Gallium Nitride (GaN) Power Devices

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氮化鎵(GaN)FET和氮化鎵積體電路(IC）的產品選型

使用我們的交互式參數選擇工具來找出最適合您的功率轉換系統的eGaN®解決方案。

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EPC公司的氮化鎵(GaN)功率電晶體和氮化鎵積體電路(IC)具有優於矽的基本優勢。基於氮化鎵功率電晶體的解決方案無論在速度、溫度和電源管理方面都比矽元件更强，從而使得解決方案具備更高的效率、更小的尺寸、更輕、更低的成本和更好的散熱性能等優勢。

有關EPC的氮化鎵技術的更多信息，請下載我們的《技術簡介》。 有關使用氮化鎵元件的更多信息，請下載《面向功率應用的氮化鎵元件的基礎知識》和《面向功率應用的氮化鎵元件的設計技巧》電子書。

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為什麽選擇EPC公司的氮化鎵功率電晶體？

  • 廣泛的產品組合
    與矽元件相比，用於電源管理的EPC公司的增强型氮化鎵(eGaN®)FET和氮化鎵積體電路具備更高的性能和更低的成本等優勢。憑藉15 V~350 V的氮化鎵半導體器件，EPC公司為市場提供最强大、現成的氮化鎵產品組合，包括車規級和耐輻射元件。
  • 穩健、高可靠性
    憑藉卓越氮化鎵功率電晶體的現場高可靠性測試記錄和廣泛的可靠性測試方法，EPC公司確保其氮化鎵功率電晶體達到最高標準，以及其穩健的氮化鎵半導體元件被證明為超越了矽元件的性能。
  • 被市場採納
    EPC公司的GaN FET和氮化鎵積體電路廣泛用於服務器、48 V電動汽車電源、用於電動出行、機器人和無人機的馬達控制器；用於先進自主性應用的光達和低成本衛星。
  • 供貨穩定可靠
    EPC公司擁有世界一流的供應鏈，包括製造、封裝和分銷，其優勢是成熟、高效和反應迅速。