2014年6月24日
窒化ガリウム（GaN）ベースのパワー・デバイスは、シリコン・パワー・デバイスの能力を超える周波数とスイッチング速度で動作可能なので急速に採用されてきています。
英Power Electronics Europe誌 By：Alex Lidow博士、Johan Strydom博士、David Reusch博士 2014年6月