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EPC9106 D類音頻放大器參考設計使用具備高頻開關性能的氮化鎵功率電晶體，展示在提升效率、縮小產品尺寸及不需散熱器之同時可實現具專業消費類水準的高質音響效果。
宜普電源轉換公司推出150 W、8 Ω D類音頻放大器的參考設計（EPC9106）。該演示板使用 Bridge-Tied-Load (BTL)設計，配置四個具接地連接的半橋輸出級電路，為可升級及可拓展的設計。在這個基於氮化鎵場效應電晶體的系統中，我們把所有可影響D類音頻系統音質的元素減至最少或完全去除。
EPC9106演示板含EPC2016氮化鎵場效應電晶體及德州儀器公司的100 V半橋柵極驅動器（LM5113）。該板展示了使用具備高頻開關性能的氮化鎵場效應電晶體並配備專有驅動器LM5113，可以實現小尺寸、高音質的理想效果。EPC9106演示板的設計由於高效，因此可以完全不用散熱器，因此也可以減低發生EMI/EMC發射的機會。
EPC9106開發板的超小型電源模組（11 mm x 11 mm）包含氮化鎵場效應電晶體（eGaN®FET）、驅動器、電感器及輸出／輸入電容。尺寸雖小，EPC9106參考設計在150 W、8 Ω可實現96%效率，並在250 W、4 Ω實現92%效率。
客戶如果對我們的D類音頻放大器中的氮化鎵場效應電晶體及以上的演示板有興趣，我們可以安排FAE工程師與您會面。請聯繫：
氮化鎵場效應電晶體器件的設計資訊及技術支援：
宜普公司簡介
宜普公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商，為首家公司推出替代功率MOSFET器件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體，其目標應用包括伺服器、無線電源傳送、波峰追蹤、射頻傳送、以太網供電、太陽能微型逆變器及D類音頻放大器等應用，器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com.tw。
客戶在Twitter的網址http://twitter.com/#!/EPC_CORP 可以找到EPC，而面書在http://www.facebook.com/EPC.Corporation，也可以在我們的網頁 www.epc-co.com.tw 註冊，定期收取EPC公司的最新產品資訊。
商標
eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。
媒體聯絡人
Winnie Wong ([email protected])[email protected])
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在開關頻率10 MHz或以上，電源轉換需要具備高速開關的電晶體並配備在高頻工作的封裝。相比日漸老齡化的功率MOSFET器件，由於氮化鎵場效應電晶體（eGaN® FET）提供無可匹敵的器件性能及封裝，因此可以在高頻時提高電源轉換效率。
Bodo’s Power Systems
客席編輯 Alex Lidow
2013年11月
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增強型氮化鎵場效應電晶體商用化已經超過四年，並不斷滲透及進駐本來被矽功率MOSFET器件所壟斷的應用領域。
Power Pulse
作者：Alex Lidow
2013年10月
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宜普公司的增強型氮化鎵場效應電晶體備受推薦，其商用高鉛含量的EPC2801、EPC2815及EPC2818器件現在可以在網上購買。
宜普公司（www.epc-co.com.tw）推出帶高鉛含量焊錫端子的器件，非常適合要求更高焊接溫度的應用。EPC2801、EPC2815及EPC2818器件的焊接端子中鉛含量為95%，而錫含量為5%。
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With the introduction of this family of eGaN® FETs, power systems and RF designers now have access to high performance gallium nitride power transistors enabling innovative designs not achievable with silicon.
October, 2013
Bodo's Power Systems
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我們在本章討論在隔離型直流-直流功率轉換中使用更複雜的硬開關轉換器。
EEWeb
作者：Alex Lidow
2013年10月
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封裝的缺點是增加功率MOSFET器件的尺寸及成本，並增加阻抗和電感，從而降低器件的性能。宜普電源轉換公司Alex Lidow辯說最有效的解決方案是不用封裝，使 氮化鎵高電子遷移率電晶體與等效矽器件相比，具有相同成本的優勢。
雜誌：Compound Semiconductor
日期：２０１３年6月
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EPC2018 氮化鎵功率電晶體於直流-直流電源轉換及D類音頻放大器的應用發揮卓越性能及實現高頻開關
宜普電源轉換公司2013年9月宣佈推出增強型氮化鎵功率電晶體系列產品中的最新成員- EPC2018。
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在高頻降壓轉換器配備最優的版圖，使得在1MHz 頻率下開關時器件可實現96%以上的效率。
EEWeb
日期：2013年9月
作者：Alex Lidow
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當一種全新技術出現，如果認為工程師可以憑直覺知道如何有效及快速地實現這種具備更高性能的技術的優勢是不合理的，因為新技術必然有其學習曲線，氮化鎵技術也不例外。
氮化鎵場效應電晶體技術在2010年中從宜普公司推出業界第一種商用氮化鎵電晶體開始，提供予廣大電源轉換工程界使用。此後，宜普公司在繼續發展其產品系列之同時與系統設計工程師分享如何實現氮化鎵技術的優勢，其中一個教育專案是與Power Electronics雜誌合作，每兩個月撰寫關於氮化鎵技術的特性及其應用的文章。
這一系列文章名為“氮化鎵場效應電晶體與矽電源器件比拼文章”，專題探討使用氮化鎵器件的基本問題及獨特應用。 現在讓我們回顧共16章的文章，以幫助工程師加快其學習曲線之同時使我們知道需要什麼新議題及研究來推動採用氮化鎵技術，正如學習是永無休止的。
作者：宜普公司產品應用副總裁Johan Strydom博士、應用工程行政總監Michael de Rooij博士及應用總監David Reusch博士
閱讀文章
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使用功率MOSFET的功率系統設計工程師可簡單地改用增強型氮化鎵電晶體。氮化鎵器件的基本工作特性與MOSFET器件相同，但在高效設計中必需考慮幾個特性，從而發揮這種新一代器件的最大優勢。
Alex Lidow
EEWeb
2013年7月
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由於基於氮化鎵的功率器件擁有龐大市場潛力，因此吸引更多全新供應商生產該器件，致使製造商的數量正穩步增加。
網上雜誌：How2Power
日期：２０１３年6月
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封裝的缺點是增加功率MOSFET器件的尺寸及成本，並增加阻抗和電感，從而降低器件的性能。宜普電源轉換公司Alex Lidow辯說最有效的解決方案是不用封裝，使 氮化鎵高電子遷移率電晶體與等效矽器件相比，具有相同成本的優勢。
雜誌：Compound Semiconductor
日期：２０１３年6月
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在EEWeb Pulse 訪問裡，宜普公司首席執行長Alex Lidow討論如何推動氮化鎵器件的廣泛應用。
EEWeb Pulse
日期：2013年6月
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領導增強型氮化鎵電晶體發展的宜普電源轉換公司的首席執行長Alex Lidow首次在EEWeb.com撰寫全新專欄，每月與設計工程師討論矽基氮化鎵功率器件可以 替代舊有功率MOSFET器件。
EEWeb.com
作者：Alex Lidow
日期：２０１３年6月
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