為了進一步擴大eGaN FET及IC的應用範圍、加大研發力度及幫助客戶使用eGaN^®FET及IC並對元件進行評估，宜普公司宣佈Blacksburg應用中心落成啟用及聘任Suvankar Biswas博士為高級應用工程師。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈位於美國維吉尼亞州(Virginia)的Blacksburg應用中心落成。該中心進一步支持增強型氮化鎵電晶體及積體電路的研發及應用，從而擴大潛在市場的覆蓋率。除了基於傳統的場效應電晶體及積體電路的功率轉換應用外，氮化鎵技術推動新興應用的出現，包括無線電源傳輸、應用於全自動駕駛車的雷射雷達技術及支援4G和5G通訊標準的 波峰追蹤應用。

EPC CEO and Co-Founder, Alex Lidow, discusses the life changing applications on display at CES with Bloomberg Radio. Applications such as LiDAR for autonomous cars with the potential to disrupt the transportation industry and wireless power with the potential to eliminate power cords are highlighted as well as how GaN enables these new technologies.

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Bloomberg
January, 2017

EPC9126開發板基於具備超快速的轉換速度特性的eGaN^®FET，可通過大電流脈衝及低至5 ns的總脈寬來驅動雷射二極體，從而提高雷射雷達系統的偵測資料的質素，包括偵測資料的準確度、精准度及處理速度。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出EPC9126評估板。該板是基於100 V大電流脈衝雷射電源設计，可驅動雷射二極體。在自動駕駛車的雷射雷達系統在自動駕駛車的雷射雷達系統中，偵測目標物件的速度及準確性非常重要。EPC9126評估板展示eGaN FET具備快速轉換速度的特性，與等效MOSFET相比，eGaN FET可以高達快十倍的速度提供功率脈衝來驅動雷射二極體，從而提高LiDAR系統的整體性能。

提供驅動Tesla半自動Autopilot駕駛技術的供應商的首席技術官相信，汽車製造商的設計超過了安全極限。

總部設於以色列的Mobileye NV公司首席技術官及執行主席Amnon Shashua在星期三跟Reuters說“目前汽車設計並沒有預計所有會導致車禍的情況，確保其安全性”。

Computerworld
2016年9月15日
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全新的EPC2040氮化鎵場效應電晶體（eGaN^®FET）具備超快速開關性能，可以支援需要更高解析度及準確性、使用脈衝式鐳射驅動器的應用，諸如在擴增實景（augmented reality）系統及全自動駕駛汽車中，利用光學遙感技術（LiDAR）、三維感測的導航系統。

宜普電源轉換公司宣佈推出EPC2040功率電晶體，它是一種超小型、具備快速開關性能的氮化鎵功率電晶體，面向高速終端應用，可實現優越的解析度、更快速的反應時間及更高準確度。此外，由於在整個工作溫度範圍內，元件具有高準確度閾值，因此當鐳射受熱，可確保系統的穩定性。例如該電晶體在LiDAR技術所採用的脈衝式鐳射驅動器是理想的元件。LiDAR技術是全自動駕駛汽車的導航系統及擴增實景平臺的重要技術。EPC2040的優越性能在這些系統中可以實現更高準確度及解析度。