EPC2375：100 V、101 A、0.9 mΩ GaN 功率電晶體

VDS, 100 V
典型 RDS(on), 0.9 mΩ
ID, 101 A

EPC2375 增強型 GaN 功率電晶體
封裝尺寸：3 mm x 5 mm

應用

  • 高功率電源（PSU）AC-DC 同步整流
  • 輸入電壓最高達 80 V 的高頻 DC-DC 轉換
  • （降壓、升壓、升降壓和 LLC）
  • 24 V–60 V 馬達驅動
  • 高功率密度 DC-DC 模組，輸入電壓從
  • 40 V – 60 V 轉換至 5 V – 12 V
  • 同步整流
  • 太陽能 MPPT

優勢

  • 超低 QG，適用於高頻應用
  • 配備背面散熱焊盤的 PQFN 封裝
  • 無反向恢復
狀態：工程狀態
工程元件在購買時以 ENG* 後綴標示，處於工程狀態。在未聯絡您當地的現場應用工程師以取得最新狀態之前，不應將其用於可靠性應力測試或其他資格認證測試。
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