應用於功率轉換領域的矽器件的性能已接近其理論極限。氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）將取代大部分市值120億美元的矽功率MOSFET市場。目前已經有產品投產，其性能比矽器件的理論性能極限好5至10倍。

雜誌：Bodo’s Power Systems
作者：Alex Lidow
2014年5月

在過去幾年間，無線電源傳送應用逐漸流行，尤其是替可擕式裝置充電的應用。宜普公司在本章討論使用鬆散耦合線圈、高度諧振的無線電源解決方案，符合A4WP標準並適合工作在免執照、給工業、科學及醫療用電器設備（ISM）使用的6.78 MHz或13.56 MHz頻率。

雜誌：Bodo’s Power Systems
作者：Alex Lidow博士及Michael De Rooij博士
2014年5月

Produced by industry experts, EPC has posted an eleven-part educational video podcast series on the theory, design basics and applications for gallium nitride power transistors.

EL SEGUNDO, Calif. – April 2014 - Efficient Power Conversion Corporation (www.epc-co.com) has created and posted on line an eleven-part educational video podcast series designed to provide power system design engineers a technical foundation and application-focused toolset on how to design more efficient power conversion systems using gallium nitride-based transistors.

EPC9016開發板內含40 V增強型氮化鎵場效應電晶體（eGaN®FET），是一種25 A最大輸出電流並採用並聯配置的電路設計，可提高電流能力達67%，其最優版圖技術可實現最優化效率。

宜普電源轉換公司宣佈推出EPC9016採用半橋式配置的開發板，專為採用氮化鎵場效應電晶體的大電流、高降壓比、降壓中間匯流排轉換器(IBC)應用而設。與採用單一高側（控制）場效應電晶體相比，我們並聯了兩個低側（同步整流器）場效應電晶體使得傳導時間更長。

This column evaluated the ability to parallel eGaN^® FETs for higher output current applications by addressing the challenges facing paralleling high speed, low parasitic devices, and demonstrated an improved paralleling technique. For experimental verification of this design method, four parallel half bridges in an optimized layout were operated as a 48 V to 12 V, 480 W, 300 kHz, 40 A buck converter, and achieved efficiencies above 96.5%, from 35% to 100% load. The design method achieved superior electrical and thermal performance compared to conventional paralleling methods and demonstrated that high speed GaN devices can be effectively paralleled for higher current operation.

EEWeb
By: Alex Lidow
April, 2014

宜普公司首席執行長及共同創辦人Alex Lidow 將與工程師分享專為工作在10 MHz頻率範圍而設的全新增強型氮化鎵（eGaN^®）高電子遷移率電晶體系列，由於這些電晶體在經過輻射照射後仍然具高可靠性，因此它們是高可靠性應用的理想器件。

矽基增強型功率氮化鎵場效應電晶體之全球領導廠商宜普電源轉換公司將在四月三日於美國南卡羅來納州的Charleston市舉行的第39屆GOMACTech年度研討會演講。

在德州Fort Worth舉行的APEC 2014年度IEEE功率電力電子研討會已經完滿結束。 該研討會的多個議題讓與會者留下深刻印象，其中一個是經歷了饒具趣味的進程的氮化鎵（GaN）功率電晶體。詳情請訪問 http://electronicdesign.com/blog/pmbus-gan-and-more-dominate-apec-2014。

Electronic Design雜誌
2014年3月

EPC公司Michael de Rooij與Power Systems Design 雜誌編輯Alix Paultre分享無線電源傳送解決方案

Power Systems Design雜誌
2014年3月
觀看視頻

Yole Développement市場研究公司將於本星期發表關於“矽襯底氮化鎵基技術及LED與功率電子市場”研究報告。分析員相信功率電子應用將普遍採納矽基氮化鎵技術。功率電子市場所涵蓋的應用包括交流-直流或直流-交流電源轉換，這些應用皆面對很大的電源損耗並隨著更高功率及更高工作頻率而增加。由於目前的矽基技術已接近其極限，因此很困難達到業界所需的更高要求。

詳情請訪問 http://powerelectronicsworld.net/article/0/79693-yole-power-to-dominate-gan-on-silicon-market.html。

宜普公司專家將于三個業界技術研討會演講：第十三屆慕尼克上海電子展 - 國際電力電子創新論壇、IIC電子工程盛會 - 2014年春季論壇及臺灣寬能隙電力電子研發聯盟舉辦的寬能隙電力電子國際研討會。

矽基增強型功率氮化鎵(eGaN^®)功率電晶體之全球領導廠商宜普電源轉換公司將於亞太區業界技術研討會進行三場技術演講。

由於德國航空太空中心的機械人及機械電子研究院（Robotics and Mechatronics Institute ）對改善感測器及功率電子的興趣很大，我們利用開發全新機械人的機會來評估宜普電源轉換公司（EPC）的全新增強型氮化鎵場效應電晶體技術並與我們目前最優秀的逆變器設計進行比較。

雜誌 ：Bodo’s Power Systems
作者：德國航空太空中心 (DLR) Robin Gruber
日期：2014年3月

EPC8010 100 V gallium nitride FET is optimized for high frequency applications with positive gain into the 3 GHz range.

EL SEGUNDO, Calif. – January 2014 – Efficient Power Conversion Corporation, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride on silicon (eGaN^®) power FETs extends its family of high-speed, high performance transistors with the EPC8010 power transistor. Sold in die form, the EPC8010 is a mere 1.75 mm² with 100 V_DS. Optimized for high speed switching, the EPC8010 has a maximum R_DS(on) of 160 milliohms and input gate charge in the hundreds of pico-coulombs.

The quality of sound reproduced by an audio amplifier, measured by critical performance parameters such as THD (Total Harmonic Distortion), damping factor (DF), and T-IMD (Inter-modulation Distortion), is influenced by the characteristics of the switching transistors used. Class-D audio amplifiers typically use power MOSFETs, however, lower conduction losses, faster switching speed, and zero reverse recovery losses provided by enhancement-mode GaN (eGaN) FETs enable a significant increase in the sonic quality, and higher efficiency that can eliminate heatsinks. The result is a system with better sound quality in a smaller form factor that can be built at a lower cost.

EEWeb
By: Alex Lidow
February, 2014

Enhancement-mode gallium nitride transistors have been commercially available for over four years and have infiltrated many applications previously monopolized by the aging silicon power MOSFET. There are many benefits derived from the latest generation eGaN® FETs in new emerging applications such as highly resonant wireless power transfer, RF envelope tracking, and class-D audio. This article will examine the rapidly evolving trend of conversion from power MOSFETs to gallium nitride transistors in these new applications.

Power Pulse
By: Alex Lidow
February, 2014

EPC9013開發板內含100 V氮化鎵場效應電晶體（eGaN®FET），是一種35 A最大輸出電流並採用四個半橋式配置的電路設計及配備一個板載柵極驅動器。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出全新開發板 EPC9013 ，內含100 V增強型氮化鎵場效應電晶體（EPC2001），使用四個半橋式並聯配置及一個板載柵極驅動器，以降壓模式工作在達35 A最大輸出電流。這種創新設計可增加輸出功率之同時並不會降低效率。

本章展示氮化鎵場效應電晶體如何推動具高度諧振、鬆散耦合性、工作在6.78 MHz ISM頻帶的無線電源傳送技術，實現高效無線能源傳送，並與工程師分享使用電壓模式D類及E類方法的範例。

EEWeb
作者：Alex Lidow
日期：2014年1月

Examining new products released by: Texas Instruments, Analog Devices, Linear Technology, Maxim-Integrated, Intersil, Fairchild, EPC, and IR, Don Tuite finds a common thread: the companies’ products are doing the heavy lifting for their customers.

Electronic Design
Don Tuite
January 6, 2014

宜普電源轉換公司的元件模型被納入國家儀器公司最新推出的Multisim 13.0，已為數千名工程師提供一個易於使用的環境，用以模擬採用EPC元件的功率轉換系 統，從而提高功率系統效率、縮小產品尺寸及降低設計功率轉換系統的開發成本。

矽基增強型功率氮化鎵場效應電晶體之全球領導廠商宜普電源轉換公司宣佈其增強型功率氮化鎵場效應電晶體（eGaN® FET）SPICE模型被收納入國家儀器（NI）最新 推出的 Multisim 電路類比及設計軟體。Multisim提供全方位的電路分析工具，幫助工程師從先進功率轉換系 統的應用中易於計算、改變及查尋參數。

本章我們回到討論硬開關轉換器，但不同的是電晶體在更高頻率的條件下工作，超越矽技術的實際限制。

EEWeb
作者： Alex Lidow
2013年12月

基於40Ｖ氮化鎵場效應電晶體（EPC2014）的EPC9005開發板旨在幫助工程師于短時間內設計具備高頻開關性能的電源轉換系統

宜普公司宣佈EPC9005開發板在中國榮獲兩個媒體頒發2013年度獎項，分別為今日電子雜誌頒發2013年度十大電源產品獎的“優化開發獎”及EDN China雜誌頒發2013年度中國創新獎的“優秀產品獎”。

“我們感到非常榮幸我司的產品得到今日電子雜誌及EDN China雜誌頒發業界年度獎項，表彰我們在技術創新方面所做出的努力。基於40 V氮化鎵場效應電晶體（EPC2014）的EPC9005開發板可幫助工程師于短時間內設計具備高頻開關性能的電源轉換系統。EPC9005開發板是一種已製作好及易於連接的開發板，並備有完善歸檔的技術支援資料，使工程師可輕鬆地利用氮化鎵場效應電晶體設計產品。在此我們再次感謝媒體朋友及工程師一直以來對我們的支持！”宜普公司首席執行長 Alex Lidow說。