エンハンスメント・モード窒化ガリウムのFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は3月15日、中国のSHARGE Technology（SHARGE）と協力して、電力表示画面を備えた67 W のUSB PD 充電器を設計したと発表しました。このRetro 67急速充電器は、EPCの100 VのGaN FETであるEPC2218を採用しています。このデバイスは、面積が3.5 mm×1.95 mmと小さく、パルス電流231 Aを供給することができ、USB PD規格の急速充電器向けのシリコン MOSFETよりも非常に小型で高効率なデバイスを設計者に提供します。

EPC2218は、SHARGEのすべてのGaN急速充電器に、より高い効率、最先端の電力密度、より低いシステム・コストを提供します。

EPCのGaNのエキスパートたちは、APEC期間中に、さまざまな実世界のアプリケーションにおける最新世代の GaN FETとICを紹介します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウムのFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は3月7日、3月19日～23日に米国フロリダ州オーランドで開催される IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition（APEC 2023）のプレミア・パワー・エレクトロニクス・カンファレンスで複数の技術プレゼンテーションを行うと発表しました（以下の詳細なスケジュールを参照）。さらに、Orange County Convention Centerのブース番号732で、高電力密度コンピューティング、イーモビリティ、ロボット、太陽光発電、バッテリー充電など、多くのアプリケーションにおける最新世代のeGaN^® FETとICをデモします。市場で入手可能なGaNパワー半導体の最も幅広いポートフォリオである「Wall of GaN」を見るために、お立ち寄りください。

EPCは、マルチポート充電器向けの新しいUSB PD 3.1規格の厳しい要求や、28 V～48 V入力、12 Vまたは20 V出力のマザー・ボード搭載DC-DC変換に対応する高電力密度、低背のDC-DCコンバータ向けに、eGaN^® ICベースのリファレンス・デザインEPC9177を製品化しました。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2月28日、スイッチング周波数720 kHzで動作するデジタル制御された単一出力の同期整流型バック（降圧）・コンバータのリファレンス・デザイン基板「EPC9177」を製品化したと発表しました。48 V、36 V、28 Vの入力電圧を、安定化した12 V出力に変換し、最大20Aの連続出力電流を供給できます。

Efficient Power Conversion（EPC）は、定格200 V、オン抵抗10 mΩのEPC2307を発売し、定格100 V、150 V、200 Vの 6種の GaNトランジスタのファミリーを完成させました。これによって、DC-DC変換、AC/DCのスイッチング電源と充電器、ソーラー用のオプティマイザとマイクロインバータ、モーター駆動向けに、より高い性能、より小さなソリューション・サイズ、および設計の容易さを提供します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウムのFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は1月31日、定格200 V、オン抵抗10 mΩの「EPC2307」を発売したと発表しました。実装面積が3 mm×5 mmと小型で、熱的に強化されたQFNパッケージに封止しています。

EPCは、車載品質の規格AEC-Q101認定のGaN FETである耐圧80 VのEPC2252を発売し、車載品質のLidar（光による検出と距離の測定）、48 V入力、12 V出力のDC-DC変換、および低インダクタンスのモーター駆動に向けたシリコン MOSFETよりも大幅に小型で高効率なソリューションを設計者に提供します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）のFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は1月24日、実装面積1.5 mm×1.5 mmで、パルス電流75 A、耐圧80 V、オン抵抗1.1 mΩの「EPC2252」を発売し、市販の車載用窒化ガリウム・トランジスタの選択肢を広げたと発表しました。自動運転や、その他のADAS（先進運転支援システム）の用途、48 V入力、12 V出力のDC-DC変換、低インダクタンス・モーターの駆動に使う車載品質のLidar（光による検出と距離の測定）用シリコン MOSFETよりも大幅に小型で高効率なデバイスをパワー・システム設計者に提供します。

Efficient Power Conversion（EPC）は、掃除機、ロボット、3次元セキュリティ・カメラ、3次元センシングなどの飛行時間（ToF）型 Lidar用途向けに、15 Aのパルス電流能力を備えた80 Vのレーザー・ドライバICの EPC21701を製品化しました。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は1月17日、ロボット、監視システム、掃除機で使われる飛行時間（ToF：time-of-flight）型Lidar（光による検出と距離の測定）システム向けに、ゲート・ドライバや3.3 Vの論理レベル入力を備えた80 V、40 AのFETをワン・チップにモノリシック化したレーザー・ドライバ「EPC21701」を製品化したと発表しました。これは、ジェスチャ認識、飛行時間 （ToF）測定、ロボット・ビジョン、産業用の安全確保のためのLidarシステムに合わせて設計されています。

EPCと台湾Richtekは、昇降圧コントローラRT6190と、EPCのGaN FETであるEPC2204を使って、効率98%以上を実現するリファレンス・デザインを製品化しました。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は1月12日、台湾のRichtek Technologyと協力して、12 V～24 Vの入力電圧を5 V～20 Vの安定化した出力電圧に変換し、5 Aの最大連続電流、および6.5 Aの最大電流を供給できる4スイッチの双方向昇降圧（バック・ブースト）コントローラのリファレンス・デザイン基板を製品化したと発表しました。Richtekの新しいRT6190コントローラとEPCの超高効率 GaN FET であるEPC2204を組み合わせることで、高電力密度用途向けの従来のソリューションと比べて、ソリューションのサイズを20%以上小型化できます。このソリューションは、20 Vおよび12 Vの出力電圧で98%を超える効率を実現し、連続電流5 Aのとき、20 V入力、5 V出力の場合は15℃以下、12 V入力、20 V出力の場合は55℃以下の最高温度上昇でヒートシンクなしで動作できます。

Efficient Power Conversion（EPC）は、耐圧150 V、オン抵抗3 mΩのEPC2305と、200 V、5 mΩのEPC2304の2品種のGaN FETを発売し、DC-DC変換、AC/DCスイッチング電源と充電器、太陽光発電用のオプティマイザやマイクロインバータ、モーター駆動向けに、より高性能で小型のソリューション・サイズと低コストを提供します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）のFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は12月14日、表面が露出し、実装面積が3 mm×5 mmと小さい熱的に強化されたQFNパッケージに収めた耐圧150 V、オン抵抗3 mΩのEPC2305と、200 V、5 mΩのEPC2304の2品種のGaN FETを発売したと発表しました。

EPCは、80 Vの車載品質AEC-Q101認定の新しい GaN FETを2品種発売し、自動車の48 V入力、12 V出力のDC-DC変換、インフォテインメント、自動運転用Lidar向けのシリコンMOSFETよりも大幅に小型で高効率なソリューションを設計者に提供します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）のFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は12月8日、面積が2.5 mm×1.5 mmでパルス電流125 Aを供給できる耐圧80 V、オン抵抗6 mΩの「EPC2204A」、および 面積3.5 mm×1.95 mmでパルス電流231 Aを供給する80 V、3.2 mΩ の「EPC2218A」を発売し、市販の車載用窒化ガリウム・トランジスタの選択肢を拡大したと発表しました。48 Vと12 Vの間の変換用の車載用DC-DC、インフォテインメント、自動運転用Lidar（光による検出と距離の測定）向けのシリコン MOSFETよりも大幅に小型で高効率なデバイスを設計者に提供します。

Efficient Power Conversion（EPC）は、台湾のヴァンガード・インターナショナル・セミコンダクター（VIS）と協力して 8インチ・ウエハーの処理能力を拡大することによって、窒化ガリウム電力変換における市場のリーダーシップを強化します。

E窒化ガリウム（eGaN）のパワーFETと集積回路（IC）の世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は12月6日、専用 ICファウンドリー ・サービスの大手プロバイダである台湾ヴァンガード・インターナショナル・セミコンダクター VIS）と、窒化ガリウム・ベースのパワー半導体を生産するための複数年の生産契約をしたと共同発表しました。EPCは、VISの8インチ（200 mm）・ウエハーの処理能力を利用して、EPCの高性能GaNのトランジスタと集積回路の製造能力を大幅に拡大します。製造は2023年初頭に開始されます。

Efficient Power Conversion（EPC）は、耐圧80 V、オン抵抗4 mΩのGaN FETであるEPC2619を製品化しました。このデバイスは、実装面積が1.5 mm×2.5 mmと小さく、DC-DC変換、モーター駆動、12 Vから20 Vへの同期整流などの高電力密度用途向けに、従来の MOSFETよりも高性能で小型のソリューション・サイズを提供します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は11月15日、耐圧80 V、オン抵抗4 mΩの「EPC2619」を製品化したと発売しました。このデバイスは、当社の前世代の製品と比べて、2倍の電力密度が得られる新世代eGaNデバイスの主要製品です。

GaN FETは、Solarnativeが太陽光発電用マイクロインバータ向けに、業界をリードする電力密度を実現することに貢献し、モジュール・フレームへの統合を可能にして、太陽光発電設備の課題を解決します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は11月9日、2022 年 11 月、独Solarnativeが、新しいマイクロインバータに GaN デバイスを使って、業界最高の電力密度を実現したと発表しました。このインバータPower Stickは、世界最小で、大きさは23.9×23.2×404 mmです。350 Wの交流出力電力のとき、容積0.19リットルでは、1リットル当たり1.6 kWの電力密度に相当します。比較として、市場をリードするサプライヤの IQ 7Aマイクロインバータでは、1.12リットルの容量で 349 Wを供給しています。1リットル当たりでは 0.31 kW に相当します。これは、Solarnativeのデバイスの1/5にも満たない値です。サイズが大幅に縮小されたにもかかわらず、欧州における効率は、Power Stickで 96.0%、IQ 7Aで 96.5%と、ほぼ同等です。

Efficient Power Conversion（EPC）は、耐圧150 V、オン抵抗6 mΩのGaN FETであるEPC2308を発売し、DC-DC変換、AC/DCスイッチング電源と充電器、太陽光発電用 オプティマイザとマイクロインバータ、モーター駆動などの高電力密度用途向けの高性能で小型のソリューション・サイズに貢献します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は10月20日、150 Vの「EPC2308」を製品化し、熱的に強化したQFNパッケージの市販の GaN FETの選択肢を拡大したと発表しました。この製品は、電動工具やロボットのモーター駆動、産業用途向けの 80 Vと100 Vの間の高密度 DC-DC、充電器、アダプタ、電源向けの28 V入力、54 V出力の同期整流、スマートフォンのUSB 高速充電器、太陽光発電のオプティマイザとマイクロインバータ向けに設計しました。

GaNベース・インバータのリファレンス・デザインEPC9176は、設計を単純化すると同時に、モーター駆動システムの性能、範囲、精度、トルクをすべて向上させます。このインバータのサイズが非常に小さいため、モーターのハウジングに組み込むことができるので、EMI（電磁干渉）雑音を最小限に抑え、密度を高め、重さを最小化ことができます。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は10月12日、組み込みゲート・ドライバ機能を備えた ePower™ StageのGaN ICであるEPC23102とオン抵抗が標準値で5.2 mΩの2個の GaN FETを使った3相BLDCモーター駆動用インバータ「EPC9176」を製品化したと発表しました。EPC9176 は、入力電源電圧20 V～80 Vで動作し、最大28 A_pk（20 A_RMS）を供給できます。この電圧範囲と電力レベルによって、このソリューションは、電動自転車、電動キックボード、電動工具、ドローン、ロボット、DCサーボ、医療用ロボット、工場の自動化など、36 V～80 Vの入力を備えたさまざまな3相BLDCモーター駆動用途に最適です。

Efficient Power Conversion（EPC）は、ユーザーが拡大しているモーター駆動用途にGaNの力を活用できるよう支援するために、イタリアのトリノにモーター駆動の新しいセンター ・オブ ・エクセレンス（CoE）・デザイン・センターを開設しました。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は9月14日、イタリアのトリノ近郊に、イーモビリティ、ロボット、ドローン、および産業オートメーションの市場におけるGaN技術に基づくモーター駆動用途の拡大に焦点を当てた新しいデザイン・アプリケーション・センターを開設したと発表しました。このスペシャリスト・チームは、ユーザーの設計サイクルの加速をサポートし、400 W～数10 kWまでの用途をテストするための最先端の機器を使って、パワー・マネージメント（電源管理）用の将来の集積回路の設計に貢献します。

Efficient Power Conversion（EPC）は、耐圧100 V、オン抵抗3.8 mΩのGaN FETであるEPC2306 を発売し、DC-DC変換、AC/DC充電器、太陽光発電用オプティマイザとマイクロインバータ、モーター駆動、 D級オーディオなどの高電力密度用途向けに高性能で小型なソリューション・サイズを提供へ。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は9月8日、耐圧100 Vの「EPC2306」を発売したと発表しました。熱的に強化されたQFNパッケージの市販のGaN FETの選択肢を拡大します。高密度コンピューティング用途で使う48 VのDC-DC変換、イーモビリティやロボット向けの48 VのBLDCモーター駆動回路、太陽光発電用 オプティマイザとマイクロインバータ、D級オーディオなどに向けて設計しています。

100 VのGaN FETであるEPC2218は、BRCの新しいパワー ・オプティマイザ M500/14で、スペースの制限を緩和し、より高い周波数と電力定格を達成しています。

独BRC Solar GmbHは 8月23日、太陽光の発電所とシステムのエネルギー収量と性能を向上させるパワー ・オプティマイザで、太陽光発電市場に革命をもたらしています。Efficient Power Conversionの 100 VのFETであるEPC2218を次世代のパワー ・オプティマイザM500/14の設計に組み込むことで、低消費電力で小型なGaN FETによって、重要な負荷回路をより小型にできるので、より高い電流密度が可能になりました。GaN FETは、寄生の容量とインダクタンスが小さいため、クリーンなスイッチング特性が得られ、フィールドで良好なEMI（電磁干渉）雑音特性が得られます。GaN FETのもう 1 つの利点は、逆回復損失がゼロであることです。

Efficient Power Conversion（EPC）は、1 MHz動作で最大 35 Aの能力を備えた完全な GaN ハーフブリッジ ・パワー段を集積した最新の ePower™ Stage ICを製品化し、DC-DC変換、モーター駆動、 D級オーディオ・アンプなどの高電力密度アプリケーション向けに高性能で小型ソリューション・サイズを実現できます。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は8月10日、高密度コンピューティング用途や、イーモビリティ、ロボット、ドローン向けの48 VのBLDC モーター駆動で使われる48 VのDC-DC変換用に設計された100 V、35 Aの集積回路を製品化したと発表しました。

このeGaN IC「EPC23102」 は、最大耐圧100 Vで、最大35 Aの負荷電流を供給でき、スイッチング速度は1 MHz以上です。

Efficient Power Conversion（EPC）は、厳しい宇宙搭載環境やその他の高信頼性が要求される環境での電力変換ソリューション向けの耐放射線（rad-hard）窒化ガリウム（GaN）製品のファミリーを拡張し、この製品ファミリーに5番目の耐放射線デバイスを追加します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は6月30日、耐放射線特性を強化したGaN FET「EPC7004」を製品化すると発表しました。EPC7004は、耐圧100 V、オン抵抗7 mΩ、パルス電流160 A_Pulsedの耐放射線GaN FETで、実装面積は6.56 mm²と小型です。EPC7004の総線量の定格は1 Mrad以上で、85 MeV/(mg/cm²)のLETに対するSEE耐性があります。EPC7004、および、この他の耐放射線ファミリーであるEPC7014、EPC7007、EPC7019、EPC7018は、市販のeGaN® FETとICのファミリーと同じチップスケール・パッケージで提供されます。パッケージ封止のバージョンは米EPC Spaceから入手できます。

Efficient Power Conversion（EPC）は、厳しい宇宙搭載環境やその他の高信頼性が要求される環境での電力変換ソリューション向けの耐放射線（rad-hard）窒化ガリウム（GaN）製品のファミリーを拡張し、現在市場に出回っている100 Vの耐放射線トランジスタの中で最もオン抵抗が小さい100 Vのデバイスを製品化します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は6月14日、耐放射線特性を強化したGaN FET「EPC7018」を製品化すると発表しました。EPC7018は、耐圧100 V、オン抵抗3.9 mΩ、パルス電流345 A_Pulsedの耐放射線GaN FETで、実装面積は13.9 mm²と小型です。EPC7018の総線量の定格は1 Mrad以上で、85 MeV/(mg/cm²)のLETに対するSEE耐性があります。EPC7018、および、この他の耐放射線ファミリーであるEPC7014、EPC7007、EPC7019は、市販のeGaN^® FETとICのファミリーと同じチップスケール・パッケージで提供されます。パッケージ封止のバージョンは米EPC Spaceから入手できます。