2013年10月15日
eGaN FETのこのファミリーの製品化で、パワー・システムやRFの設計者は今、高性能窒化ガリウム・パワー・トランジスタを利用できるため、シリコンでは達成できない革新的な設計が可能になります。
Bodo's Power Systems誌 2013年10月