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具備優越特性的eGaN® FET與積體電路可以實現較低成本、採用單個功率放大器及採用任何標準的接收器的無線充電解決方案
宜普電源轉換公司（EPC）多模無線充電演示系統（EPC9121）榮獲《今日電子》與21IC中國電子網頒發2016“年度Top10電源產品--技術突破獎”。該獎項表彰在技術或應用方面有重大進步，並且能夠引領業界的技術發展趨勢。該獎項在2016年9月8日於北京舉行的電源技術研討會上頒發。
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自動駕駛汽車將來需要基於鐳射感應技術，而這些系統則需要比矽基元件的性能更優越的全新並具備高速開關的電晶體及晶片。
以上是Alex Lidow所聲稱的技術發展進程。Lidow是史丹福大學的物理學家並擁有物理學博士學位、創業家、宜普電源轉換公司（EPC）首席執行長及共同創辦人。該公司的總部位於加州的El Segundo市，是一家利用一種全新材料來製造電晶體及晶片的公司，該材料比矽材料具備更快速開關、更高效及成本更低等優勢。
《財富》雜誌
2016年9月8日
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在本系列的第一、二及第三章中，我們詳細講解了關於EPC增強型氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)及積體電路(IC)的現場可靠性及它們被認證通過應力測試。在應用中，我們把元件置於預期的工作條件下並施加應力，其測試結果引證了氮化鎵元件的現場可靠性。同樣重要的是明白eGaN元件固有的物理特性，它如何在被施加應力後並超出預期工作條件時（例如數據表的參數及安全工作區(SOA)）而失效。本章將進一步深入探討失效的物理原因 -- 採用晶圓級晶片尺寸封裝（WLCSP）的eGaN元件的熱機械可靠性。
Planet Analog
Chris Jakubiec
2016年9月7日
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宜普電源轉換公司（EPC）第八階段可靠性測試報告表明，氮化鎵元件經過超過8百萬元件小時的應力測試後，沒有失效元件。該報告詳細探討EPC在推出通過認證的產品之前所進行的應力測試，以及分析元件失效的物理原因。
Bodo’s Power Systems
2016年9月1日
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最近まで、D級オーディオに利用できるトランジスタは、パワーMOSFETだけでした。MOSFETのスイッチング特性は、D級アンプの直線性を非常に劣化させます。さらに、全高調波歪みや雑音を低減するために、フィードバック・ループの利得を高くしなければなりません。このフィードバックによって古い音が存在し続けることになり、豊かさと微妙な音色が失われる原因になります。加えて、過大な電力消費は、MOSFETベースのD級アンプのスイッチング周波数を制限します。窒化ガリウムのD級アンプは、直線性が優れているので非常にきれいな波形であり、小さなフィードバックと豊かなサウンドを実現できます。窒化ガリウム・トランジスタは、MOSFETに比べて、はるかに消費電力が小さいのでスイッチング周波数を高くすることができ、より高い分解能、より小型化が実現でき、より安価なフィルタ部品を利用できます。 窒化ガリウム・ベースのD級オーディオ・アンプは、より小型なシステムで、より豊かなサウンドを提供します。
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氮化鎵積體電路：提高伺服器的功效 --不論是大、小規模的數據中心都要面對減低功耗、冷卻及佔用空間等問題，而這些問題也是在伺服器內所面臨及需要解決的問題。有的時候，細微的改變也可帶來重大的效益。
TechBeacon
2016年8月2日
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宜普電源轉換公司（EPC）發佈第八階段可靠性測試報告。該報告表明，在累計超過800萬個元件-小時的應力測試後，沒有元件發生失效的情況。該報告詳細探討EPC元件在被確認為合格產品前所經受的各項應力測試，並且分析元件失效的物理原因。
宜普電源轉換公司宜普電源轉換公司的第八階段可靠性測試報告證明氮化鎵場效應電晶體（eGaN®FET）及積體電路在被確認為合格產品前，經受各種非常嚴謹並符合JEDEC認證標準的應力測試。
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Ismosys now represents EPC’s European sales, marketing, and technical support to assist customers in adopting eGaN® FETs and ICs for leading-edge power conversion systems using gallium nitride
EL SEGUNDO, Calif.—July 2016 — To support its accelerating growth throughout Europe, Efficient Power Conversion Corporation (EPC) is proud to announce the appointment of Ismosys as its sales, marketing, and technical support representative. Ismosys, founded in 1994, provides support to design houses, designers and engineers across Europe. This is achieved through 10 regional offices covering the entire EMEA and a significant centralized resource, fostering sales, driving marketing and enabling technical support.
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宜普電源轉換公司首席執行長及共同創辦人Alex Lidow在本PSDcast中與Power Systems Design 的Alix Paultre分享氮化鎵技術的發展趨勢。目前業界終於從多個製造商出發，開發出氮化鎵技術可以實現的各種解決方案，讓我們看到實際的design-in項目及基於氮化鎵功率元件的產品的出現。
收聽訪問內容
收聽PSDcast
Power Systems Design
2016年7月21日
在本投影片，EPC公司的Alexander Lidow分享他的公司如何帶領業界採用氮化鎵（GaN）技術，實現革命性的突破。
由於氮化鎵元件比矽元件高效，因此使數據中心節省大量能源，並且極具潛力可以推動電腦產業超越摩爾定律。
insideHPC
2016年7月20日
收聽訪問
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EPC與ASD公司啟動增值合作夥伴計劃，攜手為客戶共創美好未來，支援客戶利用基於eGaN®技術，從概念開發到產品製造，共同開發出全新的無線充電應用及其他的新興應用。
總部位於美國洛杉磯市、開發替代MOSFET技術的氮化鎵(eGaN)技術的宜普電源轉換公司(EPC) 與總部位於香港的創徽科技有限公司(ASD)宣佈攜手合作，共創新里程，針對客戶的目標應用，利用最新的eGaN技術爲客戶提供最佳的解決方案。
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基於氮化鎵材料的場效應電晶體正在顛覆功率轉換市場和替代矽基MOSFET。 與MOSFET相比，更快速的氮化鎵場效應電晶體（GaN FET）可以在最細小的體積內實現更高的開關速度。 氮化鎵元件的承諾是可以大大縮減電源供應器的體積及重量。為了實現最高的潛在性能， 這些具備高性能的氮化鎵電晶體需要最優化的閘極驅動器。
Peregrine Semiconductor
2016年7月12日
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在本系列的第一及第二章，我們詳細講解了關於EPC的增強型氮化鎵場效應電晶體(eGaN®FET)及積體電路(IC)的現場可靠性報告。具備優越的現場可靠性的eGaN元件展示出通過基於應力的認證測試可確保客戶的應用也可以非常可靠。本章將闡釋EPC元件在認證之前被置於及通過的各種應力測試。
Planet Analog
Chris Jakubiec
2016年7月9日
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人們用矽材料命名了“矽谷”，而矽材料現正面對全新並具有潛力的競爭對手 - 氮化鎵（GaN）材料。有說氮化鎵元件可以取得300億美元的半導體電源供應產業的市場份額。這個市場涵蓋了所有利用牆上的電源插座取得電源的產品—從Apple（AAPL）的iPhone充電器，以至Tesla（TSLA）的豪華電動汽車。
Investor's Business Daily
Allison Gatlin
2016年7月
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具備優越特性的eGaN® FET與積體電路可以實現的低成本解決方案是在發射端採用單個功率放大器，而在接收端無論是採用什麼標準，也可以實現無線充電。
宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出支援多模式的無線充電演示套件（EPC9121），從而簡化對基於eGaN® FET與積體電路的高效多模式無線充電系統進行評估的過程，該系統支援採用任何標準的接收器。
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Tuesday I was fortunate enough to have a meeting with Alex Lidow, founder of chip company EPC of El Segundo, California, and something of an luminary of the chip world. Lidow came up with the “power MOSFET,” a device that went on to be the basis of billions in semiconductor sales, in 1977.
His new company, whose initials stand for “Efficient Power Conversion,” proposes replacing silicon, the original basis of the MOSFET, and one of the most prevalent types of semiconductor around, with a different material, Gallium Nitride, commonly abbreviated as GaN — or “eGaN,” as Lidow calls the company’s new, improved form of GaN.
Barron's
Tiernan Ray
June 29, 2016
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There have been several comparisons of eGaN FETs with silicon MOSFETs in a variety of applications, including hard-switched, soft-switched, and high-frequency power conversion. These studies have shown that eGaN FETs have large efficiency and power density advantages over silicon MOSFETs. Here we’ll focus on the use of eGaN FETs in synchronous rectifier (SR) applications and the importance of dead-time management. We show that eGaN FETs can dramatically reduce loss due to dead-time in synchronous rectifiers above and beyond the benefits of low RDS(on)and charge.
Power Systems Design
By: Dr. John Glaser & Dr. David Reusch, Efficient Power Conversion
June 13, 2016
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ANDOVER, Mass.—At the front door of Raytheon's Integrated Air Defense Center, there's a reminder of how big microwave electronics used to be—the original microwave oven. The now ever-present kitchen device was invented after a Raytheon engineer discovered his candy bar melted while he was standing near a magnetron used in a radar system the company was developing. Nearly the size of a refrigerator, the original microwave looks like it would cook a whole lot more than whatever was put within its metal grate, which was meant to contain the microwaves from its magnetron.
Ars Technica
June 9, 2016
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The chip giant's execs are leaving the AirFuel Alliance as the company pivots away from PCs, but WiTricity was showing off Dell notebooks using its wireless charging mat at Computex.
ZDNet
Sean Portnoy
June 8, 2016
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