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Efficient Power Conversion(EPC)は、技術者が製品サポートを受けたり、質問したり、GaN技術の利用に関するアイデアを共有したりするためのフォーラムを立ち上げました。
EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は6月8日、技術者が製品と設計サポートにアクセスし、窒化ガリウム(GaN)・ベースのパワー技術の利用に関するアイデアを共有するための環境として、ユーザー・コミュニティ「GaNの話のサポート・フォーラム」を立ち上げたと発表しました。このフォーラムは、技術者、技術系学生、および、すべてのGaNの支援者のために立ち上げられ、ユーザーがGaN関連の質問を送信し、ユーザー・コミュニティとアイデアを共有する機会を提供します。質問は、トピック分野、トップ・トピック、最新の投稿で検索できます。ユーザーは、質問を送信するだけでなく、投稿の「共有」リンクを介してフォーラム内から過去の質問と回答を共有できます。
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GaNベースのインバータのリファレンス・デザインEPC9173は、モーター・システムのサイズ、性能、範囲、精度、トルクを向上させるため、設計を簡素化して製品の市場投入までの時間を短縮します。このインバータのサイズが非常に小さいため、モーターのハウジングに統合でき、EMI(電磁干渉)雑音が最小になり、密度が最大になり、重さが最小になります。
EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は6月2日、ゲート駆動回路の機能が組み込まれたeGaN® IC のEPC23101と、オン抵抗3.3 mΩのフローティング・パワーGaN FETを使った3相BLDCモーター駆動用インバータ「EPC9173」の製品化を発表しました。EPC9173は、20 V〜85 Vの入力電源電圧で動作し、最大ピーク電流50 Apk(電流の実効値35 ARMS)を供給できます。この電圧範囲と電力レベルによって、このソリューションは、電動自転車、電動キックボード、シティ・カー、ドローン、ロボットなど、さまざまなモーター駆動用途に最適です。
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EPCは、耐圧40 V、オン抵抗1.1 mΩのGaN FETであるEPC2066を発売し、スペースに制約のある高性能アプリケーション向けに、シリコンMOSFETよりも大幅に小型で高効率なデバイスを供給します。
エンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN®)のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は5月25日、GaN FETの「EPC2066」(オン抵抗の標準値0.8 mΩ、耐圧40 V)を発売し、低電圧の既製の窒化ガリウム・トランジスタの選択肢を広げたと発表しました。
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Sensitronは、Efficient Power Conversion(EPC)の350 VのeGaN® FETであるEPC2050を使ったGaNハーフブリッジ・モジュールSPG025N035P1Bを製品化しました。
EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は5月17日、米Sensitron Semiconductorが、従来のシリコンFETをEPCの350 VのGaN FET (EPC2050)に置き換えることで、ソリューションのサイズを60%小型化し、モジュールの接合部からパッケージへのすでに優れていた熱伝導も一段と改善することができたと発表しました。サイズとコストの削減は、最新世代のGaNパワー・モジュールを設計する際のSensitronの重要な関心事でした。同社のSPG025N035P1Bは、ゲート駆動回路を搭載した350 V、20 Aの高電力密度GaNハーフブリッジであり、浮遊インダクタンスと500 kHzでのスイッチング特性が最適化されています。この定格20 Aのモジュールは、3 kW以上の制御に使えます。超小型軽量の高電力密度パッケージ(1.10インチ×0.70インチ×0.14インチ、1インチは2.54 cm)での同社独自の上面冷却技術によって、最適な熱特性が得られています。SPG025N035P1Bは、商業、産業、航空宇宙用のアプリケーション向けに設計されました。
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EPCは、耐圧100 V、オン抵抗2.2 mΩのGaN FETであるEPC2071を発売し、スペースに制約のある高性能アプリケーション向けに、シリコンMOSFETよりも非常に小型で高効率なデバイスを供給します。
エンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN®)のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は5月10日、GaN FET の「EPC2071 」(オン抵抗の標準値1.7 mΩ、耐圧100 V)を発売したと発表しました。これによって、既製の低電圧窒化ガリウム・トランジスタの選択肢を拡大します。
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Efficient Power Conversion(EPC)は、耐放射線特性を強化した窒化ガリウム(GaN)製品のファミリーを拡張し、超低オン抵抗で超小型の200 Vデバイスを製品化し、厳しい宇宙搭載環境やその他の高信頼性環境での電力変換ソリューションを実現します。
EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は5月3日、耐放射線特性を強化したGaN FET「EPC7007」を製品化すると発表しました。EPC7007は、耐圧200 V、オン抵抗25 mΩ、パルス電流80 APulsedの耐放射線GaN FETで、実装面積は5.76 mm2と小型です。EPC7007の総線量の定格は1 Mrad以上で、85 MeV/(mg/cm2)のLETに対するSEE耐性があります。これらのデバイスは、市販のeGaN FETとICのファミリーと同じチップスケール・パッケージで提供されます。パッケージ封止のバージョンは米EPC Spaceから入手できます。
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EPCのGaNのエキスパートたちが、PCIM Europe 2022に参加し、GaN技術の優れた性能が、コンピューティング、通信、イーモビリティなど、多くの業界にわたって、電力供給をどのように変革しているかを示すさまざまなデモを実施します。
EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は4月26日、EPCのチームが、5月10〜12日にドイツのニュルンベルクで開催されるPCIM Europe 2022で、窒化ガリウム(GaN)技術とアプリケーションに関する複数の技術プレゼンテーションを行うと発表しました(以下の詳細なスケジュールを参照)。加えて、最新のeGaN® FETとICを、ホール9、スタンド113でさまざまなユーザーの最終製品をデモします。
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Efficient Power Conversion(EPC)は、車載品質のトランジスタと集積回路のファミリーに最新の製品を追加し、ロボット、ドローン、3次元センシング、自動運転車などの飛行時間(ToF)型Lidar(光による検出と距離の測定)用途向けに高性能で小型のソリューションを提供します。
EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は4月20日、定格100 V、オン抵抗58 mΩ、パルス電流20 Aの共通ソースのデュアル窒化ガリウムFET「EPC2221」を発売したと発表しました。EPC2221は、ロボット、監視システム、ドローン、自動運転車、掃除機向けのLidar(光による検出と距離の測定)システムで使えます。
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EPC2050は、パワー・システム設計者向けに、耐圧350 V、最大オン抵抗80 mΩ、ピーク電流26 Aのパワー・トランジスタを非常に小さなチップスケール・パッケージに収めています。この新しいデバイスは、マルチレベル・コンバータ、電気自動車の充電、太陽光発電用インバータ、Lidar(光による検出と距離の測定)、LED(発光ダイオード)照明に最適です。
EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は4月7日、最大オン抵抗が80 mΩでパルス出力電流が26 Aの耐圧350 VのGaNトランジスタ「EPC2050」を発売したと発表しました。EPC2050の面積は、わずか1.95 mm×1.95 mmです。この小さな面積によって、同等のシリコン・ソリューションの面積の1/10でパワー・ソリューションが実現できます。
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評価基板のEPC9171は、90 V〜265 Vの汎用交流入力を15 V〜48 Vの広い範囲にわたって調整可能な直流出力電圧に変換します。このリファレンス・デザインは、出力電圧48 V、負荷電流5 Aで、最大出力電力240 Wを供給できます。
EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は3月22日、USB PD3.1超急速充電器向けに設計された90 V~260 Vの汎用交流入力を直流出力電圧15 V~48 Vに変換する「EPC9171」を製品化したと発表しました。このリファレンス・デザインは、出力電圧48 V、負荷電流5 Aで、最大出力電力240 Wを供給できます。1次側回路と2次側回路の両方において、高いスイッチング周波数で動作する窒化ガリウム(GaN)・パワー・スイッチを使うことによって、約1.1 W/cm3の電力密度が得られます。
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Efficient Power Conversion(EPC)は、現在市場に出回っている耐放射線トランジスタの中でオン抵抗が最も低いデバイスを使って、厳しい宇宙搭載環境やその他の高い信頼性が必要な環境での電力変換ソリューション向けに、耐放射線特性を強化した窒化ガリウム(GaN)製品のファミリーを発売しました。
EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は3月15日、耐放射線特性を強化したeGaN FETの「EPC7019」を発売したと発表しました。EPC7019は、耐圧40 V、オン抵抗1.5 mΩ、パルス電流530 APulsedの耐放射線eGaN FETで、実装面積が13.9 mm2と小型です。EPC7019の総線量定格は1 Mrad以上で、LETに対するSEE(シングル・イベント効果)耐性は85 MeV/(mg/cm2)です。これらのデバイスは、市販のeGaN FETとICのファミリーと同じチップスケール・パッケージで提供されます。パッケージ封止版は、米EPC Space社から入手できます。
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EPCと米アナログ・デバイセズは、EPCのGaN FETを駆動するために完全に最適化された新しいアナログ・コントローラを使ったリファレンス・デザインを製品化しました。アナログ・デバイセズの新しい同期GaNバック(降圧型)・コントローラLTC7890とEPC(Efficient Power Conversion)の超高効率eGaN® FETの組み合わせによって、最高2 MHzのスイッチング周波数が可能になり、高電力密度で低コストのDC-DC変換が実現できます。
EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は3月9日、入力電圧9 V~24 Vを3.3 V~5 Vの出力電圧に変換し、最大15 Aの連続電流を2つの出力に供給するスイッチング周波数2 MHzのデュアル出力同期バック(降圧型)・コンバータのリファレンス・デザイン基板「EPC9160」を製品化したと発表しました。スイッチング周波数が高いため、コンバータのサイズは非常に小さく、2出力で面積は、わずか23 mm×22 mmであり、コイルの高さは、わずか3 mmです。
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EPCのGaNのエキスパートたちは、APEC期間中に、GaN技術の優れた性能が、コンピューティング、通信、イーモビリティなど、多くの業界にわたって電力供給をどのように変革しているかを示すさまざまなデモを展示します。
EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は3月2日、当社のチームが、3月20日から24日まで、米国ヒューストンで開催されるパワー・エレクトロニクス関連のイベントIEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition(APEC 2022)で、複数の技術プレゼンテーションと、窒化ガリウム(GaN)の技術とアプリケーションに関する専門セミナーを開催すると発表しました(詳細なスケジュールは以下を参照)。さらに、ブース番号1307で、さまざまなユーザーの最終製品に採用された最新のeGaN® FETsとICを展示します。
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GaNベース・インバータのリファレンス・デザインのEPC9167は、システム全体のコストを低減すると同時に、モーター・システムの性能、範囲、精度、トルクをすべて向上させます。このインバータは非常に小型なので、モーターのハウジングに統合でき、EMI(電磁干渉)雑音が最小になり、密度が最大になり、最軽量にできます。
EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2月23日、eGaN® FETのEPC2065を使った3相BLDCモーター駆動用インバータ「EPC9167」を製品化しました。EPC9167は、入力電源電圧14 V〜60 V(公称48 V)で動作し、標準構成と大電流版の2つの構成があります。
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EPC9165は、2相、安定化出力電圧で、48 Vと14 Vの間の双方向コンバータです。ピーク効率96.8%で2 kWを供給します。
EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2月16日、実装面積が小さく、ピーク効率97%で動作する2 kW、2相で48 Vと14 Vの間の双方向コンバータ「EPC9165」を発売したと発表しました。このソリューションは、イーモビリティやライト・モビリティに必要なものなど、高密度で大電力の48 Vのバッテリー・パックに最適です。
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Efficient Power Conversion(EPC)は、フェーズ14の信頼性レポートを公開します。このレポートは、広範な知識を追加し、シリコン・パワー・デバイスでは比類のない丈夫さを実証します。
EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2月1日、フェーズ14の信頼性レポートを公開し、驚くべきフィールド信頼性記録を達成するために使われた戦略を文書化したと発表しました。さまざまな用途でGaNデバイスを迅速に採用するには、信頼性統計の継続的な蓄積と、GaNデバイスの故障の基本的な物理の研究が必要です。フェーズ14の信頼性レポートでは、さまざまな条件下で、デバイスを強制的に故障させるテストに基づいて寿命を測定し、予測するために使われる戦略を示します。この情報を使えば、自動運転車、ロボット、セキュリティ、ドローン向けのLidar(光による検出と距離の測定)、高電力密度コンピューティング、衛星などの用途向けに、より丈夫で高性能な製品を開発できます。
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EPC9170は、出力電圧を安定化した48 Vと14 Vの2相双方向コンバータです。ピーク効率96.8%で2 kWを供給できます。
EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は1月26日、小さな実装面積、ピーク効率96.8%、2 kWで、48 Vと14 Vとの間の2相双方向コンバータ「EPC9170」を発売しました。この基板は、100 V、65 AのePower™チップ・セットを搭載しています。このチップ・セットは、eGaN® IC のEPC23101とeGaN® FETのEPC2302で構成され、最大耐圧100 Vで、最大65 Aの負荷電流を供給でき、1 MHzを超えるスイッチング速度で動作します。
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Efficient Power Conversion(EPC)は、高性能GaNベース設計のための設計ツール、モデル、および性能シミュレーションの設計支援を拡張し、提供します。
EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は1月19日、GaNベースの設計から最適な性能を得られるように支援する一連の設計ツールGaN Power Bench™を公開したと発表しました。eGaN® FET と ICは、今日の最先端アプリケーションの厳しい電力密度の要件を満たすことができる高速スイッチング、高効率、小型化を提供します。GaN Power Bench のツールは、そのアプリケーションに最適なGaNデバイスの選択を支援し、その設計の熱特性をシミュレーションして最適化でき、理想的な性能を得るために必要な最適な設計のヒントを迅速かつ簡単に複製するために必要なすべてのサポート資料とアプリケーション例を提供します。
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ルネサス エレクトロニクスの2相同期GaNブースト(昇圧型)・コントローラとEPC(Efficient Power Conversion)の超高効率eGaNeGaN® FETを組み合わせることで、高電力密度で低コストのDC-DC変換が可能になります。
EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2022年1月4日、12 V入力を48 V出力に変換する500 WのDC-DCデモ・ボード「EPC9166」を製品化したと発表しました。このデモ・ボードEPC9166は、EPCの最新世代eGaN FET のEPC2218と、ルネサス エレクトロニクスの80 V の2相同期ブースト(昇圧型)・コントローラISL81807を搭載し、スイッチング周波数500 kHzで12 V入力から48 Vの安定化出力への変換で、効率96.5%以上を実現できます。出力電圧は、36 V、48 V、60 Vに構成できます。この基板は、ヒートシンクなしで480 Wの電力を供給できます。
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Efficient Power Conversion(EPC)は、100 VのGaNドライバと最高65 AのFETを統合したePowerチップ・セットのファミリーを製品化し、これによって、DC-DC変換やモーター駆動などの高電力密度の用途向けに、より高い性能で、より小型なソリューションを提供します。
EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は12月14日、高密度コンピューティング用途や、イーモビリティ、ロボット、ドローン向けの48 VのBLDC(ブラシレス直流)モーター駆動で使われる48 VのDC-DC変換用に設計された100 V、65 Aの統合されたチップ・セットを製品化したと発表しました。
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