2016年10月31日
より高い電力密度を要求するパワー・コンバータでは、トランジスタは、永遠に削減され続けている基板スペースに収容されなければなりません。電気的な効率を改善するための窒化ガリウム・ベースのパワー・トランジスタの能力に加えて、熱的な効率もより高めなければなりません。この記事では、チップスケール・パッケージ封止のeGaN ®FETの熱特性を評価し、回路内での電気的および熱的特性を最先端のシリコンMOSFETと比較します。
Bodo’s Power Systems誌 2016年10月 記事を読む