氮化鎵技術已經成熟至可以挑戰傳統的矽技術。從2010年起，商用的低壓矽基氮化鎵功率元件實現了很多全新應用。具備高速開關性能的氮化鎵元件也推動了全新市場的出現，例如雷射雷達、波峰追蹤及無線電源市場。這些全新應用有助供應鏈的開發、實現低製造成本及良好的元件可靠性記錄。這一切對於比較保守的DC/DC轉換器、AC/DC轉換器及車載應用的設計工程師來說，是很好的理據，是時候開始對氮化鎵元件進行評了。本文探討加快採納氮化鎵元件的各項因素。

Electronics Weekly
2019年1月
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作為為支持DC/DC、雷射雷達（LiDAR）、無線電源應用等方面不斷擴大的客戶群進行擴展的一部分，宜普電源轉換公司（EPC）擴大了其在亞洲的團隊，增加的新成員將與整個亞太地區21個地區的客戶保持密切聯繫。

2018年11月28日— 為了支援在亞太地區正在加速的銷售增長，宜普電源轉換公司（EPC）宣佈擴大亞太地區的銷售和FAE團隊，以支援其不斷擴大的客戶群，積極獲取全新的業務發展及抓緊全新的市場商機。

As GaN-on-Si becomes more common in DC-DC converter designs, questions often arise from experienced designers about the impact of the unique characteristics of GaN transistors when used as synchronous rectifiers (SRs). In particular, the third quadrant off-state characteristics, better known as “body diode” conduction in Si MOSFETs, which is activated during converter dead-time, is of interest. For this article, the focus will be on the similarities and differences of Si MOSFETs and eGaN^® FETs when operated as a “body diode” and outline their relative advantages and disadvantages.

Bodo’s Power Systems
By David Reusch & John Glaser
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MIGVAN now represents EPC’s Israel sales, marketing, and technical support to assist customers in adopting eGaN^® FETs and ICs for leading-edge power conversion systems using gallium nitride

EL SEGUNDO, Calif.— October 2017 — To support its accelerating growth throughout Israel, Efficient Power Conversion Corporation (EPC) is proud to announce the appointment of MIGVAN as its sales, marketing, and technical support representative.  MIGVAN Technologies & Engineering Ltd, founded in 1988, is devoted to promoting and selling advanced technology electronic components and subsystems to the Israeli electronics industry.

這位在40年前成為博士的科學家曾為世界節省了15%電量，如今他正繼續自己的創新之旅，為人類找到了矽的全新替代材料。

我父親常常教導我：一個人的真正價值，是通過他對社會所作出的貢獻來衡量的。 1975年我進入研究生院學習，那時我的興趣在半導體領域，並且認為我對社會最大的貢獻，就是找到可以替代矽的半導體材料。我的研究生畢業課題從圍繞砷化鎵展開，但是直到在1977年獲得博士學位後，我才發現，作為一種半導體材料，砷化鎵受其基本材料特性所影響，它的應用前景非常有限，於是我轉而專注於研究如何製造出更好的矽基器件。

財富中文網 (Fortune China)
2017年6月15日
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從業界的觀點來看，只有可以爲人類提供效益及性能優勢的技術才能够生存。 主流技術CMOS就是一直爲業界提供無比的益處而得以長存。 當下的問題是CMOS技術將會變成夕陽産業嗎？新興的氮化鎵技術終於能够打破阻礙氮化鎵功率元件普及化的成本障礙。根據2015年DesignCon研討會的主講嘉賓所描述，氮化鎵技術可推動寬泛範圍的新興應用的發展，包括從無綫充電、全自動汽車以至更高效的移動通訊等應用。

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EETimes Asia
2015年2月