 V 等級中矽 MOSFET 的天然繼任者，並展示材料品質因數如何直接轉化為更低的導通電阻、更高的開關頻率，以及在具競爭力的成本下實現高得多的功率密度。

自 20 世紀 70 年代末以來，矽功率 MOSFET 憑藉多數載子運作、堅固耐用和易於驅動等優勢，取代了雙極型電晶體，推動了開關模式功率轉換的發展。數十年來，單元間距、溝槽和超接面等結構的持續改進，在保持崩潰能力和可製造性的同時，不斷降低 R_DS(on) 。然而，在 100–600 V 範圍內，矽如今基本已達到單極元件的理論極限。

EDN
2026 年 3 月

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電力電子學中最古老的挑戰之一是將多個晶體管並聯，以獲得更高電流的開關。這項任務很少是簡單的，因為兩個或更多的晶體管從來不會表現出完全相同的電氣參數，這阻止了電流的均勻分配。

對於早期的功率轉換器設計者來說，這項壇業更加艱難，因為當時可用的元件是電流驅動的雙極性接面晶體管（BJTs）。這意味著無法利用內在的穩定效應來幫助實現均勻的電流共享。事實上，所需的基極-射極電壓（V_BE）隨著溫度的增加而降低（-2 mV/°C）—在正常操作下—因此即使是輕微的不平衡也會導致V_BE較低的晶體管導通更多的電流並進一步加熱，導致故障。

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50 A_RMS 三相逆變器平台，建基於第七代 Gen-7 EPC2366 eGaN® 功率晶體管，在 APEC 的 EPC 展位展示

德州聖安東尼奧 - 2026年3月23日 - 在 2026 年 APEC 展會上，功率轉換效率領導者 Efficient Power Conversion (EPC) 推出了EPC91121 馬達驅動逆變器評估板，此板建基於第七代EPC2366 40 V eGaN® 功率晶體管，並在公司的展位（#1935）展示該平台。

縮小實驗室生成的可靠性測試與實際任務剖面之間的差距

加州埃爾塞貢多 – 2026年3月19日 – Efficient Power Conversion（EPC），增強型氮化鎵（eGaN^®）功率元件的全球領導者，今日宣布發布其第18階段可靠性報告，為eGaN元件可靠性提供新的見解。該報告在以往工作的基礎上，縮小實驗室生成的可靠性測試與真實世界任務剖面下元件性能之間的差距。報告引入了新的方法，可在應用特定應力條件下更好地預測元件壽命；這些方法是在與客戶密切合作的基礎上形成，並由同行評審研究和國際會議發表成果提供支持。

100V GaN 基礎的逆變器參考設計，提供50 ARMS相電流、集成感測和高達150 kHz的PWM操作。

EL SEGUNDO，加利福尼亞州 – 2026年3月12日 – 高效能功率轉換（EPC），增強模式氮化鎵（eGaN^®）功率元件的全球領導者，今天宣布推出 EPC91202 評估板，這是一款完整的三相 BLDC 馬達驅動逆變器，旨在加速高效率馬達驅動應用的開發，應用領域包括機器人技術、電動移動性、無人機、工業自動化和電池供電系統。

在這段影片中，您將看到與Alex Lidow的對話 - 他在國際整流器公司期間發明了原始的功率MOSFET和HEXFET。Alex後來成為了他父親創立公司的CEO，今天是高效能功率轉換（EPC）的創始人兼CEO，該公司以生產市場上一些最高效的GaN FETs而聞名。在討論中，您將聽到功率MOSFET是如何在Alex工作的第一天被發明的故事，以及這一突破是如何塑造現代功率電子技術的。

對話還深入探討了矽物理學、GaN技術的興起，以及人工智能數據中心和人形機器人日益增長的電力需求，提供了一個引人入勝的觀點，將功率半導體的起源與推動計算和電氣化未來的技術連接起來。

觀看完整訪談

本文探討了寄生電容對鎵氮化物(GaN)場效應晶體管(FETs)在並聯配置中動態電流共享行為的影響。隨著GaN技術在高性能電力電子系統中的持續崛起，並聯多個裝置已成為增加電流處理能力的常見策略。

Salvatore Musumeci 博士, Vincenzo Barba 博士, Michele Pastorelli 教授, Marco Palma 碩士

ScienceDirect
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在過去十年中，AI 工作負載一直依賴於並非為其快速成長的功率需求而設計的伺服器架構。近年來，「AI 工廠」的概念逐漸興起，將資料中心重新定義為以生產力為導向、並針對高運算密度進行最佳化的系統。

Bodo’s Power Systems
2026 年 3 月
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在本期 Chips 節目中，Efficient Power Conversion（EPC）執行長暨共同創辦人 Alex Lidow 回顧了他在功率半導體創新領域的一生。從早期參與 HEXFET 功率 MOSFET 的研發，到開創氮化鎵（GaN）技術，Alex 分享了塑造其職業生涯的關鍵決策、經驗教訓與遠見。我們探討了 GaN 對效率提升、AI 資料中心、機器人和衛星的影響，以及為什麼工程師在規劃未來道路時應當「瞄準目標的前方」。

Electronics Weekly
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為 AI 計算與下一代機器人提供可擴展電源解決方案

加利福尼亞州埃爾塞貢多 — 2026 年 2 月 26 日 — 增強型氮化鎵（eGaN^®）功率元件領域的全球領導者 Efficient Power Conversion（EPC）將於 2026 年應用電力電子會議（APEC 2026） 上展示其面向 AI 基礎設施與機器人應用的最新一代 GaN 技術。展會期間，EPC 將重點介紹第 7 代 GaN 技術及高度整合的 GaN IC 如何在高密度運算與下一代機器人系統中實現可擴展部署，使電源架構從展示平台邁向量產級應用，展位號 #1935。於展位現場，EPC 工程師將舉辦一系列技術演講，內容涵蓋系統架構、可靠性方法以及應用實現。

整合式 GaN 功率級，具備板載控制、感測與通訊功能，在 32 mm 圓形設計中可提供高達 20 A_RMS，適用於空間受限的機器人應用。

加利福尼亞州埃爾塞貢多（EL SEGUNDO）– 2026 年 2 月 23 日 – 增強型氮化鎵（eGaN®）功率元件領域的全球領導者 Efficient Power Conversion（EPC）今日宣布推出 EPC91122，這是一款高效能三相 BLDC 馬達驅動逆變器評估板，專為人形機器人關節應用而設計。該產品採用 EPC 高度整合的 EPC33110 三相 ePower™ Stage 模組，在超緊湊外形尺寸下可提供高達 20 A_RMS（28 A_peak）的相電流，專為空間受限的機器人關節最佳化設計，並整合完整馬達驅動逆變器所需的所有關鍵功能，包括微控制器、馬達軸角度感測器、輔助電源以及高精度電壓與電流感測功能。

EPC 的 GaN 技術強化瑞薩在高出貨量消費性電子與 AI 電源市場的競爭力。

美國加州埃爾塞貢多 – 2026 年 2 月 10 日 – 全球增強型氮化鎵（eGaN^®）功率元件領導者宜普電源（Efficient Power Conversion，EPC）今日宣布，與全球頂尖的先進半導體解決方案及高電壓 GaN 電晶體供應商瑞薩電子株式會社（Renesas Electronics Corporation）達成一項全面的技術授權協議。

EPC 首款第七代 eGaN^® 元件正式進入量產，相較於矽 MOSFET，效能最高可提升達 3 倍

美國加州埃爾塞貢多 – 2026 年 1 月 30 日 – 全球增強型氮化鎵（eGaN）功率元件領導廠商 Efficient Power Conversion（EPC）宣布，其 EPC2366 正式開始量產，這是其第七代（Gen 7）eGaN^® 功率電晶體系列中的首款產品。此第七代平台為電晶體效能樹立了全新的技術標竿。EPC2366 相較於同等規格的矽 MOSFET，效能最高可提升達 3 倍。其典型 R_DS(on) 為 0.84 mΩ，且高度最佳化的 R_DS(on) × Q_G 品質因數（FoM）12.6 mΩ·nC，能同時降低導通與切換損耗，並大幅改善熱效能。該元件專為高效率、高功率密度電源系統所設計，在同步整流、高密度 DC-DC 轉換、AI 伺服器電源及先進馬達驅動等應用中表現卓越。

EPC2366 40 V eGaN^® FET 為次世代電力電子在效能、效率與功率密度方面樹立了全新標竿。

加州艾爾塞貢多（El Segundo），2026 年 1 月 13 日 - 高效能電源轉換公司（Efficient Power Conversion，EPC）隆重宣布，其 EPC2366 40 V 增強型氮化鎵（eGaN®）功率電晶體榮獲 EPDT 2025 年度產品獎，並獲選為 功率電晶體 類別得主。此項殊榮突顯了 EPC 在提供尖端 GaN 技術方面的領導地位，能為資料中心、機器人及 AI 基礎設施應用帶來更高效率與卓越效能。

EPC33110 是一款三相模組，採用氮化鎵 (GaN) 單晶集成電路，使得電機驅動變流器的體積更小、更輕。其緊湊的設計非常適合無人機和仿人機器人應用，支持比傳統基於矽的變流器更高的切換頻率，最終提升系統的尺寸、重量和性能。

Bodo’s Power Systems
2025年12月
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EL SEGUNDO, CA — 2025年12月8日 — EPC很高興宣布任命Maurizio Di Paolo Emilio為全球營銷傳播總監。Maurizio加入EPC，擁有豐富的功率半導體領域背景，專精於寬能隙(WBG)技術。

Maurizio的職業生涯致力於推進下一代功率解決方案，從早期概念評估到最終產品發布，他評估了前沿半導體產品。除了發表了許多有關此主題的文章外，他還撰寫和編輯了數本有關此主題的書籍。他的技術見解、行業知識和對創新的承諾使他成為EPC領導團隊中的寶貴成員。