この論説記事では、Alfred Vollmer氏が、従来のシリコンMOSFETからワイド・バンドギャップ（WBG：wide bandgap）半導体、特に窒化ガリウム（GaN）と炭化ケイ素（SiC）への移行の加速について考察しています。GaNデバイスは、かつてはシリコンMOSFETの独占領域だった領域をどんどん開拓しつつあります。

独Bodo’s Power Systems
2025年6月
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