2013年4月5日
eGaN FET ベースのPOL(負荷点)バック・コンバータ用プリント回路基板のレイアウトを最適化することは、寄生成分を低減するので、従来のMOSFETベースの設計に比べて、効率の向上、スイッチング速度の高速化、デバイスの電圧オーバーシュートの低減につながります。
By David Reusch博士、Efficient Power Conversionのアプリケーション部門ディレクタ
記事を読む