EPC技術記事

次世代のGaN技術が電力密度を2倍に

2022年11月15日

次世代のGaN技術が電力密度を2倍に

この記事で、EPCは、第6世代GaN FETの性能の向上と、その結果として得られるデバイスが前世代のデバイスと同じオン抵抗RDS(on)を半分のチップ・サイズで実現する方法について説明します。

米オンライン・ニュースサイトHow2Power
2022年11月
記事を読む