Efficient Power Conversion（EPC）は、定格200 V、オン抵抗10 mΩのEPC2307を発売し、定格100 V、150 V、200 Vの 6種の GaNトランジスタのファミリーを完成させました。これによって、DC-DC変換、AC/DCのスイッチング電源と充電器、ソーラー用のオプティマイザとマイクロインバータ、モーター駆動向けに、より高い性能、より小さなソリューション・サイズ、および設計の容易さを提供します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウムのFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は1月31日、定格200 V、オン抵抗10 mΩの「EPC2307」を発売したと発表しました。実装面積が3 mm×5 mmと小型で、熱的に強化されたQFNパッケージに封止しています。

Efficient Power Conversion（EPC）は、耐圧150 V、オン抵抗3 mΩのEPC2305と、200 V、5 mΩのEPC2304の2品種のGaN FETを発売し、DC-DC変換、AC/DCスイッチング電源と充電器、太陽光発電用のオプティマイザやマイクロインバータ、モーター駆動向けに、より高性能で小型のソリューション・サイズと低コストを提供します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）のFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は12月14日、表面が露出し、実装面積が3 mm×5 mmと小さい熱的に強化されたQFNパッケージに収めた耐圧150 V、オン抵抗3 mΩのEPC2305と、200 V、5 mΩのEPC2304の2品種のGaN FETを発売したと発表しました。

Efficient Power Conversion（EPC）は、台湾のヴァンガード・インターナショナル・セミコンダクター（VIS）と協力して 8インチ・ウエハーの処理能力を拡大することによって、窒化ガリウム電力変換における市場のリーダーシップを強化します。

E窒化ガリウム（eGaN）のパワーFETと集積回路（IC）の世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は12月6日、専用 ICファウンドリー ・サービスの大手プロバイダである台湾ヴァンガード・インターナショナル・セミコンダクター VIS）と、窒化ガリウム・ベースのパワー半導体を生産するための複数年の生産契約をしたと共同発表しました。EPCは、VISの8インチ（200 mm）・ウエハーの処理能力を利用して、EPCの高性能GaNのトランジスタと集積回路の製造能力を大幅に拡大します。製造は2023年初頭に開始されます。

EPCは、耐圧40 V、オン抵抗1.1 mΩのGaN FETであるEPC2066を発売し、スペースに制約のある高性能アプリケーション向けに、シリコンMOSFETよりも大幅に小型で高効率なデバイスを供給します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は5月25日、GaN FETの「EPC2066」（オン抵抗の標準値0.8 mΩ、耐圧40 V）を発売し、低電圧の既製の窒化ガリウム・トランジスタの選択肢を広げたと発表しました。

ルーマニアのEasy Engineering誌は、EPCのマーケティング部門ディレクタのRenee Yawgerに、GaN採用の現状とGaN技術の将来についてインタビューしました。

EルーマニアのEasy Engineering誌
2022年5月
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EPCは、耐圧100 V、オン抵抗2.2 mΩのGaN FETであるEPC2071を発売し、スペースに制約のある高性能アプリケーション向けに、シリコンMOSFETよりも非常に小型で高効率なデバイスを供給します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は5月10日、GaN FET の「EPC2071 」（オン抵抗の標準値1.7 mΩ、耐圧100 V）を発売したと発表しました。これによって、既製の低電圧窒化ガリウム・トランジスタの選択肢を拡大します。

ワイド・バンドギャップ（WBG）半導体パワー部品の主流の材料は、炭化ケイ素（SiC）と窒化ガリウム（GaN）です。それらは、エネルギーの節約と持続可能性に対する意識の高まりと共に、今日、さまざまなパワー・システムのアプリケーションで最も好まれるデバイスになっています。Tech Taipei 2022 ConferenceがWBGをテーマに採用したのはこれが初めてでした。業界の主要なプレーヤーからの講演者が設計、製造、テストの各分野から招待され、会議の400人を超える参加者に最新の技術とアプリケーションのトレンドを紹介しました。

台湾のEE Times Taiwan誌
2022年3月25日
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サーバーが48 Vに移行すると、GaNトランジスタは、今日のシリコンMOSFETを打ち負かし、性能とコストを改善します。

英オンライン・ニュースData Center Dynamics
2022年3月
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ルネサス エレクトロニクスの2相同期GaNブースト（昇圧型）・コントローラとEPC（Efficient Power Conversion）の超高効率eGaNeGaN^® FETを組み合わせることで、高電力密度で低コストのDC-DC変換が可能になります。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2022年1月4日、12 V入力を48 V出力に変換する500 WのDC-DCデモ・ボード「EPC9166」を製品化したと発表しました。このデモ・ボードEPC9166は、EPCの最新世代eGaN FET のEPC2218と、ルネサス エレクトロニクスの80 V の2相同期ブースト（昇圧型）・コントローラISL81807を搭載し、スイッチング周波数500 kHzで12 V入力から48 Vの安定化出力への変換で、効率96.5％以上を実現できます。出力電圧は、36 V、48 V、60 Vに構成できます。この基板は、ヒートシンクなしで480 Wの電力を供給できます。

EPC2070は、非常に小さなチップスケール・パッケージに封止し、パルス化した34 Aの電流供給能力がある定格100 V、最大オン抵抗23 mΩのパワー・トランジスタです。この新しいデバイスは、60 W、48 Vのパワー・コンバータ、Lidar（光による検出と距離の測定）、LED（発光ダイオード）照明などのアプリケーションに最適です。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は12月7日、面積が1.1 mm²と超小型で、高効率の電力変換を実現する最大オン抵抗R_DS(on)が23 mΩ、パルス出力電流34 Aで定格100 VのGaNトランジスタ「EPC2070」を発売したと発表しました。.

EPCは、耐圧40 V、オン抵抗1.3 mΩのeGaN^® FETであるEPC2067を発売し、高性能でスペースに制約のあるアプリケーション向けに、MOSFETよりも小型、高効率で、信頼性の高いデバイスを提供します。

エンハンスメント・モードの窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は10月27日、eGaN FETの「EPC2067」（標準1.3 mΩ、40 V）を発売し、低電圧の既製の窒化ガリウム・トランジスタの選択肢を拡大したと発表しました。

EPCは、耐圧40 V、オン抵抗1.6 mΩのeGaN^® FETであるEPC2069 を製品化し、高性能が要求され、スペースに制約のあるアプリケーション向けに、現在利用可能なデバイスよりも小型、高効率で信頼性の高いデバイスを設計者に提供します。

エンハンスメント・モードの窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は9月21日、eGaN FETの「EPC2069」（標準値1.6 mΩ、40 V）を製品化し、既製品の低耐圧窒化ガリウム・トランジスタの性能を高めたと発表しました。

データ処理インフラの継続的で急速な成長に伴い、より高い電力レベルが最小の面積で得られることが求められています。

米Power Systems Design誌
2021年9月
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EPC9149は、1/8ブリック・サイズで1/4ブリックの電力を供給し、1 MHzでスイッチングするeGaN^® FETを使って、優れた電力密度を実現し、1 kWの電力を供給します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は5月25日、変換比4対1の直流変圧器として動作する1 kW対応の48 V入力、12 V出力のLLCコンバータ「EPC9149」を発売しました。このデモ・ボードは、GaN FET である100 VのEPC2218と40 VのEPC2024を搭載しています。

ルネサス エレクトロニクスのデュアル同期整流型GaNバック・コントローラとEPC（Efficient Power Conversion）の超高効率eGaN^® FETの組み合わせによって、シリコンと同じBOM（部品表）サイズとコストで高い電力密度と効率が実現できます。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2月9日、わずか33 mm✕22.9 mm✕9 mm（1.3✕0.9✕0.35インチ）と小さな1/16ブリック・サイズの300 WのDC-DCデモ・ボード「EPC9157」を製品化しました。このデモ・ボードEPC9157は、ルネサス エレクトロニクスの80 Vのデュアル同期整流型バック・コントローラISL81806と、EPCの最新世代eGaN FETであるEPC2218とを統合し、25 Aで、48 V入力から12 Vの安定化出力への変換で95％を超える効率を実現できます。

米MPS（Monolithic Power Systems）のコントローラとEPCの超効率eGaN^® FETの組み合わせによって、高効率、低コストのLLC DC-DC変換において、1700 W / 立方インチと最高クラスの電力密度を実現可能にします。

パワー段ePower™ StageのEPC2152は、パワー・モジュールのEPC9151で実証された高電力密度、低コストのDC-DC変換向けに、より高い性能とより小型なソリューションを実現可能にします。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は12月15日、わずか33 mm×22.9 mm（1.3×0.9インチ）と非常に小型の1/16ブリック形状の300 Wの双方向DC-DC電圧レギュレータ「EPC9151」を製品化したと発表しました。パワー・モジュールのEPC9151は、EPCのePower™ Stage集積回路であるEPC2152と、米マイクロチップ・テクノロジーのデジタル・シグナル・コントローラ（DSC）であるdsPIC33CKを搭載し、48 Vから12 Vへの降圧（または、12 Vから48 Vへの昇圧）の300 W のコンバータ設計で、効率95％以上が得られます。このスケーラブルな2相設計に、相を追加すれば、さらに電力を増やすことができます。

EPCは、170 V、6.8 mΩのeGaN^® FETであるEPC2059を製品化し、高性能の48 V同期整流用に、現在利用可能なデバイスよりも小型、高効率で、信頼性が高く、低コストのデバイスを設計者に提供します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）のパワーFETとICの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は11月10日、eGaN FET の「EPC2059」（6.8 mΩ、170 V）を発売し、既製品の窒化ガリウム・トランジスタのコストを低減すると同時に、性能を向上させたと発表しました。このデバイスは、幅広い電力レベルと価格帯に適した100 V〜200 Vソリューション・ファミリーの最新の製品です。これらは、48 V〜56 Vのサーバーやデータセンター向け製品の需要の高まり、および、ゲーム用パソコンなどのハイエンド・コンピューティング、液晶／LED（発光ダイオード）のテレビ、LED照明といった一連の民生用電子機器の電源用途に対応するように設計されています。

EPCは、窒化ガリウムのFETとICを使った人工知能（AI）の高密度コンピューティングや、ロボット、ドローン、クルマ向けLidar、D級オーディオなどの最先端アプリケーションと信頼性に焦点を当てた教育用ビデオ・ポッドキャスト・シリーズの追加モジュールを公開しました。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は4月22日、人気のあるビデオ・ポッドキャスト・シリーズ「GaNの利用法」を更新し、公開したと発表しました。このシリーズの今回の公開に含まれる6本のビデオは、GaN技術を使って、AI（人工知能）サーバーや超薄型ノートパソコン向けの最先端DC-DCコンバータや、ロボット、ドローン、自動運転車向けのLidar（光による検出と距離の測定）、可能な限り最高品質のオーディオ・システムを設計することに役立つ実践的な例を提供します。

2025年までにデータが175ゼタバイト以上になると予想されています。データセンターの建設と配置、および既存の旧式のもののアップグレード努力は、2020年に日本で開催されるオリンピックに加えて、人工知能（AI：artificial intelligence）や機械学習（ML：machine learning）の成長において本格的に始まる5Gの出現で急速に拡大しています（6Gは、将来の開発としてすでに議論されています）。

サイズ、効率、速度が重要なデータセンターのパワー・アーキテクチャにおいて、GaNが最適なパワー・トランジスタであるべきだということは、私にとって非常に理にかなっています。48 V入力のすべての回路構成で、最高の効率がGaNデバイスで達成されました。

米EDN誌
2019年6月
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