2025年10月1日
随着下一代GaN晶体管在40V至15V范围内的运行，RDS(on)规格已达到数百微欧姆的惊人水平，显著优于同等尺寸的功率MOSFET。为了充分利用这些超低阻抗FET的优势，精心的PCB布局至关重要，以防止任何可能削弱其性能的额外阻抗。本文将探讨GaN FET的各种布局策略，分析不同PCB配置对每种设计增加的阻抗如何影响。
Bodo’s Power Systems 2025年10月 阅读文章