硅功率MOSFET未能跟上电力电子行业的发展变化，而效率、功率密度和更小的外形尺寸等因素是行业的主要需求。 硅MOSFET器件的性能已达到其理论极限，并且由于电路板的空间非常宝贵，因此功率系统设计人员必需找出替代方案。 氮化镓（GaN）器件是一种高电子迁移率晶体管（HEMT），这种半导体正为新兴应用不断增值。

EETimes
2020年8月
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新一代200 V 氮化镓场效应晶体管（eGaN^® FET）是48 V_OUT同步整流、D类音频放大器、太阳能微型逆变器和功率优化器，以及多电平、高压AC / DC转换器的理想功率器件。

增强型硅基氮化镓（eGaN）功率场效应晶体管和集成电路的全球领导厂商宜普电源转换公司（EPC）最新推出的两款200 V eGaN FET（EPC2215和EPC2207），性能更高而同时成本更低，目前已有供货。采用这些领先氮化镓器件的应用十分广阔，包括D类音频放大器、同步整流器、太阳能最大功率点跟踪器（MPPT）、DC/DC转换器（硬开关和谐振式），以及多电平高压转换器。

氮化镓技术帮助业界实现从使用内燃机汽车改为电动及智能汽车的转变。

Power Systems Design
2020年7月/8月刊 – 第39页
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In this inaugural episode, guests are Alex Lidow, CEO of Efficient Power Conversion Corp., and Dinesh Ramanathan, co-CEO of NexGen Power Systems. EPC and NexGen both have expertise with gallium nitride technology and GaN power devices. EETimes speaks with both about the technology and about the market for GaN power devices.

EETimes
August, 2020
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Gallium nitride (GaN) power devices have been in volume production since March 2010 and have established a remarkable field-reliability record. An automotive application using GaN power devices in high volume is lidar (light detection and ranging) for autonomous vehicles. Lidar technology provides information about a vehicle’s surroundings, thus requiring high accuracy and reliability to ensure safety and performance. This article will discuss a novel testing mechanism developed by Efficient Power Conversion (EPC) to test eGaN devices beyond the qualification requirements of the Automotive Electronics Council (AEC) for the specific use case of lidar.

eeNews Europe
July 30, 2020
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就像生活要面对现实一样，老年人离开舞台而让位给年轻人，硅器件也是需要向现实低头。 随着氮化镓器件的问世和普及，正逐步淘汰旧有可靠的硅器件。 在过去的四十年中，随着功率MOSFET器件的结构、技术和电路拓扑的创新与不断增长的电力需求同步发展，电源管理的效率和成本一直以来得以稳步改善。 但是，在业界发展的新时代，随着硅功率MOSFET器件接近其理论极限，其演进速度下降了很多。 同时，新材料氮化镓的理论性能极限稳步发展，其性能极限比老化的MOSFET器件高出6,000倍，并且比目前市场上最好的氮化镓产品高出300倍。

EEWeb
2020年7 月16日
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美国微芯科技公司（Microchip Technology Inc.）的数字信号控制器（DSC）与宜普电源转换公司（EPC）的超高效氮化镓场效应晶体管（eGaN^®FET）的结合，可实现最佳功率密度（730 W/in³），从而实现高效、低成本的DC-DC转换。

EPC公司宣布推出1/16砖式、300 W DC/DC稳压器（EPC9143）。 EPC9143功率模块把Microchip dsPIC33CK数字信号控制器（DSC）和最新一代eGaN FET（EPC2053）集成在一起，实现25 A、48 V/12 V和96％效率的功率转换。

在EEWorld “虚拟圆桌会议” 关于D类音频的讨论的第二部分中，我们的小组成员深入探讨了新兴氮化镓器件（GaN）对D类设计的影响：硅器件在哪方面仍然占主导地位？ 在D类放大器中使用GaN的性能优势是什么？ D类放大器中GaN与硅的未来预期趋势如何？

参加这个虚拟圆桌会议包括Analog Devices公司音频系统架构师Joshua LeMaire（JL）、 宜普电源转换公司（EPC）战略技术销售副总裁Steve Colino（SC）和 英飞凌（Infineon ）D类音频应用工程主管Jens Tybo Jensen（JTJ）。

EEWorld Online
2020年7月
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氮化镓功率晶体管是面向严苛航太任务的功率和射频应用的理想器件。 通过全新基于eGaN^®器件的解决方案，EPC Space公司提供专门为商业卫星关键应用而设计的氮化镓器件，可确保器件的耐辐射性能和对单粒子效应的免疫能力。 这些器件具有极高的电子迁移率、低温度系数和非常低的导通阻抗。

EETimes
2020年7月
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A high power 1/16^th brick converter using GaN FETs could increase maximum load current in these designs.

Electronics Specifier
July, 2020
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增强型氮化镓（eGaN^®）技术使能新一代功率转换器，让转换器能够在更高的频率、更高的效率和前所未有的高功率密度下工作。 与硅MOSFET器件相比，eGaN器件还具有更优越的耐辐射性能。

Bodo’s Power Systems
2020年7月
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Efficient Power Conversion (EPC) will showcase the company’s latest ePower™ Stage IC family of products showing how GaN technology’s superior performance is transforming power delivery for computing, communications, robotics, and transportation at the PCIM Europe 2020 Digital Days.

EL SEGUNDO, Calif.— June 2020 — The EPC team will be delivering three technical presentations and participating in two panel discussions on gallium nitride (GaN) technology and applications at the upcoming PCIM Europe 2020 Digital Days, July 7 – 8. In addition, the company will participate in the event’s virtual exhibit, showing its latest eGaN FETs and ICs in customers’ end products that are rapidly adopting eGaN technology.

这些器件为什么越来越受欢迎？还有什么方面需要改善的？氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率器件的制造商将推出下一代具备全新性能和高规格的产品。但是，在系统中采用这些器件之前必需证明它们是可靠的。

Semiconductor Engineering
2020年6月
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面向关键宇航应用及其它高可靠性应用环境，合资公司EPC Space为客户提供先进、高可靠性的氮化镓功率转换解决方案，从而确保更可靠的操作和任务成功。

宜普电源转换公司（EPC）与VPT公司（海科航空公司旗下公司、NYSE交易代号为HEI.A及HEI）宣布成立合资公司EPC Space LLC，针对卫星及高可靠性应用，从事设计和制造耐辐射、采用封装、通过测试和经认证合格的硅基氮化镓晶体管和集成电路。

在超过四十年中，随着功率MOSFET器件的结构、技术和电路拓扑的创新，可满足不断增长的电力需求，因此改善了电源管理的效率和成本。 然而，在这新世纪的发展，随着硅功率MOSFET器件已经接近其理论极限，其改进速度已大为减慢。 与此同时，一种全新材料 - 氮化镓（GaN）- 正朝着新的理论性能领域的方向，稳步发展，其性能是老化的MOSFET器件的6,000倍，以及是目前市场的最优越GaN器件的300倍。

EETimes
2020年6月
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Over the past decade computers, displays, smart phones and other consumer electronics systems have become thinner while also becoming more powerful. As a result, the market continues to increase its demand for thinner power supply solutions with greater power density. This article examines the feasibility of adopting various non-isolated dc-dc stepdown topologies for an ultra-thin 48-V to 20-V, 250-W power solution.

How2Power
May, 2020
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Brushless DC (BLDC) motors are a popular choice and are finding increasing application in robotics, drones, electric bicycles, and electric scooters. All these applications are particularly sensitive to size, weight, cost, and efficiency. A monolithically integrated GaN power stage is demonstrated powering a 400 W capable BLDC motor with low switching losses and significant savings in size and weight.

Power Electronics Europe
May, 2020
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Beyond just performance and cost improvement, the most significant opportunity for GaN technology to impact the power conversion market comes from its intrinsic ability to integrate multiple devices on the same substrate. GaN technology, as opposed to standard silicon IC technology, allows designers to implement monolithic power systems on a single chip in a more straightforward and cost-effective way.

Bodo’s Power Systems
May, 2020
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Starting on page 13 of this story, EPC discusses with David Morrison the latest GaN developments meant for APEC. Alex Lidow, CEO and co-founder of EPC, discussed his company’s new power stage ICs, their development of GaN-based reference designs using a multi-level topology and various demos that were originally bound for APEC.

How2Power Today
April, 2020
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EPC公司进一步更新了其广受欢迎的教育视频播客系列，上载了６个视频，针对器件可靠性及基于氮化镓场效应晶体管及集成电路的各种先进应用，包括面向人工智能的高功率密度运算应用，面向机械人、无人机及车载应用的激光雷达系统，以及Ｄ类放音频放大器。

宜普电源转换公司（EPC）更新了其广受欢迎的“如何使用氮化镓器件”的视频播客系列。刚刚上载的六个视频主要分享实用范例，目的是帮助设计师利用氮化镓技术设计面向人工智能服务器及超薄笔记本电脑的先进DC/DC转换器、面向机械人、无人机及全自动驾驶汽车的激光雷达系统，以及实现有可能是具有最高音质的音频系统。