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Intel Ceases Work On Wireless Charging

Intel Ceases Work On Wireless Charging

For the last three years, Intel has been stoking demand for PCs ahead of the next big buying cycle with the promise that new machines will be totally wireless. “We carry around a lot of wires,” Kirk Skaugen, Intel’s senior PC exec said at Computex Taipei 2015. “We carry about six cables each for our phones, our tablets and our PCs. We want to get rid of all those cables.”

Forbes
Elise Ackerman
June 6, 2016
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Improving Thermal Performance with Chip-Scale Packaged Gallium Nitride Transistors

Improving Thermal Performance with Chip-Scale Packaged Gallium Nitride Transistors

With power converters demanding higher power density, transistors must be accommodated in an ever decreasing board space. Beyond gallium nitride based power transistors’ ability to improve electrical efficiency, they must also be more thermally efficient. This article evaluates the thermal performance of chip-scale packaged eGaN® FETs and compares their in-circuit electrical and thermal performance with state-of-the-art silicon MOSFETs.

Bodo’s Power Systems
David Reusch, Ph.D. and Alex Lidow, Ph.D.
June 1, 2016
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Intersil採用氮化鎵電源轉換積體電路,進一步擴大其業界領先、面向衛星應用的耐輻射產品系列

Intersil採用氮化鎵電源轉換積體電路,進一步擴大其業界領先、面向衛星應用的耐輻射產品系列

美國加州MILPITAS - 2016年5月 25日美通社專訊 --佔領電源管理和精確模擬解決方案的市場領導地位的Intersil Corporation (納斯達克指數NASDAQ代號: ISIL) 宣佈計劃進一步擴大其業界領先、面向衛星應用的耐輻射產品系列,在衛星及其他惡劣環境採用具備高可靠性的氮化鎵(GaN)電源轉換積體電路。

美通社
2016年5月25日
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5 Industries That Are Actually Ripe for Disruption

5 Industries That Are Actually Ripe for Disruption

The number one barrier to improving every electronic product – from smart wearables and laptops to handheld tools and electric cars – is battery technology. The current state-of-the-art in rechargeable batteries, Lithium Ion, has been around for 25 years. As tech goes, that’s pretty old. It’s time for something new, don’t you think?

Fortune
Steve Tobak
May 13, 2016
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eGaN技術的可靠性及元件失效的物理原因–確證eGaN FET的現場可靠性

eGaN技術的可靠性及元件失效的物理原因–確證eGaN FET的現場可靠性

宜普電源轉換公司(EPC)的增強型氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)及積體電路正在驅動最終用戶應用的發展,包括LiDAR、無線充電、DC/DC電源轉換、射頻發射基站、衛星系統及音訊放大器等應用。

從現場可靠性數據可以確證eGaN® FET及積體電路於客戶應用的品質。在本章節,我們分享eGaN® FET的可靠性及現場數據的概述,包括在過去六年間我們對量產及已經付運的eGaN產品所收集的可靠性現場數據,以及分析超過170億小時受測元件的現場數據。最後所得的FIT比率(109小時內發生失效的元件)大約是0.24,這是目前最好的現場可靠性測試結果。

Plant Analog
作者:Chris Jakubiec
2016年5月1 日
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EPC推出全新網上氮化鎵產品選型指南,可簡化高性能功率轉換系統的產品選型

EPC推出全新網上氮化鎵產品選型指南,可簡化高性能功率轉換系統的產品選型

採用先進氮化鎵電晶體及積體電路(IC)的功率系統設計工程師現在可以利用互動式、網上參數選型工具,替他們的功率轉換系統找出基於氮化鎵元件的最優解決方案。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出網上氮化鎵(GaN)產品選型及搜索工具。該互動式選型指南為功率系統設計工程師提供以下的優勢:

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面向數據中心的新一代電源供電方案可提高效率

面向數據中心的新一代電源供電方案可提高效率

資訊的數學基礎始於資訊理論之父Claude Shannon於1948的著作《通信的數學理論》。他把資訊通信簡化為1及0數位,實質上是二進位數字。該理論可以於現實世界中有雜訊的環境下,準確無誤地傳輸數據。Shannon在2016年4月30日本來是他的百年誕辰。

EDN Network
Steve Taranovich
2016年4月16日
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Freebird Semiconductor Partners with EPC for Development of Radiation Hardened Gallium Nitride Power Conversion Systems for Satellite and Harsh Environment Applications

Freebird Semiconductor Partners with EPC for Development of Radiation Hardened Gallium Nitride Power Conversion Systems for Satellite and Harsh Environment Applications

Freebird Semiconductor and Efficient Power Conversion (EPC) have entered into an agreement whereby Freebird will develop products for use in high reliability space and harsh environment applications based upon eGaN® power transistors and integrated circuits.

NORTH ANDOVER, MA. — April 2016 — Freebird Semiconductor Corporation, North Andover, Massachusetts announces the signing of an agreement with Efficient Power Conversion Corporation (EPC), the leading provider of enhancement-mode gallium nitride power transistors to develop products for use in high reliability, space, and harsh environment applications based upon EPC’s eGaN® technology.

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WiGaN: Low Cost Differential-Mode Wireless Power Class-E Amplifier Using eGaN FETs

WiGaN: Low Cost Differential-Mode Wireless Power Class-E Amplifier Using eGaN FETs

In this installment of WiGaN, a differential-mode class-E amplifier for 6.78 MHz loosely coupled resonant wireless power applications is presented. It uses the EPC2037 eGaN® FET which has a small (0.9 mm x 0.9 mm) footprint and can be driven directly with a logic gate. The amplifier is AirFuel™ Class 2 compatible, capable of delivery up to 6.5 W load power over an impedance range of 70j Ω.

EEWeb - Wireless & RF Magazine
Yuanzhe Zhang, Ph.D., Director of Applications Engineering
Michael de Rooij, Ph.D., Vice President of Applications Engineering
April 12, 2016
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What GaN circuits can do for wireless charging

What GaN circuits can do for wireless charging

In this short video, EPC's Alex Lidow explains why GaN FETs may make it possible to wirelessly charge a variety of vehicles, including flying drones. Wireless charging circuits employing GaN FETs work at 13.56 MHz, a switching frequency difficult to reach with ordinary silicon FETs. The GaN transistors used are also five to ten times smaller than silicon devices able to handle the same power levels.

Design World
April 11, 2016
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Why GaN circuits make better Lidar

Why GaN circuits make better Lidar

In this short video, EPC's Alex Lidow explains why GaN FETs can comprise circuits able to deliver Lidar resolutions down to a couple inches. Conventional silicon FETs performing the same tasks would be able to resolve images only down to a few feet. The secret is in the super-fast rise and fall times made possible by the GaN FETs.

Design World
April 11, 2016
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為何氮化鎵元件比矽元件"優勝6000倍"?

為何氮化鎵元件比矽元件"優勝6000倍"?

宜普電源轉換公司的首席執行長Alex Lidow說矽材料是半導體的主要材料,它一直以來是電子行業背後的推動力。可是,它的性能已經到了極限。位於美國洛杉磯的宜普公司正在探究以具備更高的性能的氮化鎵(GaN)元件顛覆市場並且取得矽元件價值4000億美元(2770億英鎊)的市場份額。Alex說:「這是業界首款比矽元件的成本更低並且具備更高的性能的半導體。」

Wired Magazine
Emma Bryce
2016年3月31日
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Highlights from APEC 2016 – GaN, 48V POL, wireless charging and more!

Highlights from APEC 2016 – GaN, 48V POL, wireless charging and more!

Emerging applications such as 48V-to-point-of-load (POL), wireless power and USB Type-C had a lot of interest. Google joined the Open Compute Project a few weeks ago and proposed a computer server-rack architecture based on a 48V power-distribution bus to improve overall system efficiency. While the 48V bus has been around for a long time, the push (and challenge) is for high-efficiency 48V-to-POL voltage regulators. EPC showcased TI’s 48V-to-1V EVM which uses the LMG5200 GaN module (driver and FETs), announced at APEC last year, and a new TI analog controller (TPS53632G).

TI E2E Community
Pradeep Shenoy
Mar 28, 2016
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2016年APEC研討會:在功率研討會上,工程師分享他們的真知灼見

2016年APEC研討會:在功率研討會上,工程師分享他們的真知灼見

您可能閱讀過ECN雜誌編輯(及新聞總監)所寫的關於幕後故事的推文,以及一張照片可比千言萬語表達得更好。可是,有的時候,聽聽工程師分享他們的感想及真知灼見可以是更有價值的體驗。

我就是這麼想,在加州Long Beach舉行的APEC會議上,與多位工程師及與會者見面以找出本屆APEC的內幕消息。我們比較了APEC與去年研討會的盛況、目前業界的主要發展方向及各公司對APEC研討會的評價。

ECNMag.com
作者:Kasey Panetta
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從2016年APEC研討會可以看到GaN的發展進程、更多關於電磁元件的討論內容及一個極具啟發性的全體會議

從2016年APEC研討會可以看到GaN的發展進程、更多關於電磁元件的討論內容及一個極具啟發性的全體會議

從本年的APEC研討會的各個討論題目顯然可以看到,氮化鎵功率技術的相關知識備受關注的程度,是前所未有的。採用氮化鎵技術的產品路演、全新產品及技術發佈、全體會議對氮化鎵技術的關注及其他討論題目都讓與會者感到氮化鎵功率元件已經來臨,而氮化鎵技術正在進駐市場。而且討論重點也稍微改變,從討論氮化鎵元件可以做什麼,改為討論需要其他什麼資源及支援,才可以實現基於氮化鎵功率電晶體的全新產品開發方案。

How2Power Today
David Morrison
2016年4月1日
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基於EPC的eGaN FET、採用高頻同步自舉拓撲結構及工作頻率可高達15 MHz的半橋式開發板

基於EPC的eGaN FET、採用高頻同步自舉拓撲結構及工作頻率可高達15 MHz的半橋式開發板

EPC公司的全新開發板可以被配置為一個降壓轉換器或ZVS D類放大器,展示出基於eGaN FET、採用同步自舉電路的閘極驅動器在高頻工作時可以減少損耗。

宜普電源轉換公司(EPC)推出EPC9066EPC9067EPC9068開發板,可以被配置為一個降壓轉換器或ZVS D類放大器。這些開發板專為功率系統設計師而設,對氮化鎵電晶體的優越性能進行評估方面提供了簡易方法,使得設計師的產品可以快速量產。三塊開發板都配備了具有零QRR、同步自舉整流器的閘極驅動器,從而在高達15 MHz的高頻工作條件下可以提高效率。該些開發板在降壓轉換器及D類放大器配置的最大輸出電流為2.7 A。在整個電流範圍都可以降低損耗。

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隨著「氮化鎵沙灘」的來臨,矽谷要當心了

隨著「氮化鎵沙灘」的來臨,矽谷要當心了

Alex Lidow是一个有使命感的人。他在美国加州成立的宜普电源转换公司(EPC)在全新应用中使用氮化镓(GaN)晶片而摒弃硅基技术。这些应用包括无线电源充电、4G LTE、扩增实景(AR)及全自动驾驶车辆等令人感到兴奋的应用领域。

可是,這種熱門新技術最後能否替代被普遍採用的矽基晶片及佔據其高達3000億美元的半導體市場份額嗎?

Fox Business
作者:Steve Tobak
2016年3月18日
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