EPC技術記事

48 V入力、12 V出力のLLCコンバータで5 kW/立方インチを突破するためにGaN FETを使う

LLC共振コンバータは、その高効率、高電力密度、優れた動的応答によって、中間の48 V から12 Vへの変換に推奨される回路構成として浮上しています。この回路構成とGaNトランジスタの組み合わせから得られる優れた性能は、これまでに実証されています。この記事では、EPCの製品などの最新世代のGaNデバイスが、どのように限界を一段と押し広げ続けているかを紹介します。

独Bodo’s Power Systems
2023年11月
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GaNの電力変換ソリューションが次世代アプリケーションに向かう

エンハンスメント・モード窒化ガリウム(GaN)のFETとICのリーダーであるEPCは、ドイツのニュルンベルクで開催されたPCIM Europe 2023でGaN技術に関する複数の技術プレゼンテーションを行い、アプリケーションを紹介しました。同社の創立者でCEO(最高経営責任者)のAlex Lidow(アレックス・リドウ)に、パワー業界と、GaNデバイスがパワー業界に与えている影響について話を聞きました。

米Electronic Design誌
2023年5月
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48 Vのマイルドハイブリッド車向けの2 kWで48 V/12 Vの間の双方向パワー・モジュールのGaNベース設計

政府による気候変動対策の強化に伴って、自動車メーカーは、早急に新しい技術を活用して、内燃エンジンから電気駆動の自動車に切り替えることで対応しようとしています。この記事では、効率96%を達成し、48 Vのマイルドハイブリッド・システムを対象としたGaN FETを使った2 kW、2相で、48 V/12 Vの間の双方向コンバータの設計を紹介します。

米PSD North America誌
2023年3月
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48 Vのマイルドハイブリッド車向け双方向パワー・モジュール

48 Vのマイルドハイブリッド車向けの2 kWで、48V/12Vの間の双方向パワー・モジュールのGaNベース設計の調査

英ニュース・サイトElectronics Today
2023年1月
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科学プロジェクトから主流の電力導体へのGaNの進化

電力変換技術は、バイポーラからMOSへの移行以来、最初の地殻変動を経験しています。もちろん、その変化は、ワイド・バンドギャップのパワー・デバイスの急速な普及によるものです。現時点では、GaNは単なる特殊技術ではありません;これは、数10億米ドル規模の市場である30 Vから650 Vまでの範囲の用途において、シリコンMOSFETの広範な代替品です。

米Power Electronics News誌
2022年12月
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eGaN FETは、48 Vから12 Vへの電力変換で4 kW/立方インチを超える電力密度を実現します

コンピューティングやデータセンターにおける計算能力の増大と電子機器の小型化によって、48 Vの電力の供給や変換システムに対する圧力がますます高まっています。高効率で電力密度の高いコンバータによって、システム・レベルでの電力損失を削減すると同時に、形状を小型化することができます。これに関連して、GaN技術と組み合わせたLLC共振回路構成は、複数の例で実証されているように、優れた性能を実現することに成功しています。 この記事では、eGaN® FETを使った48 Vから12 VへのLLCコンバータで、4 kW/立方インチを超える電力密度を達成するための主要な設計パラメータと部品を示します。

米Power Electronics News誌

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マイルドハイブリッド車の電化を支えるGaNパワー

より高い燃料効率基準を目的とした法律の増加に伴い、自動車メーカーは、増え続ける電子駆動機能に必要な電力を提供すると同時に、これらの要求を満たすための費用対効果の高いソリューションを探しています。この記事では、500 kHzのスイッチング周波数で48 Vから14.3 Vに変換するときに、GaN FETを使って96%を超える効率を実現するマイルド ハイブリッド車およびバッテリー・バックアップ・ユニット向けの双方向大電力コンバータについて詳しく説明します。

英Power Electronics Europe誌
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Efficient Power Conversion(EPC)Corporationへのインタビュー

ルーマニアのEasy Engineering誌は、EPCのマーケティング部門ディレクタのRenee Yawgerに、GaN採用の現状とGaN技術の将来についてインタビューしました。

EルーマニアのEasy Engineering誌
2022年5月
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GaNの性能を決定するためのモデルの振る舞い

GaN FETとICのユーザーは、アプリケーションに必要な定格低減を決定し、電圧の低減係数を小さくするためのツールを利用できるようになりました。EPCは、ハード・スイッチング条件下でのGaNトランジスタのオン抵抗RDS(on) の上昇を説明するために、第一原理物理ベースのモデルを開発しました。この論文では、2つの同期整流用途の例の事例を提供します。

英Electronic Specifier誌
2022年5月
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GaN技術がデータセンターの電力密度を牽引

サーバーが48 Vに移行すると、GaNトランジスタは、今日のシリコンMOSFETを打ち負かし、性能とコストを改善します。

英オンライン・ニュースData Center Dynamics
2022年3月
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GaNのePower Stageを使った1相当たり1 kWの高性能48 V/12 Vコンバータ

自動車のエネルギーは、48 Vバスと12 Vバスの間で交換されるため、48 V/12 Vコンバータは、現代のハイブリッド電気自動車に不可欠です。この2電圧システムは、従来の12 Vシステムに対応し、さらに、真空ポンプや送水ポンプ、電動スーパーチャージャ、ステアリング、オーディオ・システムなどの負荷に48 Vで大電力を供給します。48 V/12 Vコンバータのすべての要求の中で、効率、電力密度、サイズ、コストがリストの上位にあります。この記事では、GaNのePower StageであるEPC23101を使って、これらの設計基準に取り組み、ディスクリートのEPC2206デバイスを使った以前の設計と比較します。

独Bodo’s Power Systems

2022年3月
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DC-DCリファレンス・デザイン基板はイーモビリティがターゲット

窒化ガリウムのスペシャリストであるEPCが米モノリシック・パワー・システムズと共同開発した双方向コンバータは、発表値のピーク効率97%で動作します。

米EETimes誌
2022年2月
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大電力を必要とする負荷を電子化する

この記事では、効率的な48 Vの電力分配のためのGaNを備えた車載用バック/逆ブースト・コンバータの設計と性能について説明します。

英Electronics Today誌
12月/ 1月版
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高効率な48 Vの電力分配向けのGaNを備えた車載用バック/逆ブースト・コンバータ

車載用の48 V電力分配向けの双方向DC-DCコンバータの設計を示し、GaN技術が効率的な電子化を可能にする強力な成功要因であることを示します。自動車産業における電子化の増加傾向によって、自動車メーカーは、費用対効果の高い方法で市場に新しい革命を提供し、ますます厳しくなる排出規制に対応することができます。自動車の主バス電圧を48 Vに上げると、マイルドハイブリッド車のスタート・ストップのモーター/発電機などの電力を大量に消費するシステムや、電動パワー・ステアリング、電動過給機、真空や水のポンプなどの負荷に対応できます。

独Bodo’s Power Systems
2021年12月
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高電力密度用途向けのePowerチップ・セット・ファミリーが独Bodo’s Power Systemの「今月の製品」に

EPCは、高密度コンピューティング用途や、イーモビリティ、ロボット、ドローン向けの48 VのBLDCモーター駆動で使われる48 VのDC-DC変換用に設計された100 V、65 Aの集積回路チップ・セットを製品化しました。eGaN ICのEPC23101とeGaN FETのEPC2302は、最大耐圧が100 Vで、最大65 Aの負荷電流を供給でき、スイッチング速度1 MHz以上のePowerチップ・セットを構成します。

独Bodo’s Power Systems
2022年2月
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パワー・ブリックはGaNで効率が向上

LLC共振コンバータの設計は、eGaN FETが現代の電源回路の物理的サイズを、いかに小型化できるかを示します。

英ニュース・サイト米Power Electronic Tips
2021年10月
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超薄型コンピューティング用途向けの48 Vの超薄型、高電力密度DC-DCコンバータの電力と磁気の設計課題への対応

過去10年間で、コンピュータ、ディスプレイ、スマートフォン、その他の民生用電子機器の各システムは、より薄くなり、さらに強力になりました。この結果、市場は、より高い電力密度を備えたより薄い電源ソリューションに対する需要を増やし続けています。この記事では、定格250 Wの超薄型48 V入力、20 V出力に対して、さまざまな非絶縁型DC-DC降圧構成を採用することの実現可能性を検証します。さまざまな非絶縁型構成の長所と短所、および回路構成がコンバータの損失の大部分を占める2つの部品であるパワー・トランジスタと磁気部品、特にコイルの選択に、どのように影響するかを検証します。この記事では、コイルの損失、コイルのサイズ、およびEMI(電磁干渉)雑音への影響を含む設計のトレードオフを決める要因の調査など、これらの用途向けの薄いコイルを設計するときの課題の詳細な分析も行います。この作業では、超薄型のマルチレベル・コンバータ構成を選択し、構築し、テストしました。このコンバータから得られた実験結果は、98%を超えるピーク効率をもたらす動作設定と部品選択をさらに洗練するために使いました。

Michael de Rooij、 EPC
Quentin Laidebeur、独ウルト・エレクトロニクス

IEEE Power Electronics Magazine誌
2021年9月
(申し込みが必要です)
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eGaN FETを搭載した高効率、高密度で1 kWの1/8ブリック・サイズLLC共振コンバータ

データ処理インフラの継続的で急速な成長に伴い、より高い電力レベルが最小の面積で得られることが求められています。

米Power Systems Design誌
2021年9月
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GaN FETの使用は、シリコンFETの使用と同じくらい簡単です:48 Vシステムの例

この記事では、BOM(部品表)の部品点数が少なく、設計者がシリコンFETを使うときと同じ簡単な方法で同期整流型バック(降圧型)・コンバータを設計できるようにし、48 Vのパワー・システムで優れた性能を実現できるGaN FET互換のアナログ・コントローラを紹介します。

米Power Electronics News誌
2021年4月
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高密度サーバー向けGaN

窒化ガリウム(GaN)デバイスは、小さな形状で高性能を提供し、効率を高め、48 Vの電力変換用途のシステム・コストを削減します。それらは、高密度コンピューティングや多くの新しい自動車用パワー・システムの設計に大量に採用されています。

英Electronic Specifier誌
2021年2月
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