EPC技術記事

Efficient Power Conversion(EPC)Corporationへのインタビュー

ルーマニアのEasy Engineering誌は、EPCのマーケティング部門ディレクタのRenee Yawgerに、GaN採用の現状とGaN技術の将来についてインタビューしました。

EルーマニアのEasy Engineering誌
2022年5月
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ワイド・バンドギャップ(WBG)部品は、高効率で省エネのグリーン・ワールドを構築します

ワイド・バンドギャップ(WBG)半導体パワー部品の主流の材料は、炭化ケイ素(SiC)と窒化ガリウム(GaN)です。それらは、エネルギーの節約と持続可能性に対する意識の高まりと共に、今日、さまざまなパワー・システムのアプリケーションで最も好まれるデバイスになっています。Tech Taipei 2022 ConferenceがWBGをテーマに採用したのはこれが初めてでした。業界の主要なプレーヤーからの講演者が設計、製造、テストの各分野から招待され、会議の400人を超える参加者に最新の技術とアプリケーションのトレンドを紹介しました。

台湾のEE Times Taiwan誌
2022年3月25日
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GaN技術がデータセンターの電力密度を牽引

サーバーが48 Vに移行すると、GaNトランジスタは、今日のシリコンMOSFETを打ち負かし、性能とコストを改善します。

英オンライン・ニュースData Center Dynamics
2022年3月
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eGaN FETを搭載した高効率、高密度で1 kWの1/8ブリック・サイズLLC共振コンバータ

データ処理インフラの継続的で急速な成長に伴い、より高い電力レベルが最小の面積で得られることが求められています。

米Power Systems Design誌
2021年9月
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2019年のデータセンター・パワー

2025年までにデータが175ゼタバイト以上になると予想されています。データセンターの建設と配置、および既存の旧式のもののアップグレード努力は、2020年に日本で開催されるオリンピックに加えて、人工知能(AI:artificial intelligence)や機械学習(ML:machine learning)の成長において本格的に始まる5Gの出現で急速に拡大しています(6Gは、将来の開発としてすでに議論されています)。

サイズ、効率、速度が重要なデータセンターのパワー・アーキテクチャにおいて、GaNが最適なパワー・トランジスタであるべきだということは、私にとって非常に理にかなっています。48 V入力のすべての回路構成で、最高の効率がGaNデバイスで達成されました。

米EDN誌
2019年6月
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EPC:詰め込みの先へ

EPCの最高経営責任者(CEO)であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)は、彼のGaNデバイスが性能と価格でシリコンを凌駕していると考えている、とRebecca Pool氏は報告しています。

EPCの最高経営責任者(CEO)であるAlex Lidowにとって、今年のPCIM Europe 2019はアプリケーションに絞られました。最終製品の中にある無数のエンハンス・モードGaN FETとICを示し、先進的なコンピューティングや自動車の48 V入力のDC-DC電力変換のために、同社は大きな役割を果たしています。

英Compound Semiconductor誌
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サーバーや自動車における48 VのDC / DC電力変換向けGaNを強化

EPC(Efficient Power Conversion)は最近、48 Vのサーバーや自動車のニーズに対応できる100 Vの新しいGaNデバイス2種を製品化しました。私は、プロセッサだけでなく、自動車システムやエネルギー蓄積システム(私の記事である双方向DC / DC電源:私たちはどちらに行くのか?、を参照してください)の双方向電源に対する48 Vサーバー電源ソリューションを、近々、公開される米EDN誌だけの記事で調べる予定です。GaNパワー・トランジスタは、この種のアーキテクチャの一部として「必須」です。私の視点からすると、これ以上良い選択肢はありません。

米Planet Analog誌
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48 Vバスからグラフィックス・プロセッサへの電力供給

新しいコンバータ構成とパワー・トランジスタが、次世代人工知能(AI)のプラットフォームを動かすだろう電源のサイズを小型化し、効率を高めると断言できます。48 V入力のすべての回路構成において、最高の効率はGaNデバイスを使うことによって得られます。これは、容量が小さくサイズが小さいためです。GaNパワー・トランジスタの最近の低価格化に伴って、シリコン・ベースのコンバータとのコスト比較は今、すべての最先端のソリューションにおいてGaNが非常に優勢になりました。

米オンライン・ニュースPower Electronic Tips
2019年3月
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eGaN FETとICを使った最も小型で最も高効率の48 V入力、5 V~12 V出力のDC-DCを実現

最新のデータセンターで電源アーキテクチャが12 Vの電力バス分配から48 Vへと移行していることに伴って、48 V系の電力変換効率と電力密度の向上への要求が高まっています。この流れに沿って、eGaN® FETとICを使って設計されたDC-DCコンバータは、高効率化と高電力密度化のソリューションを実現できます。加えて、マイルドハイブリッド、ハイブリッド、およびプラグイン・ハイブリッドの電気自動車における48 V電源システムに対して、GaNトランジスタは、大きさ、重さ、および部品表(BOM)のコスト削減を提供することができます。

米Power Systems Design誌
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GaNベースのVRMハイブリッド・コンバータ、48 V入力、1〜2 V / 10 A出力の電力変換で95%の効率を達成

48 Vのバス・アーキテクチャの出現によって、窒化ガリウム(GaN)・トランジスタを使う新しいハイブリッド・コンバータを採用することができ、95%を超えるピーク効率と225 W / 立方インチの電力密度を達成することができます。省エネのために軽負荷時の効率が重要なデータセンターのアプリケーションにおいて大きな関心事であるコンバータの効率は、出力20%まで下げても90%以上と高く維持されています。

米オンラインのPowerPulse
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48 Vから1 Vへの変換:ダイレクト・ツー・チップ電源の復活

ドイツのニュルンベルクで開催された先週のPCIM Europe会議では、48 Vから1 Vへの直接電力変換アーキテクチャが重要なトピックでした。「48 V入力、1 V出力のダイレクトDC-DCコンバータにGaNスイッチを使うと、今日の最高のシリコン・ベースの設計と比べて、システム性能を30%向上させることができます」とEfficient Power ConversionのCEO(最高経営責任者)であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)はコメントしています。

米PowerPulse
2017年5月31日
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パワー・チップではあるが、私たちが知っているようなものではない

Max Smolaks氏は、電源系統のシリコンに代わる新しい材料である窒化ガリウムを歓迎しています。

過去35年間、ほとんどの電源は、パワーMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)、すなわち、電気をオン/オフしたり、状態を調整したりするために使われるシリコン製の電圧制御デバイスに依存していました。

英Data Center Dynamics誌
2017年4月19日
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GaNがシリコンのデータセンターのランチをじろじろ見る

ディープ・ラーニング(深層学習)の普及に伴い、データセンターの電力密度の問題が再び浮上し、特化したクラウド・サービスの新しいビジネス・チャンスが生まれ、ラック当たり30 kWのノースをサポートできる施設でホストされるので、電力変換分野の企業は、システムのエネルギー効率を高めて、この密度の問題に取り組むことができます。電力変換チップの半導体材料として、シリコンを窒化ガリウム(GaN)に置き換えることによって、はるかに小型でエネルギー効率の高いデバイスが得られ、より高速なスイッチングが可能になります。

米Data Center Knowledge
2017年2月
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効率改善のためのデータセンターの次世代電源ソリューション

クロード・シャノンが1と0、すなわち基本的な2進数に情報の伝達を削減し、1948年に『通信の数学的理論』を書いたとき、すべてが始まりました。その理論は、現実世界の雑音に満ちた環境で誤りなしにデータを伝送する能力につながりました。シャノンは、2016年4月30日に100歳になっていたでしょう。

米EDN Network誌
Steve Taranovich
2016年4月16日
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サーバーの電力効率向上のため探求

エネルギー・ハーベスティング(環境発電)やワイヤレス・パワー伝送のような魅力的なテーマが、来週のAPEC会議で「ゲスト出演」する可能性があります。GaNトランジスタの展開を注意深く見ましょう。しかし、現在の生活を支える「ブレッド・アンド・バター」を維持するためには、データセンターのエネルギー伝送効率の改善を推進することです。

米EE Times誌
By: Stephan Ohr、コンサルタント、半導体業界アナリスト
2016年3月16日
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ポストシリコンの世界でサーバーの電源アーキテクチャを再考

私たちの社会の中で、情報への需要は、かつてない速度で拡大しています。より大量の情報に、より高速にアクセスしたいという傾向は、クラウド・コンピューティングや、あらゆるモノをインターネットでつなぐIoT(Internet of Things)のような技術の出現で、減速の兆しがありません。情報の高速な伝送を可能にするものは、ほとんどのデータが集中するラックやサーバーのラックにあります。

米EEWeb誌
Alex Lidow博士、David Reusch博士、John Glaser博士
2016年3月
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48Vから負荷電圧を得る

GaNトランジスタを搭載した低電圧DC/DCコンバータの特性を改善:。
一般に入手可能で費用対効果の高い窒化ガリウム(GaN)・パワー・トランジスタの出現は、パワー・エレクトロニクスの新たな時代の始まりです。入力電圧が約48 VDCで負荷電圧が1 VDCと低い既存のデータセンターや通信アーキテクチャのパワー・コンバータに、エンハンスメント・モード窒化ガリウムFET(eGaN FET)デバイスを利用する大きな利点があります。高性能GaNパワー・トランジスタは、従来のSi MOSFETベースのアーキテクチャで得られる効率よりも高くでき、電力密度も高められるので、データセンターや通信システムを強化する新しいアプローチが可能になります。

米Power Systems Design誌
David Reusch博士、John Glaser博士
2016年1月25日
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浪費のシーズン

2014年に、米国のデータセンターでは、約1000億キロワット時(kWh)のエネルギーを消費しました。踏んだり蹴ったりなのは、この急速に拡大する需要をサポートするために必要な電力は、全体的に非効率で、ほとんどが1世紀以上前に作られたインフラに基づいた送電網から送られてきます。この浪費が、どれだけ大きいのでしょうか? 送電網は、わずか100Wが必要なデジタル・チップの需要を満たすために、150Wの電力を供給することが分かりました。さらに、電力変換によって、すべての電力損失が熱に変換されるため、無駄なエネルギーの量はさらに大きくなります。つまり、高価でエネルギー集約型の空調によってサーバー・ファームから熱を除去する必要があります。電力損失の1Wを除去するための空調に約1Wかかり、この電力変換プロセスの非効率性を効果的に倍増しています。

より高効率、低コストで電気を変換することができる新素材が出現しています。サーバー・ファームの電源アーキテクチャによって、この最終段の非効率性を排除すると、年間70億kWhの直接的な節約を実現することができます。空調のエネルギー・コストを追加すると、これが2倍になり、米国内だけでサーバーが消費する全エネルギーの約14%にものぼります。コスト削減も重要です。1 kWh当たりの平均コストは0.12米ドルで、年間17億ドルの削減になります。これには、電力変換器の数の削減や空調によるシステム・コストの追加削減を含んでいません。

英Datacenter Dynamics誌
2015年12月15日
By: Alex Lidow
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