宇宙探査では常に、最先端の技術、信頼性、回復力が求められてきました。パワー・エレクトロニクスにおける最新のブレークスルーである窒化ガリウム（GaN）技術は、従来のシリコンMOSFETと比べて、優れた耐放射線性と比類のない電気的性能を提供する宇宙ベースのシステムのゲーム・チェンジャとして登場しました。この記事では、GaNパワー・デバイスが宇宙での電力変換用途にとって究極の選択肢である理由と、GaNパワー・デバイスが放射線に対する耐性によって、どのように宇宙ミッション向けの非常に強靭なソリューションとなるのかを詳しく掘り下げます。

英Components in Electronics誌
2023年10月
記事を読む

宇宙産業は、ユビキタス接続に対する需要の高まりと、革新的なビジネス・モデルの出現によって牽引され、「新しい宇宙」への変革的な移行を経験しています。この変革の重要な要素の1つは、宇宙用途における窒化ガリウム（GaN）技術の採用です。GaNは、その優れた耐放射線性、高いシステム効率、軽量という特性によって、計り知れない可能性を秘めています。

EETimes Europe誌との対談の中で、仏Yole Groupの一部であるYole Intelligenceの技術および市場のアナリストであるTaha Ayari氏とAymen Ghorbel氏は、新しい宇宙、すなわち典型的な衛星の寿命が3年から5年の低い信頼性要件の地球低軌道（LEO：low Earth orbit）ミッション・セグメントが、どのようにGaN採用の焦点になるかを説明しました。この結果、パワーGaNデバイスは、DC/DCコンバータ、POL（負荷点）システム、モーター駆動、イオン・エンジンなどのさまざまな衛星システムに採用されています。

EE Times Europe誌
2023年10月
記事を読む

GaNを最後のフロンティアに持ち込むため、米EPC Spaceは、宇宙ベースのアプリケーションにおける大電流スイッチング向けに2種類の新しい耐放射線GaNトランジスタを製品化しました。商用衛星の数が増え続けるにつれて、設計者は、電流処理が改善された宇宙対応パワー・エレクトロニクスのためのより多くのオプションを必要としています。

米オンライン・サイトAll About Circuits
2023年9月
記事を読む

より多くの処理電力で、より複雑な負荷が、軌道上または深宇宙ミッションに配置されると、場合によっては、2つ以上のパワー・スイッチを並列にする必要があります。 ただし、FSMD-A/B/C/Dなどの従来のパワー・デバイス・パッケージと、そのI/Oパッドの準備では、性能を意識した方法で、これらのデバイスの並列接続を実現することが困難です。これらのパッケージ上のゲートとソースの検出パッドは、並列接続されると、ドレインとソースの接続、またはゲートとソースの検出パッドのパッケージ間での最も高効率／最短の相互接続を阻害することになります。したがって、並列構成では、最適化されたドレイン-ソース間負荷回路の性能とゲート-ソース間の検出駆動ループの性能の間には常に妥協点が存在します。この記事では、FSMD-GディスクリートHEMTパッケージを紹介し、GaN HEMTを並列接続するときに、I/Oパッドの再構成によって、これらの制限をどのように克服するかについて説明します。

米How2Power誌
2023年9月
記事を読む

米EPC Spaceは、宇宙搭載パワー・コンバータやその他の過酷な環境向けに放射線耐性のある窒化ガリウム・デバイスを製品化しました。

英Electronics Weekly紙
2023年8月
記事を読む

GaNデバイスは、信頼性、放射線耐性、宇宙遺産に関連する課題に対処し、宇宙産業の要求に沿った多くの利点を提供します。

米Power Electronics News誌
2023年8月
記事を読む

この記事では、ルネサス エレクトロニクスは、コアのISLVERSALDEMO2Zリファレンス・デザインでディスクリートGaNベースの電源を使うことで、宇宙航空電子工学システムのパワー・マネージメント（電源管理）にどのような利点がもたらされるかを説明しています。

米Power Electronics News誌
2023年7月
記事を読む

Spirit：Behind the Screenのこのエピソードでは、米Spirit ElectronicsのCEO（最高経営責任者）のMarti McCurdyが、EPCのCEOのAlex Lidow（アレックス・リドウ）およびマーケティング・ディレクタのRenee YawgerとGaNの進歩について話します。彼らは、EPCのフェーズ15の信頼性レポートに詳述されている広範なテスト、故障モード、デバイス寿命だけでなく、強い放射線下でのGaNの性能についても議論しています。GaNの可能性は、まだ探求されておらず、新しいハーフブリッジ・ドライバ、ローサイド・ドライバ、フルパワー段などの新しいEPC製品が次々と製品化されているため、GaNは、特に新宇宙や商業宇宙の用途に役立ちます。

Spirit: Behind the Screen
ポッドキャストを聞く

この記事では、6.7 MHzで動作する120 VDC入力を備えた2相DC/DC GaNコンバータを紹介します。120 VDCは、国際宇宙ステーション（ISS）の2次電力システムの標準電圧レベルです。米Tell-i Technologiesの新しく開発されたSDK基板は、GaN FETの高電力密度と超高速スイッチングを使って、通常のスイッチング速度を超えるために2つのフェーズを使います。ISSなどのシステムで使われている標準の120 Vバス電圧をサポートするマルチフェーズ構成によって、インタリーブ・コンバータは3 MHz、5 MHz、および卓越した6.87 MHzで効果的なスイッチングを実現できます。最適で小型なレイアウトは、ゲート駆動回路とパワー・ループを小さくするために、4個のGaNトランジスタEPC2019と2個のゲート・ドライバLMG1210を使って実現しています。

米Power Electronics News誌
2022年4月
記事を読む

地球の大気の外側や宇宙が商用開発に開かれるにつれて、モーターは、さまざまな機能向けに、そこに配置されたシステムにとってますます重要になるでしょう。宇宙向けの製造は避けられないため、モーター（ドライバを含む）は、さらに多くの機能を果たします。同様に重要なことは、これらのモーターを高効率かつ高信頼性で駆動するために選択されたモーター・ドライバです。

米ニュースサイトComponents in Electronics
2021年10月
記事を読む

窒化ガリウム（GaN）・パワー半導体は、宇宙用途の過酷な放射線環境における革新を可能にします。

英Electronics Weekly誌
2021年9月
記事を読む

宇宙用途の技術は、2021年の重要な部分であり、したがって、放射線耐性のある部品がさらに前面に出てきています。最近、2つの新しいFETが登場しましたが、それらはこの宇宙に何をもたらすのか？

米オンライン・ニュースAll About Circuits
2021年6月
記事を読む

窒化ガリウム・パワー・デバイス技術は、これまでに達成できなかったより高い周波数、より高い効率、およびより高い電力密度で動作する宇宙での新世代のパワー・コンバータを可能にします。GaNパワー・デバイスは、デバイスの設計によって、シリコンMOSFETと比べて優れた放射線耐性が得られる可能性があります。

英Power Electronics Europe誌
2020年12月
記事を読む

シリコン・パワーMOSFETは、効率、電力密度、小型形状などの要素がコミュニティの主な要求であるパワー・エレクトロニクス業界の革新的な変化に対応できていません。シリコンMOSFETは、パワー・エレクトロニクスの理論上の限界に達しており、基板スペースが限られているため、パワー・システムの設計者は代替品を必要としています。窒化ガリウム（GaN）は、高電子移動度トランジスタ（HEMT）半導体であり、新たに出現したアプリケーションに真の付加価値を提供しています。

米EETimes誌
2020年8月
記事を読む

GaNパワー・トランジスタは、極めて厳しい宇宙ミッションをサポートするためのパワーやRFの用途に対して理想的な選択肢です。米EPC Space社は、新しいeGaN^®ソリューションによって宇宙の商用衛星の厳しい用途向けに特別に設計されたデバイスに対して、耐放射線特性やSEE（シングル・イベント効果）の耐性を保証します。これらのデバイスは、非常に高い電子移動度と、非常に低いオン抵抗R_DS(on)値と共に小さい温度係数を備えています。

米EETimes誌
2020年7月
記事を読む

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）技術は、これまで実現できなかった高周波、高効率、高電力密度で動作する宇宙での新世代のパワー・コンバータを可能にします。 eGaNデバイスは、シリコンMOSFETと比べて、優れた耐放射線性も示します。

独Bodo’s Power Systems
2020年6月
記事を読む

この記事では、宇宙空間への旅行を可能にした宇宙船の忘れられた、または、ほとんど気づかれていない部分、つまり、宇宙船のパワー・マネージメント（電源管理）について説明しました。窒化ガリウム（GaN）、炭化ケイ素（SiC）、さらに、ダイヤモンドなどのワイド・バンドギャップ半導体は、シリコンの発見以来、将来の電子部品の最も有望な材料と期待されています。これらの技術は、その設計に依存する電力能力（直流およびマイクロ波）、放射線耐性、高温および高周波の動作、光学特性、さらには低雑音能力という点で大きな利点があります。したがって、ワイド・バンドギャップ部品は、次世代の宇宙搭載システムの開発にとって戦略的に重要です。eGaNデバイスは、宇宙産業で急速に存在感が大きくなっており、NASA、および、Artemis（アルテミス：Advanced Relay and Technology Mission、欧州宇宙機関が開発した衛星間光通信などの高度な通信技術の実証を目的とした試験用の静止データ中継衛星）のような将来のプログラムや世界中の国々での宇宙への取り組みを追求するこの他のプログラムにおける商業的な請負業者によって、このデバイスの多くの用途が生まれてくるでしょう。

米Power Systems Design誌
2019年11月
記事を読む

小型衛星は、地球低軌道（LEO）のミッションに対して、より費用効果の高いアプローチであり、世界中に低コストのインターネット・アクセスを提供することに貢献します。このアプリケーションでは、耐放射線特性を強化したパルス幅変調コントローラとGaN FETドライバとを組み合わせたGaN FETは、従来のシリコンの対応品と比べて、より高効率なスイッチング、より高い動作周波数、より低いゲート駆動電圧、より小さなソリューション・サイズを実現可能にします。

英Electronics Weekly誌
July, 20192019年7月 記事を読む

カリフォルニア州ミルピタス発のPRNewswire：革新的なパワー・マネージメント（電源管理）と高精度アナログ・ソリューションのリーディング・プロバイダである米インターシル社（NASDAQ：ISIL）は本日、衛星や他の過酷な環境のアプリケーション向けに、窒化ガリウム（GaN）の電力変換ICを含めた市場をリードする耐放射線ポートフォリオを拡張する計画を発表しました。

米PR Newswire誌
2016年5月25日
記事を読む