宜普电源转换公司（EPC）新推线上论坛，为工程师提供产品信息、答疑解难和分享採用氮化镓技术的应用现状和发展趋势。

宜普电源转换公司宣布新推"GaN Talk支持论坛"，为工程师提供产品信息和技术支持，从而了解氮化镓（GaN）技术的应用现状和发展趋势。该论坛专为工程师、工程专业学生和所有氮化镓技术爱好者而设，为用户答疑解难和提供互相交流的平台。提问可以用主题类别、热门话题或最新帖子搜索。除了提问外，用户还可以在论坛使用帖子中的"分享"链接参看所有之前的提问和反馈。

基于氮化镓器件的逆变器参考设计EPC9173无论是在尺寸、性能、续航里程、精度和扭矩方面，优化了电机系统且简化设计和加快产品推出市场的时间。我们可以把这种微型逆变器放进电机外壳中，从而把电磁干扰减到最小、实现最高的功率密度和最轻的重量。

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出EPC9173，它是一款三相无刷直流电机驱动逆变器，采用具备嵌入式栅极驱动器功能的EPC23101 eGaN^®集成电路和一个3.3 mΩ导通电阻的浮动功率氮化镓场效应晶体管。EPC9173在20 V和85 V之间的输入电源电压下工作，峰值电流可高达50 Apk（35 A_RMS）。这种电压范围和功率水平使该解决方案成为各种电机驱动应用的理想器件，包括电动自行车、滑板车、城市汽车、无人机和机器人。

宜普电源转换公司（EPC）新推40 V、1.1 mΩ的氮化镓场效应晶体管（EPC2066），为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面积受限的应用。

全球行业领先供应商宜普电源转换公司 为业界提供增强型氮化镓（eGaN^®）功率场效应晶体管和集成电路，新推40 V、典型值为0.8 mΩ的EPC2066氮化镓场效应晶体管，为客户提供更多可选的低压氮化镓晶体管和可以立即发货。

Sensitron introduces the SPG025N035P1B GaN half-bridge module using the 350 V EPC2050 eGaN^® FET from Efficient Power Conversion (EPC)

EL SEGUNDO, Calif.— May 2022, Reducing size and cost were key concerns of Sensitron when designing their latest generation GaN power modules. By replacing traditional silicon FETs with EPC’s 350 V, EPC2050 GaN FET, Sensitron was able to reduce the size of their solution by 60% while also improving the module’s already excellent junction-to-case thermal conduction. The SPG025N035P1B from Sensitron is a high-power density 350 V, 20 A GaN half bridge with an integrated gate drive, optimized for stray inductance and switching performance at 500 khz. Rated at 20 A, the module can be used to control over 3 kW. Sensitron’s proprietary topside cooling technology on this ultra-small, lightweight high power density package (1.10" x 0.70" x 0.14") allows for optimal thermal performance. The SPG025N035P1B was designed for commercial, industrial, and aerospace applications.

宜普电源转换公司（EPC）新推100 V、2.2 mΩ的氮化镓场效应晶体管（EPC2071）,为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面积受限的应用。

全球行业领先供应商宜普电源转换公司为业界提供增强型氮化镓（eGaN^®）功率场效应晶体管和集成电路，最新推出100 V、典型值为1.7 mΩ 的EPC2071氮化镓场效应晶体管，为客户提供更多可选的低压氮化镓晶体管和可以立即发货。

宜普电源转换公司(EPC)扩展了其耐辐射氮化镓产品系列，新推的200 V产品用于要求严格的机载和其他高可靠性环境下的电源转换解决方案，它具备超低的导通电阻和极小型化等优势。

EPC公司宣布推出200 V、25 mΩ、80 A_Pulsed的耐辐射GaN FET EPC7007。尺寸小至5.76 mm²，其总剂量等级大于1 Mrad，线性能量转移（LET）的单一事件效应（SEE）抗扰度为85 MeV/(mg/cm²)。与商用eGaN FET和IC系列相同，采用芯片级封装。 封装器件将由EPC Space提供。

EPC公司的氮化镓专家将在PCIM 欧洲展会分享多项现场演示以阐释卓越的氮化镓技术如何为许多应用的功率转换带来革命性突破，包括计算、通信和e-mobility。

宜普电源转换公司（EPC）团队将于5月10日至12日在德国纽伦堡举行的PCIM 欧洲2022展览进行多场关于氮化镓技术的演讲和专业研讨会，详请如下。 此外，我们将在展位（9号厅、113号展台）展出采用新型eGaN^®FET 和 IC的客户的最新终端产品。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出通过车规认证的晶体管和集成电路最新成员，针对飞行时间（ToF）激光雷达应用，让客户实现具有更高的性能和更小型化的解决方案，用于机器人、无人机、3D传感器和自动驾驶汽车等应用。

EPC公司宣布推出EPC2221，这是一款共源双路氮化镓场效应晶体管，额定电压为100 V、58 mΩ 和 20 A 脉冲电流，可用于机器人、监控系统、无人机、自动驾驶汽车和吸尘器的激光雷达系统。

氮化镓功率晶体管EPC2050专为功率系统设计人员而设计，在极小的芯片级封装中，实现 350 V、80 mΩ 最大 R_DS(on)和26 A 峰值电流，是多电平转换器、电动汽车充电、太阳能逆变器、激光雷达和 LED 照明的理想器件。

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出 EPC2050，这是一款 350 V GaN 晶体管，最大 RDS(on) 为 80 mΩ，脉冲输出电流为 26 A。 EPC2050 的尺寸仅为 1.95 mm x 1.95 mm，与采用等效硅器件的解决方案相比，基于EPC2050的解决方案的占板面积小十倍。

EPC9171 评估板可将90 V~265 V通用交流输入电压转换为可调 15 V至48 V直流输出电压。该参考设计可在 48 V 输出电压和 5 A 负载电流下，提供 240 W 的最大输出功率。

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出EPC9171，可将90 V~265 V通用交流输入电压转换为15 V ~48 V直流输出电压，专为 USB PD3.1超快速充电器而设计。此参考设计可在 48 V 输出电压和 5 A 负载下，提供 240 W 最大输出功率。在初级侧和次级侧电路采用在高频率下开关的氮化镓功率器件，可实现约 1.1 W/cm³的功率密度。

Efficient Power Conversion (EPC) expands its family of radiation-hardened (rad-hard) gallium nitride (GaN) products for power conversion solutions in critical spaceborne and other high reliability environments with a device that has the lowest on-resistance of any rad hard transistor currently available on the market.

EL SEGUNDO, Calif.— March 2021 — EPC announces the introduction of the EPC7019 radiation-hardened eGaN FET. The EPC7019, a 40 V, 1.5 mΩ, 530 A_Pulsed, rad-hard eGaN FET in a small 13.9 mm² footprint. The EPC7019 has a total dose rating greater than 1 Mrad and SEE immunity for LET of 85 MeV/(mg/cm²). These devices are offered in a chip-scale package, the same as the commercial eGaN FET and IC family.  Packaged versions will be available from EPC Space.

EPC公司和ADI公司推出参考设计，采用全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC公司的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)。新型模拟LTC7890同步氮化镓降压控制器与EPC公司的超高效eGaN^® FET相结合，可实现高达2 MHz的开关频率，从而实现高功率密度和低成本的DC/DC转换。

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出EPC9160，这是一款双输出同步降压转换器参考设计，开关频率为2 MHz，可将9 V~24 V的输入电压转换为3.3 V或5 V的输出电压，两个输出的连续电流可高达15 A。由于开关频率高，转换器的尺寸非常小，两个输出都只有23 mm x 22 mm和电感器的厚度只有3 mm。

EPC公司的氮化镓专家将在APEC展会分享多项现场演示以阐释氮化镓技术如何为许多行业的功率转换带来革命性突破，包括计算、通信和e-mobility。

宜普电源转换公司（EPC）团队将于3月20日至24日在休斯顿举行的IEEE应用电力电子会议和博览会(APEC 2022)上进行多场关于氮化镓技术的演讲和专业研讨会，详请如下。 此外，我们将在1302号展位展出采用新型eGaN^®FET 和 IC的客户的最新产品。

基于氮化镓器件的EPC9167 逆变器参考设计提高电机系统性能、范围、精度、扭矩且同时降低整体系统成本。 该逆变器尺寸超小，可集成到电机外壳中，从而实现具有最低 EMI、最高功率密度和最轻的电机驱动逆变器。

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出 EPC9167，这是一款采用 EPC2065 eGaN^® FET 的三相 BLDC电机驱动逆变器。EPC9167在 14 V 和 60 V（标称 48 V）之间的输入电压下工作，并备有两种配置 —— 标准和大电流版本：

EPC9165 是一款两相、稳压输出电压、48 V/14 V双向转换器，可实现2 kW 的功率和 96.8% 的峰值效率

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出EPC9165，这是一款2 kW、两相48 V/14 V双向转换器，在小尺寸内实现97%的峰值效率，非常适合具有高密度和高功率的48V电池组，例如电动和轻型运输所需的电池组。

Efficient Power Conversion (EPC) publishes Phase-14 Reliability Report, which adds to the extensive knowledge and demonstrates a robustness capability unmatched by silicon power devices.

EL SEGUNDO, Calif.— February 2022 — EPC announces its Phase-14 Reliability Report, documenting the strategy used to achieve a remarkable field reliability record. The rapid adoption of GaN devices in many diverse applications calls for the continued accumulation of reliability statistics and research into the fundamental physics of failure in GaN devices. The Phase-14 Reliability Report presents the strategy used to measure and predict lifetime based upon tests that force devices to fail under various conditions. This information can be used to create more robust and and higher performance products for applications such as lidar for autonomous cars, robotics, security, and drones, high power density computing, and satellites, to name just a few.

EPC9170演示板是一款两相、可调输出电压的48 V/14 V双向转换器，提供2 kW功率和实现96.8 %峰值效率。

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出EPC9170演示板，这是一款2kW、两相48 V /14 V双向转换器，在小尺寸内实现96.8%的峰值效率。该板采用100 V、65 A 的ePower™集成电路芯片组，包含EPC23101 eGaN^® IC和EPC2302 eGaN^® FET，可实现的解决方案的最大电压为100 V、负载电流可高达65 A和开关频率可超过1 MHz。

宜普电源转换公司(EPC)为工程师提供更多的设计工具、模型和性能仿真器，用于基于高性能氮化镓器件的设计。

EPC公司宣布推出GaN Power Bench™设计工具，帮助工程师实现基于氮化镓器件的设计的最高性能。eGaN^® FET和IC具有快速开关、高效和小尺寸等优势，可满足当今前沿应用对功率密度的严格要求。GaN Power Bench工具可帮助设计工程师为各种应用选择最合适的氮化镓器件、模拟和优化设计的散热性能，并提供应用实例和相关文档，从而可以快速、轻松地实现最佳设计的理想性能。

瑞萨电子(Renesas)的两相同步GaN升压控制器与宜普电源转换公司（EPC）的超高效eGaN^® FET相结合，实现了高功率密度和低成本的DC/DC转换。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出12 V输入、48 V输出、500 W的DC/DC演示板（EPC9166）。该演示板展示出瑞萨电子ISL81807 80 V两相同步升压控制器和宜普公司最新一代EPC2218 eGaN FET，在开关频率为500 kHz的12 V输入到48 V稳压输出转换中，效率超过96.5%。输出电压可配置为36 V、48 V和60 V。该板在没有散热器的情况下，可提供480 W的功率。

宜普电源转换公司（EPC）推出ePower芯片组系列。该系列集成了100 V氮化镓驱动器和场效应晶体管，可实现高达65 A的输出电流，为高功率密度应用提供更高的性能和更小型化的解决方案，包括DC/DC转换和电机驱动等应用。

宜普电源转换公司宣布推出100 V、65 A的集成电路芯片组，专为48 V DC/DC转换 而设计，用于高密度计算应用和用于电动汽车、机器人和无人机的48 V BLDC电机驱动器。