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在高頻降壓轉換器配備最優的版圖,使得在1MHz 頻率下開關時器件可實現96%以上的效率。
EEWeb
日期:2013年9月
作者:Alex Lidow
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當一種全新技術出現,如果認為工程師可以憑直覺知道如何有效及快速地實現這種具備更高性能的技術的優勢是不合理的,因為新技術必然有其學習曲線,氮化鎵技術也不例外。
氮化鎵場效應電晶體技術在2010年中從宜普公司推出業界第一種商用氮化鎵電晶體開始,提供予廣大電源轉換工程界使用。此後,宜普公司在繼續發展其產品系列之同時與系統設計工程師分享如何實現氮化鎵技術的優勢,其中一個教育專案是與Power Electronics雜誌合作,每兩個月撰寫關於氮化鎵技術的特性及其應用的文章。
這一系列文章名為“氮化鎵場效應電晶體與矽電源器件比拼文章”,專題探討使用氮化鎵器件的基本問題及獨特應用。 現在讓我們回顧共16章的文章,以幫助工程師加快其學習曲線之同時使我們知道需要什麼新議題及研究來推動採用氮化鎵技術,正如學習是永無休止的。
作者:宜普公司產品應用副總裁Johan Strydom博士、應用工程行政總監Michael de Rooij博士及應用總監David Reusch博士
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使用功率MOSFET的功率系統設計工程師可簡單地改用增強型氮化鎵電晶體。氮化鎵器件的基本工作特性與MOSFET器件相同,但在高效設計中必需考慮幾個特性,從而發揮這種新一代器件的最大優勢。
Alex Lidow
EEWeb
2013年7月
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由於基於氮化鎵的功率器件擁有龐大市場潛力,因此吸引更多全新供應商生產該器件,致使製造商的數量正穩步增加。
網上雜誌:How2Power
日期:2013年6月
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封裝的缺點是增加功率MOSFET器件的尺寸及成本,並增加阻抗和電感,從而降低器件的性能。宜普電源轉換公司Alex Lidow辯說最有效的解決方案是不用封裝,使 氮化鎵高電子遷移率電晶體與等效矽器件相比,具有相同成本的優勢。
雜誌:Compound Semiconductor
日期:2013年6月
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在EEWeb Pulse 訪問裡,宜普公司首席執行長Alex Lidow討論如何推動氮化鎵器件的廣泛應用。
EEWeb Pulse
日期:2013年6月
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領導增強型氮化鎵電晶體發展的宜普電源轉換公司的首席執行長Alex Lidow首次在EEWeb.com撰寫全新專欄,每月與設計工程師討論矽基氮化鎵功率器件可以 替代舊有功率MOSFET器件。
EEWeb.com
作者:Alex Lidow
日期:2013年6月
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雖然氮化鎵場效應電晶體被設計及優化為一種開關功率器件,但該電晶體也具備良好的射頻特性。 本章是關於氮化鎵場效應電晶體在200 MHz至2.5 GHz頻率範圍的射頻特性的第1部分。
作者:宜普公司應用工程行政總監Michael de Rooij博士、產品應用副總裁Johan Strydom博士及Peak Gain Wireless總裁Matthew Meiller
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宜普產品應用總監David Reusch博士 /銷售及推廣副總裁Stephen L.Colino
在24 V直流系統裡採用的傳統負載點轉換器,設計工程師需要權衡使用一個高成本的隔離型轉換器及使用一個低頻及低效的降壓轉換器。與通常在電腦系統裡使用的12 V負載點轉換器相比,較高壓的24 V負載點轉換器因為需要考慮開關節點的振鈴而需增加場效應電晶體的電壓至最少達40 V,以及增加換向損耗及輸出電容損耗。宜普公司的氮化鎵場效應電晶體由於具備超低QGD性能,從而可實現低換向損耗,並具備低QOSS性能,以實現較低輸出電容損耗。
此外,宜普公司的氮化鎵場效應電晶體具備創新的晶片級柵格陣列封裝,在高頻功率環路及閘極驅動環路,及最重要的在這些環路的共通路徑(稱共源電感)都可容許超低電感,從而把換向損耗減至最低。氮化鎵器件的低電荷及共源電感可幫助設計工程師通過提高頻率使功率密度得以提高而並沒有像傳統MOSFET器件那樣需要折衷效率。
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EPC is honored to be recognized as a 2012 All Star by Constant Contact. This status is an annual designation that only 10% of Constant Contact customers achieve. It is awarded to companies making extra efforts to engage customers. We would like to thank all who have supported us. If you are not already receiving our newsletter please join our list @ http://bit.ly/qr28tu
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作者:宜普公司產品應用總監David Reusch博士
在不同的應用裡與矽MOSFET器件相比,增強型氮化鎵基電源器件如氮化鎵場效應電晶體展示了它可以實現更高效及更高開關頻率的性能。氮化鎵場效應電晶體具備改善了的開關品質因數,因此封裝及印刷電路板版圖的寄生電感對性能的影響非常重要。在本章及本部分我們將討論在負載點降壓轉換器的應用(工作於開關頻率為1 MHz、輸入電壓為12 V、輸出電壓為1.2 V及輸出電流達20 A的條件下),寄生電感對基於氮化鎵場效應電晶體及MOSFET器件的轉換器在性能方面的影響。
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