このウエビナでは、Efficient Power Conversion（EPC）のCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）が、GaNがカギとなる性能限界を突破し、今、あらゆる電圧と構成において最高のシリコンMOSFETを凌駕するようになった理由を解説します。オン抵抗、ハードスイッチング損失とソフトスイッチング損失、そしてAI（人工知能）、サーバー、負荷点POL（point-of-load）コンバータにおける実際の効率向上に関する具体的なデータ（数10 Vから1 V以下の電圧まで）を説明しています。加えて、Lidowは、GaNを理論上の限界にさらに近づける将来の集積化に重点を置いた世代についても展望します。

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