GaN（窒化ガリウム） FETは、従来のシリコン半導体に比べて、優れた信頼性を備え、パワー・エレクトロニクスに革命をもたらしています。パワー・エレクトロニクスの展示会PCIM Europe 2025で発表されたこのビデオでは、EPCのCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）が、電力変換用途におけるGaN技術の基本的な利点について説明します。シリコンが故障するのに対し、GaNデバイスが300℃で動作できる理由、GaN FETにはスピリト効果がないこと、そしてこれらのワイド・バンドギャップ半導体が宇宙用途における放射線耐性をどのように実現しているかをご覧ください。

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