This presentation introduces EPC’s scalable gallium nitride (GaN) motor drive reference designs and shows how they help humanoid robot and drone developers simplify system design and accelerate product development. The session will also explore how these architectures improve efficiency, increase power density, and reduce system weight, enabling high-performance motor control and better overall performance in next-generation robots and drones.

Speaker: Chen Hu, Director of Field Applications Engineering at EPC

Alex Lidow, CEO, Efficient Power Conversion
Alejandro Pozo, Director of Applications Engineering, Efficient Power Conversion
Ionel “Dan” Jitaru, CEO, Rompower Energy Systems

The industry shift toward 800 VDC power distribution for AI server racks requires novel DC-DC converter architectures to optimize delivery. Because of its superior efficiency and power density, the Input-Series-Output-Parallel (ISOP) topology [1,2] is rapidly becoming the standard. This paper analyzes three 800 V-input ISOP converters tailored for 50 V, 12 V, and 6 V nominal output rails. Implementing gallium nitride (GaN) transistors [3] on both the primary and secondary switching sides enables these converters to establish new performance benchmarks for peak and full-load efficiency at each critical voltage node.

The EPC91121 is a compact, high-performance three-phase BLDC motor-drive inverter for 24V battery-powered applications. Built around EPC2366 enhancement-mode GaN FETs, it operates from 18–30V and supports PWM switching up to 150kHz. Integrated gate drivers, phase-current and voltage sensing, temperature monitoring, and auxiliary supplies simplify evaluation with compatible controllers. The board delivers up to 30A RMS per phase without a heatsink, or 35Arms with natural-convection cooling.

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New evaluation boards enable engineers to accelerate the development of compact, high-efficiency motor drives for robotics, industrial automation, drones, and intelligent motion systems.

EL SEGUNDO, Calif., October 27, 2026 – Efficient Power Conversion (EPC), the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride (GaN)–based power solutions, today announced the availability of the EPC91124 and EPC91125, two new 100 V three-phase BLDC motor drive evaluation boards designed to simplify the development of next-generation high-performance motion-control systems.

eGaN® FET の EPC2361 は、36 V～65 V の入力から 48 V を出力するプラットフォームにおいて、大電流で低損失なスイッチングを実現します

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN®）のパワー・デバイスの世界的なリーダーである EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド） は 10 月 20 日、米アナログ・デバイセズ（ADI）の高性能バック／ブースト（昇降圧型）・コンバータのリファレンス・デザインに、当社の耐圧 100 V の eGaN FET「EPC2361」が採用されたと発表しました。

Michael De Rooij of EPC presents low-voltage GaN architectures for converting 800 V to 50 V, 12 V, and 6 V in server power systems. The talk highlights an input-series, output-parallel (ISOP) topology that distributes heat, reduces ripple and EMI, and simplifies transformer design. Demonstrated converters include an 11 kW, 800-to-50 V unit and a 6 kW, 800-to-12 V design with eight series input modules and eight parallel outputs. A 6 V example illustrates high-efficiency GaN devices and power-dense server conversion.

Alejandro Pozo, Director of Applications Engineering at Efficient Power Conversion

Artificial intelligence (AI) computing, robotics, autonomous machines, and industrial automation are driving demand for smaller, more efficient power electronic converters. With conventional silicon (Si) MOSFETs, engineers have traditionally faced a trade-off between efficiency and power density, as the higher switching frequencies required to reduce converter size typically result in increased switching losses and lower overall efficiency. Recent gallium nitride (GaN) products have largely eliminated this compromise by enabling both higher switching frequencies and higher efficiency [1]. As a result, power converters can achieve greater power density without sacrificing performance. Today, 48 V systems are ubiquitous in AI server racks, humanoid robots, drones, automotive electronics, and industrial equipment. Consequently, 80 to 100 V-rated devices have become key building blocks in the power conversion systems present in these applications.

窒化ガリウム（GaN）のパワー・デバイスは、新たに出てきた技術から、高効率な電力変換を可能するための重要な部品へと急速に移行しつつあります。AI（人工知能）インフラ、データセンター、ロボット、電動化といったアプリケーションで、より高い効率、より高い電力密度、より高速なスイッチングが求められているので、GaNデバイスを、どのように試験するかということが、ますます重要になってきています。

GaN（窒化ガリウム）技術によって、半導体試験がどのように変化しているのかを探るために、中国Accotestのグローバル・マーケティング部門ディレクタであるHuipeng Liu氏にインタビューしました。同社は、半導体の製造試験において豊富な経験を持つ、自動試験装置（ATE）の主要メーカーです。

11月10日～13日にドイツのミュンヘンで開催される展示会で、EPCのブース（ホールC6、ブース221）に来て、新たなアプリケーションに向けた最新GaNソリューションを見てください。

カリフォルニア州エルセグンド – 2026年10月1日 – エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN®）のパワー・デバイスのリーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は、2026年11月10日～13日にドイツのミュンヘンで開催される展示会electronica 2026で、最新のeGaN® FET、統合型パワー段とリファレンス・デザインを展示すると発表しました。ホールC6のブース221にて、人工知能（AI）、フィジカルAI、ロボット、自律型機械、宇宙用エレクトロニクスなどの新たなアプリケーション向けに、GaN技術が、パワー・システムの小型化、軽量化、高速化、高効率化を可能にしている理由についてのデモを実施します。

急速に進化するAIの電力インフラにおいて、GaN（窒化ガリウム）が果たす役割が重要な焦点となります。当社は、直流800 Vの電力分配から負荷点PoL（Point-of-Load）への変換までの電力供給経路全体を網羅するソリューションを実演します。これには、800 V入力、12.5 V出力の6 kWのISOP LLCコンバータEPC91123や、次世代AIプロセッサの近くまで高電圧電力を供給できるように設計した新しい800 V入力、6 V出力の6 kWのコンバータなどが含まれます。

EPCは、800 Vからコア電圧にわたる6 kWのGaNプラットフォームを実証しています。ISOP（入力直列出力並列）段で800 Vを6 Vに変換し、続いて 5MHzでスイッチング動作するモノリシックGaNバック（降圧型）・コンバータによって、0.9 V、11 Aの出力を供給します。

Diego de Azcuénaga著

宇宙用プラットフォームのパワー・マネージメント（電源管理）・システムのアーキテクチャには、継続的な電離放射線照射下でも決定論的に動作可能な半導体デバイスが求められます。従来の宇宙品質LDO（低ドロップアウト）リニア・レギュレータでは、シリコンMOSFETが主な回路素子として使われています。ただし、TID（総電離線量）に長時間さら曝されると、これらのデバイスのゲート絶縁膜内で電子‐正孔対が生成されます。酸化膜界面にトラップされた正孔は、しきい値電圧（V_th）を変動させ、トランスコンダクタンス（g_m）を不可逆的に劣化させます。その劣化幅は通常20%を超えます。このパラメータの劣化は、アナログ・フィードバック・ループに深刻な非線形性を生じさせます。この結果、設計者は、ミッション期間を通じて制御ループの発振や電圧ハンチングを防ぐために、過剰な設計マージンを確保したり、複雑な動的補償回路を組み込んだりしなければなりません。

Maurizio Di Paolo Emilio 著、EPC のマーケティング・コミュニケーションズ部門ディレクタ

人工知能（AI）は、新世代のデータセンターを創り出しています。単に、ラックに、より多くのコンピューティング資源を詰め込むだけではありません。現実的な設置面積を維持しつつ、効率的かつ信頼性の高い方法で、ラックに数 100 キロワット、さらにはメガワット規模の電力を供給しなければなりません。

変革の規模が明らかになりつつあります。米 NVIDIA（エヌビディア）は、1 MW 以上のラックに対応可能な AI インフラ向けの直流 800 V の電力アーキテクチャを構築しています。数ギガワット規模の新規プロジェクトも次々と発表されています。例えば、米 OpenAI は、米国オハイオ州の PORTS-Pike Technology Campus において約 8 GW の IT 容量を確保しており、その最初の稼働は 2020 年代後半に見込まれています。

Maurizio Di Paolo Emilio著、EPCのマーケティング・コミュニケーションズ部門ディレクタ

窒化ガリウム（GaN）のパワー技術は、新たな局面を迎えています。急速充電器や車載用電力変換、その他の高電圧用途で普及が進んだ後、定格電圧40V以下のGaNデバイスが、シリコンMOSFETとの新たな競合の舞台を切り開こうとしています。調査会社Omdiaのリサーチ・ディレクタであるPaul Pickering氏によれば、低電圧GaNは、今後数年間にわたってパワー半導体分野で最も破壊的な技術革新の一つとなる可能性があります。

AIインフラ向けの直流800 Vの電力供給や、ロボット、ドローン、精密モーター制御向けの

100 V の集積化GaNパワー段を検証した新たな技術論文を発表しました。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN®）のパワー・デバイスの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は9月14日、急速に進化する2つの市場、すなわち、AI（人工知能）データセンターと高性能多軸モーター駆動における厳しい電力変換に対処した2本の新しい技術ホワイト・ペーパーを公開したと発表しました。

EPC（Efficient Power Conversion）のマーケティング・コミュ二ケーションズ部門ディレクタのMaurizio Di Paolo Emilio、モーター・ドライブ・マーケティングとシステム・エンジニアリング部門バイス・プレジデントのMarco Palma

産業自動化、協働ロボット、自律走行搬送ロボット（AMR：autonomous mobile robot）、ドローン、高精度サーボ・システムの急速な成長が、より高い効率、より大きな電力密度、動的性能の向上を実現する新世代の低電圧モーター駆動回路の必要性を牽引しています。以前は、この電圧範囲ではシリコンMOSFETが最も一般的なスイッチング技術でしたが、現在では、窒化ガリウム（GaN）のパワー・デバイスによって、はるかに高いスイッチング周波数で動作できるインバータ・アーキテクチャが可能になり、従来のシリコンに伴う効率の低下を招くことなくモーターの効率が向上します。

このインタビュー記事では、AI（人工知能）の電力供給とTRINITYモーター制御向けのEPCの第8世代GaNプラットフォームについて学べますーー今週のPCIM Asiaで展示へーーAIとロボットにおける電力とスペースの需要の高まりに対応。

人工知能、ロボット、自律機械において電力需要が高まる中、窒化ガリウム（GaN）は、かつてはシリコンが主流だった用途に展開しつつあります。中国の深圳で開催される PCIM Asiaで、Efficient Power Conversion（EPC）は、この移行への対応を目的とした2つの技術を展示しています：AI電力供給用の次世代の第8世代GaNプラットフォームと、TRINITYモーター制御用の統合3相GaNソリューションです。

リファレンス・デザインのEPC91132は、ロボットやドローンのモーター駆動向けに、GaNのパワー段、検出、保護、フィードバックを統合しています

次世代の人型ロボットやドローンでは、モーター駆動回路をアクチュエータの近くに配置し、機械的な構造やセンサとスペースを共有できることが必要です。同時に、大電流の供給、高速な制御応答、信頼性の高い保護機能も実現しなければなりません

EPC91132は、GaNの3相モジュールのEPC33110をベースとした小型の3相BLDCモーター駆動用インバータのリファレンス・デザインによって、この統合の課題に対処します：その中核となるインバータは、直径23 mmの形状に小型化可能です。同社によると、48 V動作で最大100 kHzのスイッチング周波数において、人型ロボットの関節用途向けに、1相当たり11 ARMSの連続電流を実現しています

EPC、高性能モーター駆動向けの100 Vの集積化したGaNパワー段の量産開始を発表

ePower™ Stage ICの量産を開始しました。これによって、ロボット、ドローン、小型バッテリー駆動システムにおける拡張可能な設計が可能になります。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は8月26日、耐圧100Vの統合型GaNパワー段ICファミリー4品種（「EPC23108」、「EPC23109」、「EPC23110」、「EPC23111」）の量産開始を発表しました。

0.28 mΩ の極めて低いオン抵抗の eGaN® FET は、22 V の過渡電圧定格があり、先進的な大電流 DC-DC コンバータにおいて、高効率化、1 MHz 以上のスイッチング動作、電力密度の向上を実現できます。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN®）のパワー・デバイスの世界的リーダーである EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は 8 月 20 日、次世代 AI（人工知能）サーバー用電源の効率と電力密度を向上させるために設計した超低オン抵抗の耐圧 18 V の eGaN® FET「EPC2370」の量産を開始したと発表しました。EPC2370 は、22 V の過渡電圧定格を備えており、定格電圧が最大 25 V の MOSFET を置き換えることができます。

AI 向け電源アーキテクチャは、直流 800 V の電力分配へと移行しつつあり、1 MHz で動作する 6 V 出力で高密度の数キロワット級の中間バス・コンバータを採用しています。当社の第 7 世代 GaN プラットフォームを基に開発した EPC2370 は、面積 3.3 mm×3.3 mm と小型で、熱特性に優れた両面冷却対応 PQFN パッケージに収められ、連続電流定格はベンチマークとなる 101 A、標準オン抵抗 0.28 mΩ、ゲート電荷 26 nC で、極めて低いスイッチング損失が得られます。これらの特徴によって、設計者は、効率の最大化、コンバータや磁気部品の小型化が可能で、要求の厳しい熱管理要件に対応できます。

AIの演算性能の急速な向上によって、データセンターの電力アーキテクチャの抜本的な再設計が迫られており、業界で高まる高効率化や電力密度の要求を満たすための重要技術として、窒化ガリウム（GaN）が浮上しています。

パワー半導体分野のオンライン国際会議EE Power Asia 2026のSpark Sessionにおいて、Efficient Power Conversion（EPC）のCEO（最高経営責任者）であるDr. Alex Lidow（アレックス・リドウ）と、同社のDC/DCマーケティングとシステム・エンジニアリング部門バイス・プレジデントであるJason Zhangが、GPUの消費電力が増大し続けるにつれて、従来のシリコンのパワー・デバイスが、なぜ実用上の限界に近づいているのかについて説明しました。

Zhangによれば、GPUの3世代にわたって、AIアクセラレータの消費電力は4倍に増加しました。今後2年以内に、個々のGPUは1 V以下のコア電圧で動作し、最大5 kWの電力を消費し、1万Aに迫る電流が必要になると予想されています。