EL SEGUNDO, Calif.—  March 2023 – Efficient Power Conversion (EPC), the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride FETs and ICs, has teamed up with SHARGE Technology (SHARGE) to design a 67 W USB PD charger with a power display screen. The Retro 67 fast charger uses EPC’s 100 V GaN FET, EPC2218, which can deliver 231 A pulsed current in a tiny footprint of 3.5 mm x 1.95 mm offering designers a significantly smaller, more efficient device than silicon MOSFET for USB PD fast chargers.

EPC2218 provides SHARGE’s All-GaN fast charger with higher efficiency, state-of-the-art power density and lower system cost.

EPC的GaN专家将在其APEC展位展示各种应用所采用的最新一代GaN FET 和 IC。

宜普电源转换公司(EPC)是增强型氮化镓FET和IC领域的全球领导者，将于3月19日至23日在奥兰多举行的IEEE APEC 2023会议上发表多项技术演讲，详情请参阅下方时间表。此外，我们还会在奥兰治县会议中心的732号展位展示最新一代的 eGaN^®FET和IC，其应用范围包括高功率密度计算、电动汽车、机器人、太阳能、电池充电等。欢迎莅临参观“GaN之墙”,我们提供市场上最广泛的氮化镓功率半导体产品组合，可现成交付。

EPC推出EPC9177，这是一种基于eGaN^®IC的高功率密度、薄型DC/DC转换器参考设计，可满足新型USB PD 3.1对多端口充电器和主板上从28 V~48 V输入电压转换至12 V或20 V输出电压的严格要求。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9177，这是一款数字控制、单输出同步降压转换器参考设计，工作在 720 kHz 开关频率，可转换 48 V、36 V、28 V至稳压12 V输出电压，并提供可高达20 A的连续输出电流。

宜普电源转换公司(EPC)推出 200 V、10 mΩ的EPC2307，完善了额定电压为 100V、150 V和200 V的6个GaN晶体管系列，提供更高的性能、更小的解决方案和易于设计的DC/DC 转换、AC/DC SMPS和充电器、太阳能优化器和微型逆变器，以及电机驱动器。

全球增强型氮化镓FET和IC领导者EPC推出 200 V、10 mΩ的EPC2307，采用耐热增强型QFN封装，占位面积仅为3 mm x 5 mm。

EPC推出 80 V、通过AEC-Q101 认证的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）EPC2252，为设计人员提供比硅 MOSFET 更小和更高效的解决方案，用于车规级激光雷达、48 V/12 V DC/DC转换和低电感电机驱动器。

作为增强型氮化镓 (eGaN^®) FET 和 IC 的全球领导者，宜普电源转换公司（EPC）进一步扩大已有现货供应的车规级氮化镓晶体管系列，推出80 V、11 mΩ、在 1.5 mm x 1.5 mm 封装内提供 75 A 脉冲电流的EPC2252，比硅MOSFET更小和更高效，适用于自动驾驶和其他先进驾驶辅助系统应用中的车规级激光雷达、48 V/12 V DC/DC转换和低电感电机驱动器。

宜普电源转换公司(EPC)推出新型氮化镓集成电路EPC21701，这是一款80 V激光驱动器 IC，可提供15 A脉冲电流，适用于飞行时间(ToF)激光雷达应用，包括真空吸尘器、机器人、3D安全摄像头和3D传感。

EPC宣布推出EPC21701，这是一款单芯片激光驱动器，包含80 V、40 A FET、栅极驱动器和3.3逻辑电平输入，用于飞行时间激光雷达系统，包括用于机器人、监控系统和真空吸尘器。它专为用于手势识别、飞行时间 (ToF) 测量、机器人视觉或工业安全的激光雷达系统量身定制。

宜普电源转换公司（EPC）和立锜科技（Richtek）携手推出新型快充参考设计，使用RT6190降压-升压控制器和氮化镓场效应晶体管EPC2204，可实现超过98%的效率。

宜普电源转换公司和立锜科技宣布推出4开关双向降压-升压控制器参考设计，可将12 V~24 V的输入电压转换为5 V~20 V的稳压输出电压，并提供高达5 A的连续电流和6.5 A的最大电流。与高功率密度应用的传统解决方案相比，新型RT6190控制器与EPC的超高效氮化镓场效应晶体管EPC2204相结合，使得解决方案尺寸可缩小20%以上，而且在20 V和12 V输出电压下，可实现超过98%的效率。在不需使用散热器和5 A连续电流下，20 V转5 V的最大升温低于摄氏15度，而12 V转20 V的最高升温则低于摄氏55度。

Efficient Power Conversion (EPC) introduces the 150 V, 3 mΩ EPC2305 and the 200 V, 5 mΩ EPC2304 GaN FETs offering higher performance and smaller solution size and cost for DC-DC conversion, AC/DC SMPS and chargers, solar optimizers and microinverters, and motor drives.

EL SEGUNDO, Calif.— December 2022 — EPC, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride FETs and ICs, introduces the 150 V, 3 mΩ EPC2305 and the 200 V, 5 mΩ EPC2304 GaN FETs in a thermally enhanced QFN package with exposed top and tiny 3 mm x 5 mm footprint.

EPC introduces two new 80 V AEC-Q101 qualified GaN FETs, offering designers significantly smaller and more efficient solutions than silicon MOSFETs for automotive 48 V- 12 V DC-DC conversion, infotainment, and lidar for autonomous driving.

EL SEGUNDO, Calif. — November 2022 — Efficient Power Conversion Corporation, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride (eGaN^®) FETs and ICs, expands the selection of automotive, off-the-shelf gallium nitride transistors with the introduction of 80 V, 6 mΩ EPC2204A that delivers 125 A pulsed current in a 2.5 mm x 1.5 mm footprint and the 80 V, 3.2 mΩ EPC2218A that delivers 231 A pulsed current is a 3.5 mm x 1.95 mm footprint, offering designers significantly smaller and more efficient devices than silicon MOSFETs for automotive DC-DC for 48V-12V conversion, infotainment, and lidar for autonomous driving.

Efficient Power Conversion (EPC) strengthens market leadership in gallium nitride power conversion by adding significant 8-inch manufacturing capacities in collaboration with Vanguard International Semiconductor Corporation (VIS).

EL SEGUNDO, Calif.— December 6, 2022 — EPC, the world’s leader in gallium nitride (GaN) power FETs and integrated circuits (ICs), and Vanguard International Semiconductor Corporation (VIS), a leading specialty IC foundry service provider, today jointly announced a multi-year production agreement to produce gallium nitride-based power semiconductors. EPC will utilize VIS’ 8-inch (200 mm) wafer fabrication capabilities, significantly increasing manufacturing capacities for EPC’s high-performance GaN transistors and integrated circuits. Manufacturing will commence in early 2023.

Efficient Power Conversion (EPC) introduces the 80 V, 4 mOhm EPC2619 GaN FET in tiny 1.5 mm x 2.5 mm footprint, offering higher performance and smaller solution size than traditional MOSFETs for high power density applications, including DC-DC conversion, motor drives, and synchronous rectification for 12 V – 20 V.

EL SEGUNDO, Calif.— November 2022 — EPC, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride (GaN) power FETs and ICs, launches the 80 V, 4 mOhm EPC2619. This is the lead product for a new generation of eGaN devices that have double the power density compared to EPC’s prior-generation products.

GaN FETs help Solarnative achieve industry-leading power density for solar microinverters, enabling module frame integration to solve the challenges of solar power installation.

EL SEGUNDO, Calif.— November 2022 Solarnative uses GaN devices in its new microinverter to achieve industry-best power density.  The Power Stick is the smallest inverter in the world, with dimensions of 23.9 by 23,2 by 404 millimeters. With an AC output power of 350 W, the volume of 0.19 liters corresponds to a power density of 1.6 kW per liter. By comparison, the IQ 7A microinverter from a market leading supplier delivers 349 watts with a volume of 1.12 liters, corresponding to 0.31 kW per liter – not even one-fifth of the Solarnative device. Despite the extreme size reduction, the European efficiencies are quite comparable, at 96.0 percent for the Power Stick and 96.5 percent for the IQ 7A.

宜普电源转换公司(EPC)推出150 V、6 mΩ EPC2308 GaN FET，让高功率密度应用实现更高的性能和更小的解决方案，包括DC/DC转换、AC/DC SMPS和充电器、太阳能优化器和微型逆变器，以及电机驱动器。

EPC 是增强型氮化镓(eGaN®)功率FET和 IC 领域的全球领导者，新推采用更耐热的QFN封装且可立即发货的150 V EPC2308氮化镓器件，用于电动工具和机器人的电机驱动器、用于工业应用的80 V/100 V高功率密度DC/DC转换器、用于充电器、适配器和电源供电的28V~54V同步整流器、智能手机USB快速充电器，以及太阳能优化器和微型逆变器。

EPC9176是一款基于氮化镓器件的逆变器参考设计，增强了电机驱动系统的性能、续航能力、精度和扭矩，同时简化设计。该逆变器尺寸极小，可集成到电机外壳中，从而实现最低的EMI、最高的功率密度和最轻盈。

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出EPC9176（EPC）宣布推出EPC23102EPC23102 ePower™ 功率级GaN IC，内含栅极驱动器功能和两个具有5.2 mΩ典型导通电阻的GaN FET。EPC9176在20 V和80 V之间的输入电源电压下工作，可提供高达28 A_pk(20 A_RMS)的电流。这种电压范围和功率使该解决方案非常适合用于各种36V~80 V输入的三相BLDC电机驱动应用，包括电动自行车、电动滑板车、电动工具、无人机、机器人、直流伺服、医疗机器人和工厂自动化。

New Motor Drive Center of Excellence (CoE) design center in Turin, Italy, to help customers exploit the power of GaN for growing motor drive applications

EL SEGUNDO, Calif.— September, 2022 —   EPC has opened a new design application center near Turin, Italy, to focus on growing motor drive applications based on GaN technology in the e-mobility, robotics, drones, and industrial automation markets.  The specialist team will support customers in accelerating their design cycles and define future Integrated Circuits for power management with state-of-the art equipment to test applications from 400 W to 10’s of kW.

宜普电源转换公司(EPC)新推100 V、3.8 mΩ 的氮化镓场效应晶体管EPC2306，为高功率密度应用提供性能更高和更小的解决方案，包括 DC/DC 转换、AC/DC 充电器、太阳能优化器和微型逆变器、电机驱动器和D类音频放大器等应用。

宜普电源转换公司是增强型氮化镓(eGaN^®)功率FET和IC领域的全球领导者，新推100 V、采用耐热增强型QFN封装的EPC2306，用于高密度计算应用的48 V DC/DC转换、电动汽车和机器人的48 V BLDC 电机驱动器、太阳能优化器和微型逆变器，以及 D 类音频放大器。

BRC Solar公司的新型M500/14功率优化器采用EPC公司的100 V 氮化镓器件（EPC2218)，它的占板面积小，可实现更高的频率和额定功率。

BRC Solar公司凭借其功率优化器彻底改变了光伏市场的发展、提高了光伏电站和系统的发电量和性能。其新一代M500/14 功率优化器采用了宜普电源转换公司的EPC2218（100 V的场效应晶体管），实现了更高的功率密度，因为GaN FET的低功耗和小尺寸使关键负载电路更加紧凑。而GaN FET的小寄生电容和电感可实现没有杂讯的开关和良好的EMI特性。GaN FET的另一个优点是没有反向恢复损耗。

宜普电源转换公司（EPC）推出ePower™功率级集成电路，它集成了整个半桥功率级，可在1 MHz工作时实现高达35 A的输出电流，为高功率密度应用提供更高的性能和更小型化的解决方案，包括DC/DC转换、电机驱动和D类音频放大器等应用。

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出100 V、35 A的集成电路，专为48 V DC/DC转换而设计，用于高密度计算应用和面向电动汽车、机器人和无人机的48 V BLDC电机驱动器。

EPC23102 eGaN集成电路可实现100 V的最大耐受电压、实现高达35 A的负载电流和高于1 MHz的开关速度。

宜普电源转换公司(EPC)扩展了其耐辐射氮化镓产品系列，新推的100 V产品用于要求严格的机载和其他高可靠性环境下的电源转换解决方案，进一步为这个产品系列添加第五个成员。

EPC公司宣布推出100 V、7 mΩ、160 A_Pulsed的耐辐射GaN FET EPC7004。尺寸小至6.56 mm²，其总剂量等级大于1 Mrad，线性能量转移（LET）的单一事件效应（SEE）抗扰度为85 MeV/(mg/cm²)。EPC7004与EPC7014、EPC7007、EPC7019和EPC7018器件都是采用芯片级封装，这与其他商用的氮化镓场效应晶体管（eGaN^® FET）和IC相同。封装器件将由EPC Space提供。

宜普电源转换公司(EPC)扩展了其耐辐射氮化镓产品系列，新推的100 V器件用于要求严格的机载和其他高可靠性环境的电源转换解决方案，与目前市场上的任何100 V耐辐射晶体管相比，它具有最低的导通电阻。

EPC公司宣布推出100 V、3.9 mΩ、345 A_Pulsed的耐辐射GaN FETEPC7018，尺寸为13.9 mm²，其总剂量等级大于1 Mrad，线性能量转移（LET）的单一事件效应（SEE）抗扰度为85 MeV/(mg/cm²)。与EPC7014、EPC7007和EPC7019耐辐射产品系列相同，都是采用芯片级封装。封装器件由EPC Space.提供。