EPC技術記事

思慮に富んだ基板設計は、GaNの可能性の鍵を開けます

2016年2月29日

思慮に富んだ基板設計は、GaNの可能性の鍵を開けます

スイッチング速度が速いパワー・トランジスタは、電源の小型化とエネルギー伝送の高効率化を可能にします。実際、設計者は、ヒートシンクの除去によって、ワイヤレス・パワー伝送を可能にする電源などで、まったく新しい形状のパワー段やモジュールを思い浮かべることができます。シリコン基板上に形成した窒化ガリウム(GaN)・トランジスタは、電源を高効率化でき、実装面積の削減に貢献します。

米Electronic Design誌
2016年3月
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