ePower™ Stage ICは、故障時の高速シャットダウンを実現し、デューティ比100%の連続動作に対応し、シングル入力ピンのPWMオプションによって多軸設計を容易にします。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）のパワー・デバイスの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は4月2日、人型ロボット、ドローン、その他の小型のバッテリー駆動プラットフォームなどの高性能モーター・システムやパワー・システム向けに改善した新世代の100 Vの集積化したGaNパワー段ICの「EPC23108」、「EPC23109」、「EPC23110」、「EPC23111」を発表しました。これらのデバイスは、集積化したGaN技術特有の高効率と高電力密度の利点を維持すると同時に、実装の単純化と、実環境における動作の耐久性の向上を実現できるように設計しています。

EPCは、AI（人工知能）ベースの「サイドカー」・サーバー向けに設計した新しいコンバータを開発しました。このサーバーは、電源が、情報技術機器とは別のラックに搭載されます。この基板は、800 V入力、12 V出力に降圧する固定比コンバータです。この設計では、合計出力6 kWを実現するために、それぞれ定格750 Wの100 V入力、12 V出力のモジュールを使っています。これらの個々のモジュールの入力は直列に接続され、出力は並列に接続されています。

6 kWのモジュール全体は、106 mm×47 mmという小さな面積で、厚さは、わずか8 mmです。この高度なレベルの小型化は、GaN技術によって実現されています。

EPCは、モーター制御用途向けに設計した100 Vの3相モジュールEPC 3111を搭載した基板EPC 91122をデモしました。.

この基板には、コントローラ、パワー・モジュール、2個の電流センサ、位置センサが統合されています。窒化ガリウム（GaN）技術によって、100 kHzでのスイッチングが可能なので、この設計は、積層セラミック・コンデンサ（MLCC：Multilayer Ceramic Capacitors）のみを利用しており、より大型の電解コンデンサは不要となっています。

このウエビナでは、Efficient Power Conversion（EPC）のCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）が、GaNがカギとなる性能限界を突破し、今、あらゆる電圧と構成において最高のシリコンMOSFETを凌駕するようになった理由を解説します。オン抵抗、ハードスイッチング損失とソフトスイッチング損失、そしてAI（人工知能）、サーバー、負荷点POL（point-of-load）コンバータにおける実際の効率向上に関する具体的なデータ（数10 Vから1 V以下の電圧まで）を説明しています。加えて、Lidowは、GaNを理論上の限界にさらに近づける将来の集積化に重点を置いた世代についても展望します。

窒化ガリウム（GaN）のパワー・デバイスは、ワイド・バンドギャップ特性と、高速かつ低損失動作に最適化した横型HEMT構造を組み合わせることで、スイッチング・コンバータの限界を再定義しています。この記事では、100～650 VクラスのシリコンMOSFETの自然の後継としてGaNを位置づけ、材料の性能指数FOM（figures of merit）が直接、オン抵抗の低減、スイッチング周波数の高速化、はるかに高い電力密度を、競争力のあるコストで実現する方法を示します。

シリコンのパワーMOSFETは、1970年代後半からスイッチング電源変換の進化を牽引し、多数キャリア動作、耐久性、駆動の容易さといった特徴から、バイポーラ・トランジスタに取って代わってきました。数10年にわたり、セルのピッチ、トレンチ、スーパージャンクションといった構造的な改良が継続的に行われ、耐圧と製造性を維持しながらオン抵抗R_DS(on)を低減してきました。ただし、シリコンは現在、100～600 Vの電圧範囲における単極性デバイスの理論的な限界にほぼ達しています。

米EDN誌

2026年3月

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パワー・エレクトロニクスにおける最も古くからの課題の一つは、複数のトランジスタを並列接続して、より大きな電流を流せるスイッチを実現することです。ただし、2個以上のトランジスタは、電気的特性が完全に同一になることはなく、電流を均等に分割することが困難なので、この作業は容易ではありません。

初期のパワー・コンバータの設計者にとって、この課題は、利用できた部品が電流駆動のバイポーラ・トランジスタ（BJT）だったので、さらに困難でした。つまり、電流の均等な分割を実現するために、固有の安定化効果を利用することはできませんでした。実際、通常動作時でも、必要なベース・エミッタ間電圧（V_BE）は温度上昇と共に低下します（－2 mV/℃）。このため、わずかな不均衡でも、V_BEの低いトランジスタに多くの電流が流れ、発熱が大きくなり、故障につながります。

米Power Electronics News誌
2025年3月

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EPCのAPECブースで展示した第7世代eGaN^®パワー・トランジスタのEPC2366を搭載した50 A_RMSの3相インバータ・プラットフォーム>

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）のパワー・デバイスの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は3月23日、米国テキサス州サンアントニオで開催されているパワー半導体のイベントAPEC 2026において、耐圧40 Vの第7世代eGaN^®パワー・トランジスタEPC2366を中心に構築したモーター駆動用インバータ評価基板「EPC91121」を製品化し、同社のブース（番号1935）でそのプラットフォームを展示したと発表しました。

実験室で実施した信頼性試験と実際のミッション・プロファイルとの間のギャップを埋める

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）のパワー・デバイスの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は3月19日、eGaNデバイスの信頼性に関する新たな知見を提供するフェーズ18の信頼性レポートを公表したと発表しました。このレポートは、実験室で実施した信頼性試験と実際のミッション・プロファイルにおけるデバイス性能とのギャップを埋めることで、これまでの調査をさらに発展させたものです。ユーザーとの緊密な連携を通じて策定され、評価された研究論文や国際会議での発表によって裏付けられたアプリケーション固有のストレス条件下におけるデバイス寿命をより正確に予測するための新しい手法を紹介しています。

100 VのGaNベース・インバータのリファレンス・デザイン。相電流50 ARMS、検出回路搭載で、最高150 kHzのPWM（パルス幅変調）動作を実現。

カリフォルニア州エルセグンド – 2026年3月12日 – エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）のパワー・デバイスの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は3月12日、ロボット、イーモビリティ、ドローン、産業自動化、バッテリー駆動システムにおける高効率モーター駆動用途の開発を加速するために設計した完全な3相BLDCモーター駆動用インバータの評価基板「EPC91202」を製品化したと発表しました。

このビデオでは、米インターナショナル・レクティファイアー在籍中に独自のパワーMOSFETとHEXFETを発明したAlex Lidow（アレックス・リドウ）との対談を収録しています。Alexは、父が創立した会社のCEO（最高経営責任者）に就任した後、現在は市場で最も効率の高いGaN FETのいくつかを製造していることで知られるEfficient Power Conversion（EPC）の創立者でCEOを務めています。この対談では、就任した初日にパワーMOSFETを発明した経緯、そして、この画期的な発明が現代のパワー・エレクトロニクスの形成にどのように貢献したかについて語っています

対談では、シリコン物理、GaN技術の台頭、AI（人工知能）データセンターの電力需要の増大や人型ロボットについても掘り下げて取り上げ、パワー半導体の起源とコンピューティングおよび電化の未来を牽引する技術を結び付ける魅力的な視点を提供します

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この論文では、並列構成で動作する窒化ガリウム（GaN）電界効果トランジスタ（FET）の動的電流分配の振る舞いに対する寄生容量の影響を検証します。GaN技術は、高性能パワー・エレクトロニクス・システムにおいて、ますます注目を集めており、複数のデバイスを並列接続することで、電流処理能力を向上させることが一般的な戦略となってきています。

Salvatore Musumeci PhD、Vincenzo Barba PhD、Michele Pastorelli教授、Marco Palma修士

オランダの出版社エルゼビアのウエブサイトScienceDirect
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過去10年間、AI（人工知能）の仕事量は、急速に増加する電力需要に対応していないサーバー・アーキテクチャに依存してきました。近年、「AIファクトリー」という概念が登場し、データセンターは、高密度コンピューティングに最適化した生産性重視のシステムとして再構築されています。

独Bodo’s Power Systems
2026年3月
Alejandro PozoとMichael De Rooijによる記事を読む

このChipsエピソードでは、Efficient Power Conversion（EPC）のCEO（最高経営責任者）で共同創立者であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）が、パワー半導体のイノベーションにおけるこれまでの歩みを振り返ります。HEXFETパワーMOSFETの開発初期から窒化ガリウム技術のパイオニアになるまで、自身のキャリアを形作った決断、失敗、ビジョンを披露します。GaNが、効率、AI（人工知能）データセンター、ロボット、衛星に及ぼす影響、そして技術者が将来の進路を選ぶときに「目標の先を見据える」べき理由について議論します。

英Electronics Weekly誌
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AIコンピューティングと次世代ロボットのためのスケーラブルなパワーを実現

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）のパワー・デバイスの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2月26日、パワー半導体の展示会APEC（Applied Power Electronics Conference）2026で、AI（人工知能）インフラやロボット向けの最新世代GaN技術を展示すると発表しました。このイベント期間中、当社は、ブース番号1935において、第7世代GaNと高度に集積化したGaN ICが、高密度コンピューティングや次世代ロボット・システムへのスケーラブルな導入を可能にし、デモ用プラットフォームから量産対応のパワー・アーキテクチャへと進化していく過程を紹介します。このブースでは、当社の技術者が、システム・アーキテクチャ、信頼性評価手法、アプリケーションへの実装に関する一連の技術プレゼンテーションを実施します。

制御、検出、通信の機能を備えた統合型 GaNパワー段は、スペースが限られたロボット用途向けに直径32 mmの円形設計で最大電流20 ARMSを供給できます。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）のパワー・デバイスの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2月23日、人型ロボットの関節用途向けに特別に設計した3相BLDCモーター駆動用の高性能インバータ評価基板「EPC91122」を製品化したと発表しました。EPCの高度に統合した3相ePower™ StageモジュールEPC33110を搭載したEPC91122は、スペースが限られたロボットの関節向けに最適化した超小型形状で、最大20 A_RMS（28 A_peak）の相電流を供給できます。マイコン、モーター軸角度センサー、ハウスキーピング電源、高精度の電圧・電流検出など、完全なモーター駆動用インバータの主要機能をすべて統合しています。

EPCの GaN技術により、ルネサスは民生用および AI電源市場での競争力を強化

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）のパワー・デバイスの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2月10日、先進的な半導体ソリューションと高電圧GaNトランジスタの世界的大手サプライヤであるルネサス エレクトロニクスとの包括的なライセンス契約を発表しました。

EPCの第7世代eGaN^®デバイスの量産が始まり、このデバイスは、シリコンMOSFETよりも最大3倍の性能向上を実現します

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）のパワー・デバイスの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2月2日、第7世代（Gen7）のeGaNパワー・トランジスタ・ファミリーの最初の製品「EPC2366」の量産を開始したと発表しました。この第7世代プラットフォームは、トランジスタ性能において新たな最先端技術を提供します。EPC2366は、同等のシリコンMOSFETに比べて最大3倍の性能向上を実現します。オン抵抗R_DS(on)は標準値で 0.84 mΩ、高度に最適化したR_DS(on)×ゲート電荷 Q_Gの性能指数（FoM：figure of merit）12.6 mΩ・nC未満であり、導通損失とスイッチング損失を同時に低減し、熱特性も改善します。高効率、高密度のパワー・システム向けに設計したこのデバイスは、同期整流、高密度DC-DC変換、AI（人口知能）サーバーの電源、高度なモーター駆動に優れています。

耐圧40 VのeGaN^® FETである EPC2366は、次世代パワー・エレクトロニクスの性能、効率、電力密度において新たなベンチマークを確立します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2026年1月13日、エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）の耐圧40 Vのパワー・トランジスタ「EPC2366」が、EPDTの 2025年のパワー・トランジスタ部門で年間最優秀製品賞を受賞したと発表しました。この受賞は、データセンター、ロボット、AI（人口知能）インフラといったアプリケーションにおいて、より高い効率と性能を実現する最先端のGaN技術の提供におけるEPCのリーダーシップを改めて示すものです。

EPC33110は、窒化ガリウム（GaN）のモノリシック集積回路を利用した3相モジュールで、より小型・軽量なモーター駆動用インバータの開発を可能にします。この小型な設計は、ドローンや人型ロボットなどのアプリケーションに最適で、従来のシリコン・ベースのインバータに比べて、より高いスイッチング周波数をサポートし、システムのサイズ、重さ、性能を大幅に向上させます。

独Bodo’s Power Systems
2025年12月
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EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は12月8日、グローバル・マーケティング・コミュニケーションズ部門ディレクタにMaurizio Di Paolo Emilioを任命したと発表しました。同氏は、パワー半導体分野で豊富な経験があり、ワイド・バンドギャップ（WBG）技術の専門知識を持っています。

次世代電源ソリューションの推進に尽力してきた同氏は、初期構想から最終製品の発表に至るまで、最先端半導体製品の評価に携わってきました。この分野に関する多数の論文を発表したほか、複数の書籍の執筆・編集も手掛ました。同氏の技術的洞察力、業界知識、そしてイノベーションへのコミットメントは、当社のリーダーシップ・チームにとって貴重な存在となります。