客戶可以在我們的網頁 註冊 ，定期收取最新消息包括全新產品發佈、應用文章及更多其它資訊。如果你錯過了已發佈的消息，你可瀏覽以下的文檔。
The increase in switching speed offered by GaN transistors requires good measurement technology, as well as good techniques to capture important details of high-speed waveforms. This article focuses on how to leverage the measurement equipment for the user’s requirement and measurement techniques to accurately evaluate high performance GaN transistors. The article also evaluates high bandwidth differential probes for use with non-ground-referenced waveforms.
EDN Network
By Suvankar Biswas , David Reusch & Michael de Rooij
Read article
閱讀全文
最近まで、D級オーディオに利用できるトランジスタは、パワーMOSFETだけでした。MOSFETのスイッチング特性は、D級アンプの直線性を非常に劣化させます。さらに、全高調波歪みや雑音を低減するために、フィードバック・ループの利得を高くしなければなりません。このフィードバックによって古い音が存在し続けることになり、豊かさと微妙な音色が失われる原因になります。加えて、過大な電力消費は、MOSFETベースのD級アンプのスイッチング周波数を制限します。窒化ガリウムのD級アンプは、直線性が優れているので非常にきれいな波形であり、小さなフィードバックと豊かなサウンドを実現できます。窒化ガリウム・トランジスタは、MOSFETに比べて、はるかに消費電力が小さいのでスイッチング周波数を高くすることができ、より高い分解能、より小型化が実現でき、より安価なフィルタ部品を利用できます。 窒化ガリウム・ベースのD級オーディオ・アンプは、より小型なシステムで、より豊かなサウンドを提供します。
閱讀全文
There have been several comparisons of eGaN FETs with silicon MOSFETs in a variety of applications, including hard-switched, soft-switched, and high-frequency power conversion. These studies have shown that eGaN FETs have large efficiency and power density advantages over silicon MOSFETs. Here we’ll focus on the use of eGaN FETs in synchronous rectifier (SR) applications and the importance of dead-time management. We show that eGaN FETs can dramatically reduce loss due to dead-time in synchronous rectifiers above and beyond the benefits of low RDS(on)and charge.
Power Systems Design
By: Dr. John Glaser & Dr. David Reusch, Efficient Power Conversion
June 13, 2016
Read article
閱讀全文
EPC公司的全新開發板可以被配置為一個降壓轉換器或ZVS D類放大器，展示出基於eGaN FET、採用同步自舉電路的閘極驅動器在高頻工作時可以減少損耗。
宜普電源轉換公司（EPC）推出EPC9066、EPC9067及EPC9068開發板，可以被配置為一個降壓轉換器或ZVS D類放大器。這些開發板專為功率系統設計師而設，對氮化鎵電晶體的優越性能進行評估方面提供了簡易方法，使得設計師的產品可以快速量產。三塊開發板都配備了具有零QRR、同步自舉整流器的閘極驅動器，從而在高達15 MHz的高頻工作條件下可以提高效率。該些開發板在降壓轉換器及D類放大器配置的最大輸出電流為2.7 A。在整個電流範圍都可以降低損耗。
閱讀全文
宜普電源轉換公司爲功率系統設計師提供一款具備４奈秒上升時間特性的450 V氮化鎵場效應功率電晶體(EPC2027 eGaN®)並面向高頻直流-直流轉換器及醫療診斷儀器的應用。
宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出450 V並通常處於關斷狀態的增强型功率電晶體（EPC2027），可用於需要高頻開關的應用，從而實現更高的效率及功率密度。受惠於採用高壓並具備更快速開關特性的元件的應用包括超高頻直流-直流轉換器、醫療診斷儀器、太陽能功率逆變器及發光二極管照明等應用。
閱讀全文
In this installment of the ‘How to GaN’ series we will discuss a new family of eGaN FETs that is keeping Moore’s Law alive with significant gains in key switching figures of merit that widen the performance gap with the power MOFET in high frequency power conversion.
EEWeb
By: Alex Lidow
October, 2014
閱讀全文
On September 3rd IEEE PELS will offer a webinar by Dr. Johan Strydom discussing the contribution of gallium nitride power transistors to meet the demanding system bandwidth requirements of envelope tracking applications.
EL SEGUNDO, Calif.— August 2014 — An Efficient Power Conversion Corporation (EPC) expert on the application of gallium nitride transistors in envelope tracking power circuit design will conduct a one-hour webinar sponsored by the IEEE Power Electronics Society (PELS) on September 3rd from 11:00 AM to 12:00 AM (EDT).
閱讀全文
本章展示在10 MHz频率開關、採用氮化鎵場效應電晶體的硬開關降壓轉換器的結果及提供轉換器功耗的細數。此外，我們將展示採用氮化鎵場效應電晶體的轉換器目前所取得無可匹敵的高頻性能及如果要推動器件工作在更高頻率時所面對的限制。
EEWeb
作者：Alex Lidow
2014年8月
閱讀全文
由於德國航空太空中心的機械人及機械電子研究院（Robotics and Mechatronics Institute ）對改善感測器及功率電子的興趣很大，我們利用開發全新機械人的機會來評估宜普電源轉換公司（EPC）的全新增強型氮化鎵場效應電晶體技術並與我們目前最優秀的逆變器設計進行比較。
雜誌 ：Bodo’s Power Systems
作者：德國航空太空中心 (DLR) Robin Gruber
日期：2014年3月
閱讀全文
於2014年IEEE的APEC功率電力電子業界研討會中，宜普電源轉換公司的應用技術專家將分享氮化鎵場效應電晶體技術如何于應用中比矽功率MOSFET器件優勝。
矽基增強型功率氮化鎵場效應電晶體之全球領導廠商宜普電源轉換公司將於2014年APEC技術研討會以應用為主題進行三場技術演講，與參與者分享高頻諧振轉換器及高頻、硬開關功率轉換器設計。研討會將於3月16日至20日在德克薩斯州的Fort Worth舉行。
閱讀全文
本章展示氮化鎵場效應電晶體如何推動具高度諧振、鬆散耦合性、工作在6.78 MHz ISM頻帶的無線電源傳送技術，實現高效無線能源傳送，並與工程師分享使用電壓模式D類及E類方法的範例。
EEWeb
作者：Alex Lidow
日期：2014年1月
閱讀全文
本章我們回到討論硬開關轉換器，但不同的是電晶體在更高頻率的條件下工作，超越矽技術的實際限制。
EEWeb
作者： Alex Lidow
2013年12月
閱讀全文
EPC9106 D類音頻放大器參考設計使用具備高頻開關性能的氮化鎵功率電晶體，展示在提升效率、縮小產品尺寸及不需散熱器之同時可實現具專業消費類水準的高質音響效果。
宜普電源轉換公司推出150 W、8 Ω D類音頻放大器的參考設計（EPC9106）。該演示板使用 Bridge-Tied-Load (BTL)設計，配置四個具接地連接的半橋輸出級電路，為可升級及可拓展的設計。在這個基於氮化鎵場效應電晶體的系統中，我們把所有可影響D類音頻系統音質的元素減至最少或完全去除。
EPC9106演示板含EPC2016氮化鎵場效應電晶體及德州儀器公司的100 V半橋柵極驅動器（LM5113）。該板展示了使用具備高頻開關性能的氮化鎵場效應電晶體並配備專有驅動器LM5113，可以實現小尺寸、高音質的理想效果。EPC9106演示板的設計由於高效，因此可以完全不用散熱器，因此也可以減低發生EMI/EMC發射的機會。
EPC9106開發板的超小型電源模組（11 mm x 11 mm）包含氮化鎵場效應電晶體（eGaN®FET）、驅動器、電感器及輸出／輸入電容。尺寸雖小，EPC9106參考設計在150 W、8 Ω可實現96%效率，並在250 W、4 Ω實現92%效率。
客戶如果對我們的D類音頻放大器中的氮化鎵場效應電晶體及以上的演示板有興趣，我們可以安排FAE工程師與您會面。請聯繫：
氮化鎵場效應電晶體器件的設計資訊及技術支援：
宜普公司簡介
宜普公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商，為首家公司推出替代功率MOSFET器件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體，其目標應用包括伺服器、無線電源傳送、波峰追蹤、射頻傳送、以太網供電、太陽能微型逆變器及D類音頻放大器等應用，器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com.tw。
客戶在Twitter的網址http://twitter.com/#!/EPC_CORP 可以找到EPC，而面書在http://www.facebook.com/EPC.Corporation，也可以在我們的網頁 www.epc-co.com.tw 註冊，定期收取EPC公司的最新產品資訊。
商標
eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。
媒體聯絡人
Winnie Wong ([email protected])[email protected])
閱讀全文
在開關頻率10 MHz或以上，電源轉換需要具備高速開關的電晶體並配備在高頻工作的封裝。相比日漸老齡化的功率MOSFET器件，由於氮化鎵場效應電晶體（eGaN® FET）提供無可匹敵的器件性能及封裝，因此可以在高頻時提高電源轉換效率。
Bodo’s Power Systems
客席編輯 Alex Lidow
2013年11月
閱讀全文
With the introduction of this family of eGaN® FETs, power systems and RF designers now have access to high performance gallium nitride power transistors enabling innovative designs not achievable with silicon.
October, 2013
Bodo's Power Systems
閱讀全文