全新氮化鎵技術推動了無綫電源傳送應用的發展。近來在A4WP及PMA的合併下，工程師們對該發展尤感興趣。 本訪問涵蓋了饒富興味的問題並解答了氮化鎵元件何時會備受半導體業界廣泛採納。訪問的內容包括氮化鎵元件的優勢、成本如何可以更低、最新元件的創新性、元件可以工作在高頻的條件下而具備小尺寸、優越的散熱管理、氮化鎵的市場如何可以超越矽元件的市場及氮化鎵技術的未來發展等。

功率系統設計
2015年6月24日
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If expanding industries typically indicate vibrancy, a race to acquire and consolidate is generally reflective of the opposite – a period of slowed growth in mature, often once high-flying categories. And while many industries experience a period of stardom, followed by a sharp and steady decline, we should be extremely worried when they occur in industries that are fundamentally central to our socio-economic vitality.

Forbes
June 26, 2015
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矽基晶片的發展因爲受到技術及經濟因素的影響而變得緩慢。業界利用全新的氮化鎵材料所具備的優勢解決這個問題。雖然各家公司致力於找出可製造尺寸更小的矽電晶體的方法，但是未能減低成本及解决在功耗方面的問題。宜普電源轉換公司的首席執行長Alex Lidow認爲相比矽元件，由於氮化鎵元件的開關可以更快速及在更高壓的條件下工作，因此氮化鎵材料在功率轉換應用中尤爲優勝。

華爾街日報
2015年6月22日
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功率轉換需要製造細小的元件以從電力的一種形式轉換至另外的一種形式，從而使得所有電子設備運行順暢。 直至目前爲止，矽元件是功率轉換的首選元件，但是當它的效率達到極限時，業界轉而關注全新材料的發展。

Los Angeles Business Journal
2015年6月21日
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氮化鎵場效應電晶體（eGaN^® FET）之前在鬆散耦合式無綫電源傳送解決方案中，展示了在採用零電壓開關(ZVS)D類或E類放大器拓撲並工作在on-resonance條件下，該些電晶體具有較高的效率。然而，可行的無綫電源系統需要滿足這些系統的易用性的要求，結果是反射式綫圈阻抗在負載和耦合變化時顯著偏離諧振。由於這些系統仍然需要向負載供電，因此放大器需要在寬阻抗範圍內驅動綫圈。諸如A4WP第三等級的規範定義了可以滿足易用性因素、寬泛的綫圈阻抗範圍，並且可以用作比較放大器的性能的起點。

本章根據A4WP第三等級的標準對ZVS D類及E類放大器拓撲在6.78MHz頻率下進行測試並通過縮小了的阻抗範圍來判斷固有的工作範圍極限。諸如元件的溫度和電壓極限等因素將確定每個放大器能够驅動綫圈的負載阻抗範圍。

Bodos China
宜普電源轉換公司應用工程執行總監Michael de Rooij博士
2015年6月
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Last week, El Segundo, Calif.-based Efficient Power Conversion, announced that its offering two types of power transistors made from gallium nitride that it has priced cheaper than their silicon counterparts. “This is the first time that something has really been higher performance and lower cost than silicon,” CEO Alex Lidow says. “Gallium nitride has taken the torch and is now running with it.”

IEEE Spectrum
May 8, 2015
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宜普電源轉換公司首席執行長及共同創辦人Alex Lidow與Power Systems Design雜誌編輯Alix Paultre分享全新eGaN FET系列，實現具備優越性能、更小的尺寸、高可靠性及低成本的元件。價格是封阻可替代矽MOSFET元件的氮化鎵電晶體的普及化的最後一個壁壘，而價格已經下降。

聽面試
Power Systems Design
2015年4月29日

宜普電源轉換公司首席執行長Alex Lidow一直專注於製造創新產品，目的在延長摩爾定律的壽命。Intel及業界認為傳統矽晶片技術已經達到頂峰 --不久有公司將製造出一種矽材料可以實現的低成本及高效的晶片。Lidow說他找出一種比矽在很多方面都更為優勝的半導體材料--氮化鎵材料（GaN）。氮化鎵晶片無論是在實驗室或實際上的多個範例都比矽晶片優越、具備更低的製造成本及使用現有製造矽晶片的基礎設施，而且氮化鎵元件更為穩固及需要更少的保護性元素。

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PandoDaily
2015年4月21日

半導體業界資深人士及宜普電源轉換公司（EPC）首席執行長Alex Lidow說：「摩爾定律現正蛻變為預測全新的半導體材料的性能定律。EPC氮化鎵（GaN）電晶體有機會替代矽元件。氮化鎵材料是一種更好的電子導體，在性能及功效方面比矽更為優越。」氮化鎵元件已經用於電源轉換及無線通訊等領域，它將有一天成為數位晶片。Lidow說：「60年以來首次出現採用優越材料的元件而不只是在更小尺寸方面發展。」

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Network World
2015年4月17日

摩爾定律的預測已經變成自我應驗的預言。晶片的運算性能不僅僅是已經在每兩年/24個月得以倍升，它必需在每24個月內倍升才可以使科技業界及整個經濟不致陷入苦境、阻遏創新及經濟發展進程。

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re/code
Alex Lidow
2015年4月17日

晶片的發展推動了一個又一個的技術大變革：個人電腦、互聯網、智慧手機、智慧手錶及即將推出的自動駕駛汽車。 宜普電源轉換公司（EPC）是一間把它的將來押注在III-V氮化鎵材料上的創始公司，其首席執行長Alex Lidow帶領著一支34人的專業團隊創建公司。該公司的業績繼續保持穩定增長，產品是採用III-V氮化鎵（GaN）材料層的電晶體。 在2016或2017年，Lidow預計氮化鎵元件的製程可以包含電腦處理器內負責思考的邏輯電路。Lidow認為「與傳統的矽元件相比，氮化鎵元件所具備的電力特性使你立即可以取得1000倍改進產品性能的機會。」

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CNET.com
2015年4月17日

Dean Takahashi at VentureBeat profiles Alex Lidow. Silicon chips have had a decades-long run as the foundation for modern electronics. But a new kind of chip, based on the compound material gallium nitride (GaN), promises to unseat silicon because it has higher performance, less power consumption, and lower cost.

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VentureBeat
April 2, 2015

Enhancement-mode gallium nitride (GaN) transistors have been commercially available for over five years. Commercially available GaN FETs are designed to be both higher performance and lower cost than state-of-the-art silicon-based power MOSFETs. This achievement marks the first time in 60 years that any technology rivals silicon both in terms of performance and cost, and signals the ultimate displacement of the venerable, but aging power MOSFET.

EDN
Alex Lidow
February 18, 2015

Bloomberg Business的Ashlee Vance 剖析宜普電源轉換公司（EPC）的發展。一直以來，矽保留了它對半導體行業發展的影響力。在過去的六十年裡，電晶體所使用的半導體材料以矽為首選。電晶體就是細小的開關，它是驅動資訊時代發展的動力。矽谷也以此材料而命名，而且許多公司藉著它打造出價值十億元的王國。現在我們把眼光移離矽元素 -- 它最終有可能處於被取替的邊緣。

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Bloomberg Business
2015年2月12日

從業界的觀點來看，只有可以爲人類提供效益及性能優勢的技術才能够生存。 主流技術CMOS就是一直爲業界提供無比的益處而得以長存。 當下的問題是CMOS技術將會變成夕陽産業嗎？新興的氮化鎵技術終於能够打破阻礙氮化鎵功率元件普及化的成本障礙。根據2015年DesignCon研討會的主講嘉賓所描述，氮化鎵技術可推動寬泛範圍的新興應用的發展，包括從無綫充電、全自動汽車以至更高效的移動通訊等應用。

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EETimes Asia
2015年2月

60年以來業界首次見證全新的半導體技術以更低的成本製造出比矽元件具備更高的性能的電晶體。氮化鎵（GaN）技術展示了它顯著提升了電晶體的性能之外，氮化鎵元件的製造成本比矽元件可以更低。由於氮化鎵電晶體具備快速開關特性，在高壓及大電流工作時它比任何前代的電晶體都更為優越，支援開發全新的應用。這些特性非常優越，可推動全新並改寫未來的應用的出現。但是氮化鎵技術的發展還是剛剛開始，它的發展前景將無可限量。

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EDN雜誌
作者：Alex Lidow
2015年1月

In this installment of the ‘How to GaN’ series we will discuss the 4th generation of eGaN FETs in 48 VIN applications and evaluate the thermal performance of the chipscale packaging of high voltage lateral eGaN FETs.

EEWeb
By: Alex Lidow
December, 2014

Technics is back. Panasonic has unveiled the first new hi-fi products from the highly-regarded brand in 6 years. The new Reference Class system is made up of three components – a stereo power amp, a network audio control player and a speaker system. The amp uses a JENO Digital Engine to eliminate jitter and nip noise in the bud, and Load Adaptive Phase Calibration (LAPC) for flat amplitude-phase frequency delivery. It features GaN for high speed switching while keeping signal loss low, a proprietary digital link input, analog XLR input, analog RCA input, bi-wiring speaker terminals, and a silent linear power supply.

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DesignCon 2015’s Thursday (January 29th) keynote speaker will be Dr. Alex Lidow, CEO and co-founder of Efficient Power Conversion Corporation (EPC). For most of his career, Alex has focused on improving the efficiency of power conversion in hopes of reducing the environmental impact of energy production and consumption. As an R&D engineer at International Rectifier, he co-invented the HEXFET power MOSFET. The patents from this invention brought in more than $900M. Alex holds numerous additional patents in power semiconductor technology, including basic patents in power MOSFETs as well as in GaN FETs. He recently co-authored the first textbook on GaN transistors, “GaN Transistors for Efficient Power Conversion”. You can catch Alex’s keynote speech at DesignCon 2015 on Thursday, January 29, 12:00 PM – 12:30 PM.

EDN
December 3, 2014
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Practical wireless power systems need to address the convenience factor of such systems. Standards such as the A4WP Class 3 have defined a broad coil impedance range that address the convenience factor and can be used as a starting point to compare the performance of the amplifiers. In this installment of WiGaN both the ZVS Class-D and Class-E amplifiers will be tested at 6.78 MHz to the A4WP Class 3 standard.

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